光刻技术去胶⽅法
在集成电路的制造过程中，有⼀个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微⼩的芯⽚上实现功能。光刻是半导体器件制造⼯艺中的⼀个重要步骤，该步骤利⽤曝光和显影在光刻胶层上刻画⼏何图形结构，然后通过刻蚀⼯艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上，然⽽去胶也是不可忽视的⼀个步骤，在完成刻蚀或离⼦注⼊后，也要将半导体衬底上的光刻胶去除。 在线升级光刻技术的基本原理
光刻的基本原理是利⽤光刻胶感光后因光化学反应⽽形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加⼯表⾯上。
光刻半导体芯⽚主要步骤是：
a、在晶圆上涂光刻胶；
b、紫外线透过掩膜版上印好的电路图案照射到光刻胶上；
c、曝光在紫外线下的光刻胶被反应掉留下与掩膜版上⼀致的图案；铅封号
防辐射面罩
d、再⽤化学物质刻蚀掉暴露出来的晶圆部分；
e、设计好的电路图案就展现出来了。
空气滞留层⽽在光刻技术中有⼀项不能缺少的去胶技术，正是⽤到华林科纳多年来精⼼研制的湿法清洗设备。
常⽤的去除光刻胶的⽅法有⼲法等离⼦体刻蚀和湿法清洗。
外墙陶土板
在⼲法等离⼦体刻蚀⼯艺中，产⽣等离⼦体的⽅法通过微波或射频等激励源作⽤于⼯作⽓体，例如氧⽓、氢⽓或含氟的⽓体，将该⼯作⽓体电离；并将半导体衬底上的光刻胶层暴露在等离⼦体⽓氛中，例如氧⽓等离⼦体中，通过等离⼦体⽓氛中的活性离⼦与光刻胶的反应、等离⼦体的轰击⽽将光刻胶去除；然⽽，采⽤⼲法等离⼦体刻蚀去除光刻胶层容易使光刻胶下的材料层受到损伤，且费⽤较⾼，此外，由于⼲法等离⼦体刻蚀往往⽆法将光刻胶去除⼲净，完成⼲法等离⼦体刻蚀后还不得不再次⽤湿法清洗液进⾏清洗。因此华林科纳湿法清洗中通过清洗液将半导体衬底表⾯的光刻胶去除，在湿法清洗中，通过将表⾯具有光刻胶的半导体衬底置于具有清洗液的容器中，或通过向光刻胶表⾯喷洒清洗液的⽅法去除光刻胶层。在现有的⼀种湿法清洗去除光刻胶的⽅法中，将双氧⽔注⼊到硫酸溶液中，双氧⽔与硫酸发⽣放热反应形成⾼温的清洗液；将该清洗液喷洒到半导体衬底的光刻胶表⾯，所述清洗液与光刻胶反应将
仓栅车光刻胶去除；接着，⽤去离⼦⽔冲洗去除光刻胶后的半导体衬底的表⾯。上述⽅法可在具有批处理能⼒的设备中进⾏：将双氧⽔连续不断地与硫酸溶液混合，并将混合后的清洗液喷洒到依次进⼊所述设备的半导体衬底的光刻胶表⾯，将光刻胶去除。
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议