mide-277- 学年第学期班级
时量： 100分钟，总分 100 分，考试形式：闭卷
一填空题（每空1分，共10分）
1.在集成电路设计中，常用的电路仿真软件有____________、__________。
2.在模拟集成电路中MOS晶体管是四端器件即：_______、________、_______、______。
3.MSO管的主要几何参数：____________、______________、____________。
4.实现比较器的一个很简单的方法是：__________。
二、选择题（每题2分，共10分）
1. NMOS管的电路符号是（）
2. 按比例缩小有三种理论，下面选项哪个不是（）
带隙基准A 恒定电场CF.
B 恒定电压CV.
C 准恒压QCCCV.
D 摩尔
3.根据CF理论，对MOS器件来说，器件的纵向尺寸按比例缩小a倍，则本征增益（）倍 A 1.
B 增大a倍.
C 减小a倍.
D 0
4.下面哪个单级放大器的增益小于1（）
B 共漏 C共栅 D 共源共栅
5.MOS管通常工作在（）区
A 截止
B 饱和区
C 线性区
D 二极管区
三、判断题（每题2分，共10分）
空气源热泵热水系统1. 亚阈值导通是一个短沟道效应，通常只有沟道长度小于2um 的MOS 晶体管才会发生亚阈
值导通。（）
2. 可采用Cascode（共源共栅）技术来提高共源放大器的跨导。（）
3.单级放大器的输入阻抗与输出端所接的负载阻抗有关。（）
4. 差分放大器因随机失配引起的失调电压是一个直流量，它不会影响放大器的小信号增益。（）数据库探针
5.在集成电路设计中，一般负载管采用PMOS管，驱动管采用NMOS管。（）
四、简答题（每题6分，共36分）
2.简述带隙基准源的基本原理与应用。
3.画出电阻做负载的共源、共栅、共漏单级放大器电路结构，并画出相应输入输出特性
spta曲线、电压增益。秸秆人造板
4. 分析基本电流镜的基本原理。
5. 简述模拟集成电路设计的流程。
6. 简述CMOS工艺布局与设计准则。
五、综合题（34分）
1.该电路图有错误，请在图中修改；
2.该电路有几级放大，分别是什么电路结构？
3.如何稳定该电路频率响应？请在图中画出；
4.计算该电路功耗；
5.计算该电路增益；
6.写出该电路频率分析与瞬态分析的Hspice程序。
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