ArSF6环境下使用感应耦合等离子体刻蚀SiO2速率的研究

Ar/SF6环境下使用感应耦合等离子体刻蚀SiO2速率的研究
第五指令作者:满旭 鲍妮 张家斌 郝永芹 李洋 贾慧民 马晓辉ts2>康志坚
来源:《科技风》2018年第34期
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汽车阻尼板        摘 要:利用感应耦合等离子体(ICP)技术在Ar/SF6环境下对SiO2薄膜进行干法刻蚀。通过控制ICP功率、RF功率、反应压强和刻蝕气体比例,获得了较高的刻蚀速率(104nm/min),并对SiO2刻蚀速率随各参数的变化情况进行了讨论。
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        关键词:感应耦合等离子体(ICP);Ar /SF6;刻蚀速率

本文发布于:2024-09-23 07:24:37,感谢您对本站的认可!

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标签:等离子体   耦合   刻蚀   感应   进行   速率   功率   气体
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