气相沉积技术在难熔金属材料中的应用作者：何丽鑫 张平来源：《中国科技纵横》2015可控硅焊机年第apm监控系统22期nnn16
【摘 要】对难熔金属的制备技术经过了几十年的发展历程，从粉末冶金到真空熔炼技术再到气相沉积技术（简称CVD8300c）的应用，标志着我国对难熔金属的制备技术的不断进步和革新。难熔金属普遍具有硬度高、熔点高等特点，相对于普遍金属材料来说制备难度大，技术标准要求高。本文在对化学气相沉积技术概述的基础上，探讨在难熔金属材料制备加工领域中对气相沉积技术的应用。 【关键词】气相沉积技术 CVD 简易车棚难熔金属 制备
难熔金属普遍具有高硬度、高熔点的特性，同时在导电性、导热性等方面都具有一定的优势，而且相对于普通金属材料来说化学稳定性良好。随着经济的发展，航空、核电、化工、机械制造以及冶金等多种行业发展迅速，对难熔金属的制备要求也相应的提高。对于难熔金属的制备，经历了十几年的发展，无论是粉末冶金技术还是真空冶金技术都有力的推动了我国的难熔金属制备技术的发展进步。随着气相沉积技术的开发和应用，使我国难熔金属
的制备技术迈向了一个新台阶。
1 气相沉积技术的概述
气相沉积（英文简称CVD），是使气态物质在光、热或者等离子体的激活作用和驱动下在固体界面上产生化学反应，制得性状稳定的呈固态形式的沉积物的制备技术。沉积反应可以发生在气相界面上也可以发生在气/固界面上，根据发生界面的不同可将其分成均相反应和多相反应两大类。均相反应的结果性状是粉末，多相反应的结果性状为薄膜。CVD从本质上来看是原子沉积的过程，具有提纯的功能，由此得到的沉积层纯度高而且，密度高。CVD是一种化学反应的过程，因此基于化学反应具有多样化的特性制备技术也相对更加灵活，使得CVD制备技术成为对多种材料制备的化学工艺基础。
分度机构
难熔金属的制备一直以来都是我国金属材料制备领域的重点和难点，随着工业的不断发展，金属材料制备技术不断开发，难熔金属制备技术也在不断的研究和发展中。经历的几十年的开发，从粉末冶金技术，到真空冶金技术，再到电弧、电子束熔炼技术的研究和应用，使我国难溶金属的制备技术不断革新，快速发展。在难熔金属材料中，以钨、铼、钼等金属材料最为常见，以金属钨为例，钨硬度高、熔点高，其所具有的独特特性被广泛
用于航空、电子电器、机械制造等多个领域。但是钨金属材料在熔炼和加工方面难度很大，目前普遍采用的制备方法为粉末冶金的方法，但是使用此种方法存在诸多缺陷，如钨制品组织致密性不良，性状和尺寸局限性高，对于形状复杂或者薄壁型制品无法满足制备要求，因此对传统制备技术加以改进，开发和应用新技术成为难熔金属制备的迫切要求。随着气相沉积技术的开发和在难熔金属材料中的应用，为难熔金属的制备开辟了一条新的技术之路。
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