【CN109851798A】一种含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体及其制备方法【专利...

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910138807.4
(22)申请日 2019.02.25
(71)申请人 华东理工大学
地址 200237 上海市徐汇区梅陇路130号华
东理工大学394信箱
(72)发明人 周权 宋宁 倪礼忠 杨明泽 
(51)Int.Cl.
C08G  79/14(2006.01)
伸缩式雨棚C04B  35/48(2006.01)
C04B  35/56(2006.01)
C04B  35/571(2006.01)
C04B  35/58(2006.01)
C04B  35/622(2006.01)
(54)发明名称
一种含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体及其制
(57)摘要
证据智能系统本发明公开了一类以B -O -Si -O -Zr为主链含
硼、锆、硅的单源性陶瓷前驱体的制备方法。该聚
合物ZBS以苯硼酸、乙烯基三甲氧基硅烷、正丙醇33dxdx
锆、乙酰丙酮为原料,乙酸乙酯作溶剂,在惰性气
体的保护下,分两步反应制得。第一步反应:正丙
醇锆与乙酰丙酮之间的配位鳌合反应;第二步反
应:苯硼酸、乙烯基三甲氧基硅烷与鳌合产物之
间的取代反应;除溶剂制得产物BZS。该聚合物在
普通低沸点有机溶剂中具有良好的溶解性,解决
了以往前驱体合成法产物难溶解的问题,另该外
制备方法工艺简单、操作方便,反应条件易于控
制,可同时向体系内引入硼、锆、硅且可通过调节
结构中硼、锆、硅的摩尔比从而改善其耐高温性
能。本发明阐述的含硼、锆、硅聚合物中,在管式
炉高纯氩气氛中1600℃保温5h后,硼、锆、硅含量
分别为:4.38%(wt%)、36.94%(wt%)18.47%(wt%),
陶瓷转化率达80.25%。为ZrB 2-ZrC -ZrO 2-SiC复相陶瓷的制备提供了一种新的方法,在耐高温材
料方面得到进一步应用。权利要求书1页  说明书3页  附图1页CN 109851798 A 2019.06.07
C N  109851798
A
1.本发明涉及一种新型耐高温材料含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体,新型耐高温材料含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体的结构式见说明书附图1。
网络取书
排火2.权利要求1所述的新型耐高温材料含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体的制备方法,其主要步骤为:
(1)第一步反应:在惰性气体保护下,通过乙酰丙酮与正丙醇锆配位鳌合反应生成二乙酰基二正丙醇锆;
(2)第二步反应:在惰性气体保护下,苯硼酸、乙烯基三甲氧基硅烷与第一步生成的结构单体反应,经过除溶剂后得到最终产物。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:乙酰丙酮与正丙醇锆的摩尔比为2:1;
苯硼酸、正丙醇锆、乙烯基三甲氧基硅烷的摩尔比为(0.8
~1):1:(0.8
~
3),且苯硼酸与乙烯
基三甲氧基硅烷的摩尔比在1
~0.3之间。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:第一步反应中,乙酰丙酮滴加完毕后,
反应温度控制在30
~50℃之间,反应时间为20
~
60min。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:第二步反应中,加入苯硼酸与乙烯基
三甲氧基硅烷后,反应温度控制在50
~80℃之间,反应时间为4-10小时。
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6.权利要求1所述的所述的新型耐高温材料含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体,其特征在于:高纯氩气保护下,1600℃管式炉内保温5h后得到ZrB2-ZrC- ZrO2- SiC复相陶瓷。
权 利 要 求 书1/1页
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CN 109851798 A

本文发布于:2024-09-22 21:24:56,感谢您对本站的认可!

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