一种高功率声表面波滤波器的制作方法

1.本发明属于声表面波滤波器技术领域，尤其涉及一种高功率声表面波滤波器。

背景技术：

2.随着移动通讯技术的发展，通讯频段的不断增加，频谱资源变得越来越稀缺，声表面波滤波器作为选频器件，在射频领域的应用也越来越广。相对于普通滤波器，声表面波滤波器具有体积小，损耗低，矩形度高等优势，被广泛应用在手机、物联网、汽车电子等不同领域。但常规的声表面波滤波器功耐很难超过1w，难以满足很多高功率的应用场景。例如专利申请号为202210516804.1、专利名称为一种声表面波滤波器及多工器的公开文件中就公开了一种声表面波滤波器的结构，其中，声表面波滤波器包括：声表面波元件，所述声表面波元件连接于所述声表面波滤波器的输入端子和输出端子之间；声表面波谐振单元，所述声表面波谐振单元连接于所述输入端子和所述输出端子之间。而声表面波谐振单元为一个或者多个声表面波谐振器，多个谐振器是串联连接。这种滤波器的功率耐受性比较差，而且串联的谐振器越多插入损耗会越差。

技术实现要素：

3.本发明所要解决的技术问题是：提供一种功率耐受更大的高功率声表面波滤波器。
4.为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种高功率声表面波滤波器，包括基座和固定于基座上的压电衬底，所述压电衬底上设置有滤波金属图形，所述基座上设置有输入引脚、输出引脚和接地引脚，所述滤波金属图形包括至少一个连接于输入引脚和输出引脚之间的串联谐振器组、至少一个连接于输入引脚和输出引脚之间的并联谐振器组，每个并联谐振器组均设置有与接地引脚连接的独立的接地电极，每个串联谐振器组和并联谐振器组均包括多个谐振器，多个谐振器通过串并连接方式形成m
×
n的谐振器阵列组。
5.作为一种优选的方案，所述滤波金属图形包括至少两层金属层，相邻金属层的材质不同，所述的金属层为钛、铝、金、银、铬、铜、钯、铂中的任意材质或者合金的组合。
6.作为一种优选的方案，所述串联谐振器组的数量为n个，按照输入至输出方向定义各串联谐振器组分别为第一串联谐振器组、第二串联谐振器组、第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组，所述第一串联谐振器组和第二串联谐振器组的谐振器数量均大于或者等于第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组的谐振器数量。
7.作为一种优选的方案，所述第一串联谐振器组的谐振器数量大于所述第二串联谐振器组的谐振器数量。
8.作为一种优选的方案，所述并联谐振器组的数量为m个，按照输入至输出方向定义各并联谐振器组分别为第一并联谐振器组、第二并联谐振器组、第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组，所述第一并联谐振器组和第二并联谐振器组的谐振器数量均大于或者等于第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组的谐振器数量。
9.作为一种优选的方案，所述第一并联谐振器组的谐振器数量大于所述第二并联谐振器组的谐振器数量
10.作为一种优选的方案，所述串联谐振器组的数量为n个，按照输入至输出方向定义各串联谐振器组分别为第一串联谐振器组、第二串联谐振器组、第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组，所述第一串联谐振器组和第二串联谐振器组的谐振器总面积均大于或者等于第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组的谐振器的总面积。
11.作为一种优选的方案，所述第一串联谐振器组的谐振器总面积大于或等于所述第二串联谐振器组的谐振器总面积。
12.作为一种优选的方案，所述并联谐振器组的数量为m个，按照输入至输出方向定义各并联谐振器组分别为第一并联谐振器组、第二并联谐振器组、第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组，所述第一并联谐振器组和第二并联谐振器组的谐振器总面积均大于或者等于第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组的谐振器的总面积。
13.作为一种优选的方案，所述压电衬底为压电材料制成的衬底或者所述压电衬底包括由压电材料制成的压电薄膜和由单层或者多层非压电晶体制成的衬底本体，所述压电薄膜结合于衬底本体的表面。
14.采用了上述技术方案后，本发明的效果是：由于该滤波器包括基座和固定于基座上的压电衬底，所述压电衬底上设置有滤波金属图形，所述基座上设置有输入引脚、输出引脚和接地引脚，所述滤波金属图形包括至少一个连接于输入引脚和输出引脚之间的串联谐振器组、至少一个连接于输入引脚和输出引脚之间的并联谐振器组，每个并联谐振器组均设置有与接地引脚连接的独立的接地电极，每个串联谐振器组和并联谐振器组均包括多个谐振器，多个谐振器通过串并连接方式形成m
×
n的谐振器阵列组，因此，通过上述的结构后，原本单个谐振器需要承受的功耗就可以分摊到每个串联谐振器组和并联谐振器组中的每个谐振器上，从而可以大大提高滤波器的功率耐受，利用串联谐振组可以有效的改善通带右侧的带外抑制水平，而并联谐振器可以有效的改善通带左边的带外抑制水平，另外利用串联谐振器组和并联谐振器组的组合，可以在封装尺寸的允许下组合出不同性能和不同功率耐受的滤波器，产品种类更丰富性，同时每个并联谐振器组均单独连接接地引脚，可以防止信号的串扰，提高滤波器整体带外抑制。
15.又由于所述滤波金属图形包括至少两层金属层，相邻金属层的材质不同，所述的金属层为钛、铝、金、银、铬、铜、钯、铂中的任意材质或者合金的组合，由于不同的金属，热迁移不同，熔点也不同，因此采用了至少两层不同材质的金属层，就可以兼顾不同金属的特点，提高热迁移率的同时还能使熔点高，这样滤波器的功率耐受提高，滤波金属图形产生的热量可以快速导出，提高散热性，同时也避免滤波金属图形因温度过高而熔断损坏。
16.又由于所述串联谐振器组的数量为n个，按照输入至输出方向定义各串联谐振器组分别为第一串联谐振器组、第二串联谐振器组、第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组，所述第一串联谐振器组和第二串联谐振器组的谐振器数量均大于或者等于第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组的谐振器数量。由于第一串联谐振器组和第二串联谐振器组两个最靠近输入引脚，发热最高且最容易损坏，因此，可以根据设计要求将第一串联谐振器组和第二串联谐振器组的谐振器数量增多，这样，第一串联谐振器组和第二串联谐振器组的面积更大，导热面积更大，这样工作更可靠，不容易损坏，同时，由于第一串联谐振器组
包含了更多谐振器，每个谐振器分担的功耗更小，就更不容易损坏。
17.又由于所述第一串联谐振器组的谐振器数量大于所述第二串联谐振器组的谐振器数量，因此，可以根据实际的需要使第一串联谐振器组的谐振器数量做的最大，在考虑到封装尺寸固定的情况下，尽可能的提高第一串联谐振器组的散热性能，同时也减少每个谐振器分担的功耗，使整个滤波器可靠性提高，确保最容易损坏的第一串联谐振器组不被损坏。
18.又由于所述并联谐振器组的数量为m个，按照输入至输出方向定义各并联谐振器组分别为第一并联谐振器组、第二并联谐振器组、第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组，所述第一并联谐振器组和第二并联谐振器组的谐振器数量均大于或者等于第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组的谐振器数量。同样，第一并联谐振器组和第二并联谐振器组是最靠近输入引脚的两个谐振器组，发热相比其它的谐振器组更高且最容易损坏的，将第一并联谐振器组和第二并联谐振器组的谐振器数量增加，就增加了散热面积，每个谐振器分担的功耗更小，工作更可靠。
19.又由于所述第一并联谐振器组的谐振器数量大于所述第二并联谐振器组的谐振器数量，因此，在考虑到封装尺寸的情况，对第一并联谐振器组进行了优化，这样第一并联谐振器组谐振器数量最多，提高最容易损坏的第一并联谐振器组的散热性能的同时也减少每个谐振器分担的功耗，使整个滤波器可靠性提高，谐振器组更不容易损坏。
20.又由于所述串联谐振器组的数量为n个，按照输入至输出方向定义各串联谐振器组分别为第一串联谐振器组、第二串联谐振器组、第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组，所述第一串联谐振器组和第二串联谐振器组的谐振器总面积均大于或者等于第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组的谐振器的总面积，因此，本方案中，将第一串联谐振器组和第二串联谐振器组的谐振器总面积增加，此时，单位面积的功耗降低，这样第一串联谐振器组和第二串联谐振器组这两个更容易损坏的谐振器组就更不容易损坏，可以适应更高功率的要求。
21.又由于所述第一串联谐振器组的谐振器总面积大于或等于所述第二串联谐振器组的谐振器总面积，因此，将第一串联谐振器组的面积增大，散热性能提高的同时，单位面积的功耗降低，使整个滤波器可靠性提高，谐振器组更不容易损坏。
22.又由于所述并联谐振器组的数量为m个，按照输入至输出方向定义各并联谐振器组分别为第一并联谐振器组、第二并联谐振器组、第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组，所述第一并联谐振器组和第二并联谐振器组的谐振器总面积均大于或者等于第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组的谐振器的总面积，同样，本方案中，将第一并联谐振器组和第二并联谐振器组的谐振器总面积增加，此时，单位面积的功耗降低，这样第一并联谐振器组和第二并联谐振器组这两个更容易损坏的谐振器组就更不容易损坏，可以适应更高功率的要求。
附图说明
23.下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
24.图1是本发明实施例的串联谐振器组和并联谐振器组的连接示意图；
25.图2是压电衬底和滤波金属图形的侧面示意图；
26.图3是滤波器的俯视示意图；
27.图4是串联谐振器组的结构示意图；
28.图5是本发明实施例的滤波器的性能测试曲线图；
29.图6是压电衬底与基座之间的粘结示意图；
30.图7是压电衬底的侧面结构示意图；
31.附图中：1、输入引脚；2、输出引脚；3、串联谐振器组；31、叉指换能器；31、第一反射器；32、第二反射器；3a、第一串联谐振器组；3b、第二串联谐振器组；3c、第三串联谐振器组；4、并联谐振器组；4a、第一并联谐振器组；4b、第二并联谐振器组；4c、第三并联谐振器组；4d、第四并联谐振器组；5、接地引脚；6、基座；7、压电衬底；8、输入电极；9、输出电极；10、一类接地电极；11、二类接地电极；12、金属引线；13、滤波金属图形；13a、第一金属层；13b、第二金属层；13c、第三金属层；14、导热胶水；15、压电薄膜；16、二氧化硅层；17、多晶硅层；18、高阻硅层。
具体实施方式
32.下面通过具体实施例对本发明作进一步的详细描述。
33.如图1至图4所示，一种高功率声表面波滤波器，包括基座6和固定于基座6上的压电衬底7，所述压电衬底7上设置有滤波金属图形13，所述基座6上设置有输入引脚1、输出引脚2和接地引脚5。本实施例中，滤波器采用smd陶瓷封装技术，该基座6为陶瓷封装基座6，当然该滤波器的封装并不限于smd陶瓷封装，还可以采用其他的封装，例如倒装工艺的晶圆级封装。
34.所述压电衬底7为压电材料制成的衬底或者所述压电衬底包括由压电材料制成的压电薄膜和由单层或者多层非压电晶体制成的衬底本体，所述压电薄膜结合于衬底本体的表面。
35.其中，压电材料可以为钽酸锂或铌酸锂或者石英或者氮化铝制成的衬底，也可以是包含多层结构，如图7所示，其中压电薄膜15为上述压电材料制成，而单层非压电晶体制成的衬底本体可以是硅或者蓝宝石，而多层非压电晶体制成的衬底本体由上而下为二氧化硅层16、多晶硅层17和阻硅层18，而压电薄膜15结合于衬底本体的二氧化硅层的16，结合的方式可以采用键合或者离子注入等方式。
36.本实施例中的压电薄膜15优选550-650nm，优选为600nm，二氧化硅层500-530nm，优选为500nm，多晶硅层900-1100nm，优选为1000nm，高阻硅层起到整个的支撑作用，本实施例优选的压电衬底为多层结构的衬底，该多层结构的衬底可以使声波限制在压电薄膜中传播，减少插损，同时多层结构的压电衬底导热效果也更好，从而提高功率耐受。
37.如图2和图6所示，所述压电衬底7的厚度h通常为100～600um，其中优选厚度h小于250um，所述压电衬底7通过导热胶水14固定于基座6上。该导热胶水14优选的采用高导热性的胶水，如导电银浆或其他导热性能高的胶水，导热性能越高，压电衬底7越容易将热量传到至基座6上，这样散热的效果就越好。
38.而所述滤波金属图形13的厚度为50nm～800nm。所述滤波金属图形13包括至少两层金属层，相邻金属层的材质不同，所述的金属层为钛、铝、金、银、铬、铜、钯、铂中的任意材质或者合金的组合。再如图2所示，图2中所述滤波金属图形13包括三层金属层，分别定义为
第一金属层13a、第二金属层13b和第三金属层13c，第一金属层13a、第二金属层13b和第三金属层13c的材质不同，所述第一金属层13a、第二金属层13b和第三金属层13c为钛、铝、金、银、铬、铜、钯、铂中的任意一种材质，当然滤波金属图形还可以为两层金属层或者三层以上的金属层，多种不同的材质的金属层复合，可以兼顾各材质的优点，如可提高迁移率，使滤波金属图形的熔点更高。本实施例中优选的，第一金属层13a和第三金属层13c均为钛层，而第二金属层13b层为铝层，铝层的导电性能好，插损小但功耐差，熔点低，而钛层熔点高，导电性相比铝层差些，第一金属层13a采用钛层，使铝层与压电衬底7之间的粘结也更牢固，而第三金属层13c采用钛层保护铝层不易氧化，这样经过上述多层金属的组合，可以增加功耐的同时增加熔点。
39.当然，还可以有其他的组合方式，例如，第一金属层13a为钛层，第二金属层13b层为铜层，第三金属层13c层为铜铝合金层。第一金属层13a采用钛层，使铜层与压电衬底7之间的粘结也更牢固，第二金属层13b采用铜层是因为铜层导电性能好，熔点高，功耐好，而第三金属层13c采用铜铝合金层，可以保证金属引线的连接性的同时，获得比纯铝更高的熔点和功耐。这样经过上述多层金属的组合，可以保证产品电性能的同时提高熔点和功耐。
40.如图1和图4所示，所述滤波金属图形包括至少一个串联于输入引脚1和输出引脚2之间的串联谐振器组3、至少一个并联于输入引脚1和输出引脚2之间的并联谐振器组4，每个并联谐振器组4均设置有与接地引脚5连接的独立的接地电极，每个串联谐振器组3和并联谐振器组4均包括多个谐振器，多个谐振器通过串并连接方式形成m
×
n的谐振器阵列组。
41.其中本实施例中优选的，每个谐振器阵列组中的谐振器结构和性能相同。当然，也可以对同一个谐振器阵列组中的谐振器进行适当的优化，理论上原本滤波器中单个谐振器需要承受的功耗可以均匀的分摊到谐振器阵列组中的每个谐振器上，从而大大提高滤波器的功率耐受，另外由于采用的是谐振器阵列组，在相同的封装尺寸下，原来的谐振器安装区域均由串联谐振器组或者并联谐振器组替代，这样原来的谐振器安装区域中的一些空白区域也会被谐振器占据，也就能提高了散热的面积，确保单位面积的功耗更低，可靠性就更高。
42.其中，本实施例中，所述串联谐振器组的数量为n个，该n为大于或者等于2的自然数，按照输入至输出方向定义各串联谐振器组分别为第一串联谐振器组3a、第二串联谐振器组3b、第三串联谐振器组3c、
……
、第n串联谐振器组，所述第一串联谐振器组3a和第二串联谐振器组3b的谐振器数量均大于或者等于第三串联谐振器组3c、
……
、第n串联谐振器组的谐振器数量。进一步优选的，所述第一串联谐振器组3a的谐振器数量大于所述第二串联谐振器组3b的谐振器数量。
43.本实施例中，m和n的数值均大于等于2，每个谐振器阵列组可以在封装尺寸允许的范围内从2
×
2往上拓展。而本实施例中，第一串联谐振器组3a包含的谐振器数量为16个，通过串并联方式形成4
×
4的谐振器阵列组；而第二串联谐振器组3b包含的谐振器数量为9个，且形成3
×
3的谐振器阵列组，而后第三串联谐振器组3c、
……
、第n串联谐振器组的数量则可以为3
×
3的谐振器阵列组或者2
×
2的谐振器阵列组。本实施例中优选的，所述m和n的数值相等，当然也可以不相等，具体可以根据实际的情况进行优化。当然，本实施例还可以做以下变形，例如第一串联谐振器组3a包含的9个谐振器形成3
×
3的谐振器阵列组；而第二串联谐振器组3b包含的谐振器数量为16个，且形成4
×
4的谐振器阵列组，而其他的谐振器组
可以为3
×
3的谐振器阵列组或者2
×
2的谐振器阵列组，这种结构的变形也能够满足设计要求。
44.本实施例中，所述并联谐振器组4的数量为m个，该m为大于或者等于2的自然数，按照输入至输出方向定义各并联谐振器组4分别为第一并联谐振器组4a、第二并联谐振器组4b、第三并联谐振器组4c、第四并联谐振器组4d、
……
、第m并联谐振器组，所述第一并联谐振器组4a和第二并联谐振器组4b的谐振器数量均大于或者等于第三并联谐振器组4c、
……
、第m并联谐振器组的谐振器数量。所述第一并联谐振器组4a的谐振器数量大于所述第二并联谐振器组4b的谐振器数量。本实施例中，第一并联谐振器组4a包含的谐振器的数量为9个并形成3
×
3的谐振器阵列组，而第二并联谐振器组的谐振器4b数量大于或者等于第三并联谐振器组4c、
……
、第m并联谐振器组数量，优选，第二并联谐振器组的谐振器数量4b等于第三并联谐振器组4c、
……
、第m并联谐振器组数量，且均为4个并形成2
×
2的谐振器阵列组。当然也可根据实际情况做变形，例如第一并联谐振器组4a的谐振器为3
×
3阵列，而第二并联谐振器组4b的谐振器为4
×
4阵列，而其他的并联谐振器组的谐振器为2
×
2的阵列。
45.另外本实施例中还可以从谐振器组的总面积角度来增加滤波器的功率耐受。例如所述第一串联谐振器组3a和第二串联谐振器组3b的谐振器总面积均大于或者等于第三串联谐振器组3c、
……
、第n串联谐振器组的谐振器的总面积。并且进一步优化，所述第一串联谐振器组3a的谐振器总面积大于或者等于所述第二串联谐振器组3b的谐振器总面积，而其他的各串联谐振器组的谐振器总面积可以相同也可以根据实际的需求优化设计为不同。
46.当然，也对所述第一并联谐振器组4a和第二并联谐振器组4b的谐振器总面积进行优化，其中所述第一并联谐振器组4a和第二并联谐振器组4b的谐振器总面积进行优化均大于或者等于第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组的谐振器的总面积。并且可以使第一并联谐振器组4a的谐振器总面积大于或者等于第二并联谐振器组4b的谐振器总面积，而后其他的谐振器组的谐振器总面积根据实际情况进行设计和优化。
47.如图4所示，图4中示意了一个串联谐振器组3，该串联谐振器组3为3
×
3的谐振器阵列组，谐振器的结构和原理是目前的公知技术，其主要包括叉指换能器31和位于叉指换能器31两侧的第一反射器31和第二反射器32，图中的谐振器采用串并联的方式形成。
48.基座6的尺寸根据smd陶瓷封装工艺进行优选，例如基座6的尺寸可以为3
×
3mm或者5
×
5mm，如图3所示，本实施例中的基座6的尺寸为5
×
5mm，所述串联谐振器组3的数量为三个，并联谐振器组4的数量为四个。三个串联谐振器组3分别定义为第一串联谐振器组3a、第二串联谐振器组3b和第三串联谐振器组3c，第一串联谐振器组3a、第二串联谐振器组3b和第三串联谐振器组3c相互串联于输入引脚1和输出引脚2之间，其中，第一串联谐振器组3a的输入电极8与输入引脚1之间通过金属引线12连接，所述第三串联谐振器组3c的输出电极9与输出引脚2之间通过金属引线12连接。
49.而四个并联谐振器组4分别为第一并联谐振器组4a、第二并联谐振器组4cb、第三并联谐振器组4c和第四并联谐振器组4d，第二并联谐振器组4cb、第三并联谐振器组4c和第四并联谐振器组4d为2
×
2的谐振器阵列组，第一并联谐振器组4a由于靠近输入端，则优化为3
×
3的谐振器阵列组。
50.如图3所示，第一并联谐振器组4a、第二并联谐振器组4cb、第三并联谐振器组4c的
接地电极均为一类接地电极，该一类接地电极的尺寸相比较大，也能够增加散热，而第四并联谐振器组4d的接地电极为二类接地电极11。在滤波器的版图布置设计时，四个接地电极、输入电极8和输出电极9尽可能设置在并联谐振器组4和串联谐振器组3的两侧，同样基座6上的输入引脚1、输出引脚2和接地引脚5均位于并联谐振器组4和串联谐振器组3的外围。输入引脚1和输入电极8、输出引脚2和输出电极9位置靠近并通过金属引线12连接，四个接地电极与最接近的接地引脚5之间连接。
51.本发明中的声表面波滤波器相比目前现有的滤波器具有以下优点：
52.1、原本由单个谐振器需要承受的功耗就可以分摊到每个串联谐振器组3和并联谐振器组4中的每个谐振器上，从而可以大大提高滤波器的功率耐受。
53.2、利用多个串联谐振组可以有效的改善通带右侧的带外抑制水平，而并联谐振器可以有效的改善通带左边的带外抑制水平，如图5所示，图5中的a曲线为本实施例中滤波器的测试波形，b曲线为常规的滤波器的测试波形，图中的横坐标为频率，纵坐标为是s21，表示信号在横坐标的频率范围内的通过带通滤波器的通过率，从图中可以发现，两者的通带区域相似，但是对于左侧带外抑制水平和右侧带外抑制水平，本实施例中的滤波器均具有明显优势。对本发明中的滤波器进行实测数据如下：中心频率为881.5mhz；通带频率范围：869～894mhz；带内插损：-2.0db typ；带外抑制：824～849mhz 50db typ；915～960mhz40db typ；最大输入cw功率：》+36dbm；击穿损坏功率》+40dbm。
54.3、利用串联谐振器组3和并联谐振器组4可以进行优化组合，在封装尺寸的允许下组合出不同性能和不同功率耐受的滤波器，产品种类更丰富性，成本也更低。
55.以上所述实施例仅是对本发明的优选实施方式的描述，不作为对本发明范围的限定，在不脱离本发明设计精神的基础上，对本发明技术方案作出的各种变形和改造，均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。

技术特征：

1.一种高功率声表面波滤波器，包括基座和固定于基座上的压电衬底，所述压电衬底上设置有滤波金属图形，所述基座上设置有输入引脚、输出引脚和接地引脚，其特征在于：所述滤波金属图形包括至少一个串联于输入引脚和输出引脚之间的串联谐振器组、至少一个并联于输入引脚和输出引脚之间的并联谐振器组，每个并联谐振器组均设置有与接地引脚连接的独立的接地电极，每个串联谐振器组和并联谐振器组均包括多个谐振器，多个谐振器通过串并连接方式形成m
×
n的谐振器阵列组。2.如权利要求1所述的一种高功率声表面波滤波器，其特征在于：所述滤波金属图形包括至少两层金属层，相邻金属层的材质不同，所述的金属层为钛、铝、金、银、铬、铜、钯、铂中的任意材质或者合金的组合。3.如权利要求1或2所述的一种高功率声表面波滤波器，其特征在于：所述串联谐振器组的数量为n个，按照输入至输出方向定义各串联谐振器组分别为第一串联谐振器组、第二串联谐振器组、第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组，所述第一串联谐振器组和第二串联谐振器组的谐振器数量均大于或者等于第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组的谐振器数量。4.如权利要求3所述的一种高功率声表面波滤波器，其特征在于：所述第一串联谐振器组的谐振器数量大于所述第二串联谐振器组的谐振器数量。5.如权利要求4所述的一种高功率声表面波滤波器，其特征在于：所述并联谐振器组的数量为m个，按照输入至输出方向定义各并联谐振器组分别为第一并联谐振器组、第二并联谐振器组、第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组，所述第一并联谐振器组和第二并联谐振器组的谐振器数量均大于或者等于第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组的谐振器数量。6.如权利要求5所述的一种高功率声表面波滤波器，其特征在于：所述第一并联谐振器组的谐振器数量大于所述第二并联谐振器组的谐振器数量。7.如权利要求1或2所述的一种高功率声表面波滤波器，其特征在于：所述串联谐振器组的数量为n个，按照输入至输出方向定义各串联谐振器组分别为第一串联谐振器组、第二串联谐振器组、第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组，所述第一串联谐振器组和第二串联谐振器组的谐振器总面积均大于或者等于第三串联谐振器组、
……
、第n串联谐振器组的谐振器的总面积。8.如权利要求7所述的一种高功率声表面波滤波器，其特征在于：所述第一串联谐振器组的谐振器总面积大于或等于所述第二串联谐振器组的谐振器总面积。9.如权利要求8所述的一种高功率声表面波滤波器，其特征在于：所述并联谐振器组的数量为m个，按照输入至输出方向定义各并联谐振器组分别为第一并联谐振器组、第二并联谐振器组、第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组，所述第一并联谐振器组和第二并联谐振器组的谐振器总面积均大于或者等于第三并联谐振器组、
……
、第m并联谐振器组的谐振器的总面积。10.如权利要求1所述的一种高功率声表面波滤波器，其特征在于：所述压电衬底为压电材料制成的衬底或者所述压电衬底包括由压电材料制成的压电薄膜和由单层或者多层非压电晶体制成的衬底本体，所述压电薄膜结合于衬底本体的表面。

技术总结

本发明公开了一种高功率声表面波滤波器，声表面波滤波器技术领域，其包括基座和固定于基座上的压电衬底，所述压电衬底上设置有滤波金属图形，所述基座上设置有输入引脚、输出引脚和接地引脚，所述滤波金属图形包括至少一个连接于输入引脚和输出引脚之间的串联谐振器组、至少一个连接于输入引脚和输出引脚之间的并联谐振器组，每个并联谐振器组均设置有与接地引脚连接的独立的接地电极，每个串联谐振器组和并联谐振器组均包括多个谐振器，多个谐振器通过串并连接方式形成M