串联电阻=硅片基体电阻+扩散方块电阻+栅线电阻+烧结后的接触电阻 基体电阻由硅片决定。扩散方块电阻可以调节，但又伴随着结深的变化。栅线电阻主要靠丝网印刷参数决定，重要的是栅线的清晰度和高宽比（越大越好）。当然，若单纯的减少串联电阻，栅线可以很宽，但高度较低，但是会增大遮光面积。接触电阻主要看烧结。
串联电阻Rs影响短路电流，Rs增大会使短路电流降低，而对开路电压没有影响。 并联电阻反映的是电池的漏电水平。漏电流理论上可以归结到并联电阻上。 并联电阻影响太阳电池开路电压，Rsh减小会使开路电压降低，但对短路电流基本没有影响。
太阳能电池的填充因子FF可定义为最大输出功率Pm与IscVoc之比，也就是最大功率矩形面积对IscVoc矩形面积比例。对于太阳能电池说，填充因子是一个重要的参数，他可以反映太阳能电池的质量。太阳能电池的串联电阻越小，并联电阻越大，填充系数就越大，反映到太阳能电池的电流—电压特性曲线上，曲线就越接近正方形，此时太阳能电池的转换效率就越高。
影响串联电阻的因素有：体电阻率、电极电阻、接触电阻、横向电阻以及测量。体电阻率高是由于掺杂浓度低，电极电阻高可能是银浆、银铝浆、铝浆电阻率高，接触电阻高是由于烧结条件差、减反射膜厚，横向电阻高是由于方阻高、栅线间距宽、印刷栅线的高宽比小。
磷吸杂原理
金属吸杂的原理 是: (1) 杂质的释放。金属杂质在多晶硅体内的存在方式有间隙位、替位态、沉淀或和其它杂质形成复合体,而这些形态中只有间隙态的才是可移动的,所以只有把以其它形态的金属变为间隙形态才可以被快速吸杂。(2)杂质的快速扩散。这些已变为间隙态的金属杂质快速扩散,到达吸杂点。(3) 杂质在预定的吸杂位置被捕获。这些预定的吸杂位置可以是缺陷、空位或固溶度增强的区域,而且这些吸杂区域要对杂质原子具有更牢固的束缚能,以使这些被吸杂的杂质不致于被再次释放。 而我们太阳电池中常见的磷吸杂的原理通常被认为是: (1)由于费米能级的影响而在重磷扩散的区域引起固溶度的提高 ; ( 2) 磷扩散产生的位错具有吸杂作用。 开路电压
扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制
造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。
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