基于高电压脉冲执行编程操作以安全地擦除数据的制作方法

1.本公开大体上涉及存储器子系统，且更明确来说，涉及基于高电压脉冲执行编程操作以安全地擦除存储器子系统中的数据。

背景技术：

2.存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可为(例如)非易失性存储器组件及易失性存储器组件。一般来说，主机系统可利用存储器子系统在存储器组件处存储数据及从存储器组件检索数据。
附图说明
3.将从下文给出的详细描述及从本公开的各个实施方案的附图更完全理解本公开。
4.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。
5.图2是根据一些实施例的用于基于高电压脉冲执行编程操作的实例方法的流程图。
6.图3说明根据本公开的一些实施例的高电压脉冲到存储器单元的施加。
7.图4a说明根据本公开的一些实施例的响应于高电压脉冲到块的字线的施加的块的字线。
8.图4b说明根据本公开的一些实施例的响应于高电压脉冲到块的字线的施加之后进行的读取操作的块的存储器单元。
9.图5是根据一些实施例的用于将高电压脉冲施加到存储器组件的每一块中的字线的实例方法的流程图。
10.图6是本公开的实施方案可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
11.本公开的方面涉及基于高电压脉冲执行编程操作以安全地擦除存储器子系统中的数据。存储器子系统可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的混合体。下文结合图1描述存储装置及存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含存储数据的一或多个存储器装置的存储器子系统。主机系统可提供将存储于存储器子系统处的数据且可请求将从存储器子系统检索的数据。存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。针对一些类型的非易失性存储器装置(例如nand装置)，每一平面由一组物理块组成。针对一些存储器装置，块是可被擦除的最小区。每一块由一组页面组成。每一页面由存储数据位的一组存储器单元组成。
12.常规存储器子系统执行擦除操作以移除存储于存储器子系统中包含的存储器装置处的数据。举例来说，为了执行擦除操作，常规存储器子系统可擦除或以其它方式损坏存储于将数据存储于存储器装置中的每一者处的每一块处的数据。然而，对存储器子系统中包含的每个装置的每一块执行此擦除操作可能要利用大量时间。
13.本公开的方面通过基于高电压脉冲执行编程操作以安全地擦除存储器子系统中的数据来解决上述及其它缺点。举例来说，安全擦除操作可经接收以损坏数据或以其它方式使数据无法从存储器子系统存取或恢复。为了执行安全擦除操作，可将高电压脉冲施加到存储来自主机系统的数据的每一块的单个字线。块可包含多个字线，其中每一字线是一系列存储器单元。在读取操作期间，来自块的单个字线的数据可通过将读取电压信号施加到将从其检索数据的字线同时将通过电压信号施加到将不从其检索数据的块的剩余或未经选择的字线来进行检索。通过电压信号的施加可导致未经选择的字线的存储器单元处于导电状态，而被施加到所选择的字线的读取电压信号可基于表示存储于所选择的字线的每一存储器单元处的位值的阈值电压状态导致存储器单元处于导电状态(即，短接状态)或电阻状态(即，断开状态)。举例来说，如果所施加读取电压信号超过存储器单元的阈值电压状态，那么存储器单元可处于短接状态且可被解译为第一值(例如
‘1’
)。否则，如果所施加读取电压信号没有超过存储器单元的阈值电压状态，那么存储器单元可处于断开状态且可被解译为不同或第二值(例如
‘0’
)。
14.如先前描述，编程操作可基于高电压脉冲来安全地擦除数据。高电压脉冲可施加到块的至少一个字线使得块的读取操作可由于字线的每一存储器单元处于断开状态而传回单个值(例如0或多个0位)。举例来说，编程脉冲电压的量值可经设置使得经编程存储器单元在存储器子系统执行块的读取操作时将具有高于用于未经选择的字线的电压的电压。因此，块中的特定字线的每一存储器单元可处于超过读取阈值电压状态或通过电压状态中的任一者(例如，读取阈值电压状态或通过电压状态中的任一者的电压电平)的高电压状态。因此，如果后续读取操作在块处执行，那么字线可影响所选择的字线的读取操作使得读取操作针对希望被读取的字线的每一存储器单元传回相同值(例如
‘0’
)。举例来说，通过电压信号可施加到特定未经选择的字线，且由于特定字线的每一存储器单元由于高电压脉冲而处于高电压电平或状态，因此所传回的值全都可处于
‘0’
值，无论存储于希望被读取的所选择的字线处的实际值为何。
15.本公开的优点包含(但不限于)用于执行存储器子系统的擦除操作的时间及能量的量减小。举例来说，由于高电压脉冲可施加到块的单个字线的每一存储器单元，而非对块的每一字线的每一存储器单元执行擦除或其它此操作，因此安全擦除操作能够在较少时间内完成。因此，存储器子系统的性能能够得到改进，这是因为存储器子系统可用于执行数目增加的其它存储器操作，因为需要较少时间执行安全擦除操作。
16.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算环境100。存储器子系统110可包含媒体，例如存储器组件112a到112n(下文也称为“存储器装置”)。存储器组件112a到112n可为易失性存储器组件、非易失性存储器组件或此类组件的组合。存储器子系统110可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的混合体。存储装置的实例包含固态驱动器(ssd)、快闪阵列、快闪驱动器、通用串行总线(usb)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(emmc)驱动器、通用快闪存储(ufs)驱动器及硬盘驱动器(hdd)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(dimm)、小形dimm(so-dimm)及非易失性双列直插式存储器模块(nvdimm)。
17.计算环境100可包含耦合到存储器系统的主机系统120。存储器系统可包含一或多个存储器子系统110。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。
图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。主机系统120使用存储器子系统110例如将数据写入到存储器子系统110及从存储器子系统110读取数据。如本文中使用，“耦合到”通常是指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，无中介组件)，无论有线还是无线，包含例如电、光学、磁等的连接。
18.主机系统120可为计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、嵌入式计算机(例如包含于运载工具、工业设备或联网商用装置中的嵌入式计算机)或包含存储器及处理装置的此类计算装置。主机系统120可包含或耦合到存储器子系统110，使得主机系统120可从存储器子系统110读取数据或将数据写入到存储器子系统110。主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(sata)接口、外围组件互连高速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、光纤通道、串行附接scsi(sas)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。当存储器子系统110通过pcie接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用nvm express(nvme)接口来存取存储器组件112a到112n。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据及其它信号的接口。
19.存储器组件112a到112n可包含不同类型的非易失性存储器组件及/或易失性存储器组件的任何组合。非易失性存储器组件的实例包含“与非”(nand)型快闪存储器。存储器组件112a到112n中的每一者可包含一或多个存储器单元阵列，例如单电平单元(slc)、多电平单元(mlc)、三电平单元(tlc)或四电平单元(qlc)。在一些实施例中，特定存储器组件可包含存储器单元的slc部分及mlc部分两者。存储器单元中的每一者可存储由主机系统120使用的一或多个数据位。尽管描述了例如nand型快闪存储器的非易失性存储器组件，但存储器组件112a到112n可基于任何其它类型的存储器，例如易失性存储器。在一些实施例中，存储器组件112a到112n可为(但不限于)随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态随机存取存储器(dram)、同步动态随机存取存储器(sdram)、相变存储器(pcm)、磁性随机存取存储器(mram)、“或非”(nor)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)及非易失性存储器单元交叉点阵列。非易失性存储器交叉点阵列可基于体电阻变化结合堆叠式交叉网格数据存取阵列执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器相比，交叉点非易失性存储器可执行原位写入操作，其中可在不事先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。此外，存储器组件112a到112n的存储器单元可经分组为存储器页面或块，其可指代用于存储数据的存储器组件的单元。
20.存储器系统控制器115(下文称为“控制器”)可与存储器组件112a到112n通信以在存储器组件112a到112n处执行例如读取数据、写入数据或擦除数据的操作及其它此类操作。控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路及/或离散组件、缓冲存储器或其组合。控制器115可为微控制器、专用逻辑电路系统(例如现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)等)或其它合适处理器。控制器115可包含经配置以执行存储于本地存储器119中的指令的处理器(处理装置)117。在所说明实例中，控制器115的本地存储器119包含经配置以存储用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流程及例程的指令的嵌入式存储器。在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、经提取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微代码的只读存储器(rom)。虽然已将图1中的实例存储器子系统110说明
为包含控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110可不包含控制器115，而是可代以依赖外部控制(例如，由外部主机提供或由与存储器子系统分离的处理器或控制器提供)。
21.一般来说，控制器115可从主机系统120接收命令或操作且可将命令或操作转换成指令或适当命令以实现对存储器组件112a到112n的期望存取。控制器115可负责其它操作，例如损耗均衡操作、废弃项目收集操作、错误检测及错误校正码(ecc)操作、加密操作、高速缓存操作及与存储器组件112a到112n相关联的逻辑地址(例如逻辑块地址(lba))与物理地址(例如物理块地址)之间的地址转译。控制器115可进一步包含用以经由物理主机接口与主机系统120通信的主机接口电路系统。主机接口电路系统可将从主机系统接收的命令转换成命令指令以存取存储器组件112a到112n，以及将与存储器组件112a到112n相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。
22.存储器子系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓存或缓冲器(例如dram)及地址电路系统(例如行解码器及列解码器)，其可从控制器115接收地址且解码地址以存取存储器组件112a到112n。存储器组件112a到112n中的任一者可包含媒体控制器(例如媒体控制器113a及媒体控制器113n)以管理存储器组件112的存储器单元、与存储器子系统控制器115通信及执行从存储器子系统控制器115接收到的存储器请求(例如读取或写入)。
23.存储器子系统110包含可用于对存储器子系统110执行擦除操作的编程操作组件113。在一些实施例中，控制器115包含损耗均衡组件113的至少一部分。举例来说，控制器115可包含经配置以执行存储于本地存储器119中的用于执行本文中描述的操作的指令的处理器117(处理装置)。在一些实施例中，编程操作组件113是主机系统120、应用程序或操作系统的部分。
24.编程操作组件113可用于响应于接收到执行安全擦除操作的请求而在编程操作期间将高电压脉冲施加到字线。安全擦除操作可对应于损坏存储于一或多个块处的数据或以其它方式使所述数据无法恢复。编程操作组件113可确定当读取操作将被执行时将施加到未经选择的字线的通过电压电平。编程操作组件113可将电压脉冲施加到块中的字线，其中所施加电压脉冲将把所有存储器单元都编程到比用于读取操作中的通过电压电平更高的电压电平。在一些实施例中，编程操作组件113可将电压脉冲施加到将响应于接收到安全擦除操作而被安全地擦除的存储器子系统的每一块的单个字线。因而，编程操作组件113可响应于从主机系统接收到安全擦除操作而安全地破坏存储于存储器子系统处的数据。在一些实施例中，编程操作组件113可对未经选择的字线及/或位线执行编程操作或任何其它类型的编程操作，以将存储器单元处的阈值电压增加到超过高于用于读取操作中的通过电压的目标电压电平以便有效地破坏存储于存储器组件处的数据或使所述数据无法恢复。下文描述关于编程操作组件113的操作的另外细节。
25.在一些实施例中，存储器组件112a到112n可为受管理的存储器装置(例如受管理的nand)，其是与同一存储器装置封装内用于存储器管理的本地控制器130组合的原始存储器装置。本地控制器130可包含编程操作组件113。
26.图2是根据一些实施例的用于基于高电压脉冲执行编程操作的实例方法200的流程图。方法200可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专
用逻辑、可编程逻辑、微代码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，运行或执行于处理装置上的指令)或其组合。在一些实施例中，方法200由图1的编程操作组件113执行。尽管以特定顺序或次序展示，但除非另外指定，否则过程的次序是可修改的。因此，说明的实施例应被理解为仅作为实例，且说明的过程可以不同次序执行，且一些过程可并行执行。另外，在各个实施例中，可省略一或多个过程。因此，并非在每个实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。
27.如图2中展示，在操作210，处理逻辑接收执行安全擦除操作的请求。举例来说，安全擦除操作可指示存储于存储器子系统的一或多个存储器组件处的数据将不再是能够恢复或存取的。在一些实施例中，安全擦除操作可指示存储于存储器子系统处的数据将不会损坏或将以其它方式被有效地擦除。请求可从正利用存储器子系统存储数据的主机系统接收。在操作220，处理逻辑确定施加到存储器组件的未经选择的字线以进行读取操作的电压电平。所述电压电平可为施加到块的未经选择的字线的电压，而一或多个读取阈值电压在包含所述块的存储器组件的读取操作期间施加到所述块的所选择的字线。施加到未经选择的字线的电压电平可称为通过电压电平。在一些实施例中，通过电压电平可处于比读取阈值电压中的任一者更高的电压。在相同或替代实施例中，可由存储器子系统的控制器存取的数据结构可存储通过电压电平的电压信息。
28.在操作230，处理逻辑响应于接收到执行安全擦除操作的请求而将电压脉冲施加到存储器组件的至少一个字线以执行安全擦除操作，其中电压脉冲处于超过在读取操作期间施加到存储器组件的未经选择的字线的电压电平的另一电压电平。安全擦除操作可用于通过在编程操作期间施加电压脉冲破坏存储于存储器子系统处的数据，使得任何后续读取操作无法恢复或检索存储于存储器子系统处的数据。在一些实施例中，电压脉冲可用于将阈值电压电平存储于特定字线的每一存储器单元处，其中存储器单元中的每一者的阈值电压电平超过施加到未经选择的字线以进行读取操作的通过电压电平。因此，增加的电压可施加到字线，其中增加的电压超过用于在读取操作期间不选择字线的先前通过电压。施加到字线的增加的电压可导致字线的每一存储器单元处于超过通过电压电平的电压状态。在一些实施例中，所施加电压脉冲可用于更改未经选择的字线或位线上的电压偏压以便有效地破坏存储于存储器组件处的数据或使所述数据无法存取。
29.图3说明根据本公开的一些实施例的高电压脉冲到存储器单元的施加。高电压脉冲的施加可由图1的编程操作组件113执行。
30.如图3中展示，存储器单元可存储多个阈值电压状态，其中每一状态表示逻辑位值。举例来说，第一电压状态310可表示值
‘
11’，第二电压状态320可表示值
‘
01’，第三电压状态330可表示值
‘
00’，且第四电压状态340可表示值
‘
10’。因而，第一到第四电压状态可表示可经由读取操作成功读取的存储器单元的经编程状态。尽管说明了表示两个位的组合的四种电压状态，但用以表示位的各种组合的任何数目个电压状态可存储于存储器单元处。举例来说，图3的存储器单元可为多电平单元(mlc)、三电平单元(tlc)或四电平单元(qlc)。
31.在操作中，读取阈值电压315的施加可导致具有第一电压状态310的存储器单元导通(即，处于短接状态)而具有其它电压状态320、330及340的存储器单元不导通(即，将处于断开状态)。读取阈值电压325的施加可导致具有第一电压状态310及第二电压状态320的存储器单元导通而具有电压状态330及340的其它存储器单元在读取阈值电压325施加到包含
所述存储器单元的字线时将不导通。类似地，读取阈值电压335及345的施加可致使处于小于所施加读取阈值电压的电压状态下的存储器单元导通而处于高于所施加读取阈值电压的电压状态下的存储器单元将不导通。
32.通过电压状态345可表示施加到未经选择的字线的电压电平。由于通过电压状态345高于可表示存储器单元的位值的电压状态，因此通过电压状态345的施加可导致未经选择的字线的每一存储器单元导通且处于短接状态。在高电压脉冲355已被施加到包含存储器单元的字线之后，高电压状态350可为存储器单元的电压状态。举例来说，高电压状态350可处于超过通过电压状态345的增加的电压电平。高电压脉冲355到字线的施加可导致字线的处于电压状态310、320、330及340下的存储器单元处于高电压状态350。因此，如果通过电压状态345的通过电压施加到具有存储器单元的未经选择字线的存储器单元以便执行另一所选择的字线的读取操作，那么未经选择的字线的每一存储器单元将不导通且将处于短接状态，这是由于高电压状态350高于通过电压状态345。因而，高电压状态350可表示已受到安全擦除操作的高电压脉冲以破坏存储于存储器子系统处的数据的存储器单元。
33.图4a说明根据本公开的一些实施例的响应于高电压脉冲到块的字线的施加的块400的字线。块400可通过将高电压脉冲施加到块400的字线中的一者被损坏到无法恢复的数据状态(即，被安全地擦除)。在一些实施例中，高电压脉冲的施加可由编程操作组件113执行。
34.如展示，块400可包含存储器单元的多个字线。举例来说，块400可包含第一字线410、第二字线420及第三字线430。还展示跨字线410、420及430的每一存储器单元处的阈值电压的分布。举例来说，第一字线410及第二字线420包含具有表示逻辑电平1到3的电压状态的存储器单元，如先前关于图3描述。如先前描述，高电压脉冲可施加到块的字线中的一者。举例来说，高电压脉冲可施加到第三字线430，使得第三字线的每一存储器单元被迫进入高电压状态。在一些实施例中，第三字线430的存储器单元可处于类似于字线410及420的各种电压状态(例如，处于表示不同逻辑电平的电压状态)。在高电压脉冲施加之后，第三字线430的存储器单元可各自改变到高电压状态。
35.图4b说明根据本公开的一些实施例的响应于高电压脉冲到块的字线的施加之后进行的读取操作的块400的存储器单元。在一些实施例中，高电压脉冲可由编程操作组件113施加。
36.如展示，读取操作可经执行以检索存储于跨第二字线420的存储器单元处的值。在读取操作期间，通过电压可施加到第一字线410及第三字线430，而读取阈值电压可施加到第二字线420。由于通过电压施加到第一字线410，因此第一字线410的每一存储器单元可导通且因此处于短接状态，这是由于通过电压超过经编程到第一字线410的存储器单元中的每一者的任何阈值电压。特定读取阈值电压的施加可导致第二字线420的不同存储器单元导通或不导通。举例来说，如果处于逻辑电平1与2之间的电平的读取阈值电压(例如，第二读取阈值电压)被施加，那么具有表示逻辑电平0及1的阈值电压的存储器单元可导通而具有表示逻辑电平2及3的阈值电压的存储器单元将不导通。不导通的存储器单元可被解译为0值，而导通的存储器单元可被解译为对应于由阈值电压表示的逻辑电平的位值。然而，由于第三字线430的存储器单元处于超过施加到第三字线430的通过电压状态的高电压状态，因此第三字线的每一存储器单元将不导通。
37.在操作中，读取操作将针对读取字线420的每一存储器单元传回零值，这是由于第三字线430的存储器单元不导通且处于断开状态。因此，尽管第二字线420的存储器单元表示任何值，但读取操作导致全零值。
38.图5是根据一些实施例的用于将高电压脉冲施加到存储器组件的每一块中的字线的实例方法500的流程图。方法500可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微代码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，运行或执行于处理装置上的指令)或其组合。在一些实施例中，方法500由图1的编程操作组件113执行。尽管以特定顺序或次序展示，但除非另外指定，否则过程的次序是可修改的。因此，说明的实施例应被理解为仅作为实例，且说明的过程可以不同次序执行，且一些过程可并行执行。另外，在各个实施例中，可省略一或多个过程。因此，并非在每个实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。
39.如图5中展示，在操作510，处理逻辑接收对存储器子系统执行安全擦除操作的指示。举例来说，请求可从主机系统接收。请求可指示来自主机系统的存储于存储器子系统处的数据将不再能够存取或恢复。在一些实施例中，指示可识别将被安全地擦除的特定主机数据。举例来说，主机系统可识别将被安全地擦除的某些数据文件或其它此类数据结构。在操作520，处理逻辑确定存储数据的存储器子系统的块。举例来说，存储器子系统的数据结构可包含识别存储来自主机系统的数据的存储器组件的部分或块的信息。在一些实施例中，存储器子系统可识别存储在来自目前用于存储来自主机系统的额外数据的多个其它块的指示中识别的数据的特定块。
40.在操作530，处理逻辑确定在读取操作期间由存储器子系统施加到块的未经选择的字线的电压电平。举例来说，在块的读取操作期间施加到未经选择的字线的通过电压电平可被识别。此外，在操作540，处理逻辑将电压脉冲施加到存储数据的每一块的至少一个字线，其中电压脉冲处于高于在读取操作期间施加到未经选择的字线的另一电压脉冲(即，通过电压)的电压电平的另一电平。因而，施加到字线的电压脉冲将存储器单元置于高于在读取操作施加的电压的电压电平。举例来说，高电压脉冲可经提供到每一块的单个字线使得相应字线的存储器单元处于超过通过电压电平的高电压状态。电压脉冲的施加可为响应于对存储器子系统执行擦除操作的指示。作为实例，如果施加到未经选择的字线的通过电压电平是7v，那么施加到字线的电压脉冲可将字线编程到高于7v的电压。
41.在一些实施例中，存储器子系统的数据结构可存储已向其施加了高电压脉冲的每一块的字线。当后续安全擦除操作将被执行时，存储器子系统可检索数据结构且将高电压脉冲施加到未曾接收到高电压脉冲的不同字线。因此，高电压脉冲可针对每一后续安全擦除操作施加到不同字线。在将被施加高电压脉冲的字线之间切换可实现防止高电压脉冲针对多个连续安全擦除操作被重复地施加到单个字线，这可能使字线的存储器单元降级或受到损坏。
42.在相同或替代实施例中，高电压脉冲可基于存储于块处的数据的特性被施加到所述块的数个字线。举例来说，某些私有数据可存储于块处且安全擦除操作可导致高电压脉冲被施加到包含私有数据的块的两个或更多个字线。否则，如果块存储不被视为秘密的公共数据或其它数据，那么可将高电压脉冲施加到块的单个字线。
43.图6说明计算机系统600的实例机器，在所述计算机系统内可执行用于致使所述机
器执行本文中论述的方法论中的任何一或多者的一组指令。在一些实施例中，计算机系统600可对应于主机系统(例如图1的主机系统120)，其包含、耦合到或利用存储器子系统(例如图1的存储器子系统110)或可用于执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的编程操作组件113的操作)。在替代实施例中，机器可连接(例如，联网)到lan、内联网、外联网及/或因特网中的其它机器。机器可在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的身份操作，在对等(或分布式)网络环境中操作为对等机器，或在云计算基础设施或环境中操作为服务器或客户端机器。
44.机器可为个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、蜂窝电话、网络设备、服务器、网络路由器、交换机或网桥、数字或非数字电路系统或能够执行指定由机器采取的动作的一组指令(循序或其它)的任何机器。此外，虽然说明了单个机器，但术语“机器”还应被视为包含个别或联合执行一组(或多组)指令以执行本文中论述的方法论中的任何一或多者的机器的任何集合。
45.实例计算机系统600包含处理装置602、主存储器604(例如只读存储器(rom)、快闪存储器、动态随机存取存储器(dram)(例如同步dram(sdram)或rambus dram(rdram))等)、静态存储器606(例如快闪存储器、静态随机存取存储器(sram)等)及数据存储系统618，其经由总线630彼此通信。
46.处理装置602表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元或类似物。更特定来说，处理装置可为复杂指令集计算(cisc)微处理器、精简指令集计算(risc)微处理器、超长指令字(vliw)微处理器或实施其它指令集的处理器或实施指令集组合的处理器。处理装置602也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、网络处理器或类似物。处理装置602经配置以执行用于执行本文中论述的操作及步骤的指令626。计算机系统600可进一步包含网络接口装置608以经由网络620通信。
47.数据存储系统618可包含其上存储一或多组指令626或体现本文中描述的方法论或功能中的任何一或多者的软件的机器可读存储媒体624(也称为计算机可读媒体)。指令626还可在其由计算机系统600执行期间完全或至少部分驻存于主存储器604及/或处理装置602内，主存储器604及处理装置602也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体624、数据存储系统618及/或主存储器604可对应于图1的存储器子系统110。
48.在一个实施例中，指令626包含用于实施对应于编程操作组件(例如图1的编程操作组件113)的功能性的指令。虽然在实例实施例中将机器可读存储媒体624展示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被视为包含存储一或多个指令集的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”也应被视为包含能够存储或编码由机器执行的一组指令且致使机器执行本公开的方法论中的任何一或多者的任何媒体。术语“机器可读存储媒体”应相应地被视为包含(但不限于)固态存储器、光学媒体及磁性媒体。
49.已依据对计算机存储器内的数据位的操作的算法及符号表示呈现前述详细描述的一些部分。这些算法描述及表示是由数据处理领域的技术人员用于向所属领域的其它技术人员最有效传达其工作实质的方式。算法在本文通常被设想为导致期望结果的自相一致操作序列。操作是需要物理量的物理操纵的操作。通常但不一定，这些量采用能够被存储、组合、比较及否则操纵的电或磁信号的形式。有时主要由于习惯用法的原因，将这些信号称
为位、值、元素、符号、字符、项、数字或类似物已被证明是方便的。
50.然而，应记住，所有这些及类似术语将与适当物理量相关联且仅为应用于这些量的方便标签。本公开可涉及计算机系统或类似电子计算装置的动作及过程，其将表示为计算机系统的寄存器及存储器内的物理(电子)量的数据操纵或变换成类似地表示为计算机系统存储器或寄存器或其它此类信息存储系统内的物理量的其它数据。
51.本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。此设备可出于预期目的而专门构造，或其可包含由存储于计算机中的计算机程序选择性激活或重新配置的通用计算机。此计算机程序可存储于计算机可读存储媒体中，例如(但不限于)任何类型的磁盘，包含软盘、光盘、cd-rom及磁光盘、只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、eprom、eeprom、磁卡或光卡或适于存储电子指令的任何类型的媒体，每一者耦合到计算机系统总线。
52.本文中呈现的算法及显示器不与任何特定计算机或其它设备内在相关。各种通用系统可结合根据本文中的教示的程序使用，或可证明构造更专门设备来执行方法是方便的。各种这些系统的结构将如下文描述中陈述那样出现。另外，本公开未参考任何特定编程语言描述。应了解，各种编程语言可用于实施本文中描述的本公开的教示。
53.本公开可经提供为计算机程序产品或软件，其可包含其上存储有指令的机器可读媒体，指令可用于编程计算机系统(或其它电子装置)执行根据本公开的过程。机器可读媒体包含用于以可由机器(例如计算机)读取的形式存储信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如计算机可读)媒体包含机器(例如计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。
54.在前述说明中，已参考本公开的特定实例实施例描述其实施例。显而易见，在不背离所附权利要求书中陈述的本公开的实施例的更宽精神及范围的情况下，可对其做出各种修改。因此，说明书及图式应被视作意在说明而非限制。

技术特征：

1.一种方法，其包括：接收对存储器组件执行安全擦除操作的请求；确定在读取操作期间施加到所述存储器组件的未经选择的字线的电压电平；及由处理装置将电压脉冲施加到所述存储器组件的至少一个字线以执行所述安全擦除操作，所述电压脉冲在编程操作中经施加以将所述存储器组件的存储器单元置于超过在所述读取操作期间施加到所述存储器组件的所述未经选择的字线的所述电压电平的另一电压电平下。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个字线的每一存储器单元响应于所述电压脉冲在后续读取操作期间到所述至少一个字线的所述施加而处于断开状态。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述后续读取操作用以检索与所述存储器组件的特定字线相关联的数据，且其中所述后续读取操作的结果对应于相同值，所述相同值是基于所述至少一个字线的每一存储器单元在所述后续读取操作期间处于所述断开状态。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个字线的每一存储器单元处于阈值电压状态，所述阈值电压状态超过响应于所述电压脉冲在所述编程操作期间的所述施加的所述经确定电压电平。5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：确定所述电压脉冲是否已经响应于先前安全擦除操作而被施加到所述存储器组件的特定字线；及响应于确定所述电压脉冲尚未被施加到所述特定字线，选择所述特定字线作为所述电压脉冲将被施加到其的所述至少一个字线。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：确定所述电压脉冲是否已经响应于先前安全擦除操作而被施加到所述存储器组件的特定字线；及响应于确定所述电压脉冲已被施加到所述特定字线，选择不同字线作为所述电压脉冲将被施加到其的所述至少一个字线。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个字线对应于将被安全地擦除的所述存储器组件的每一块中的一或多个字线。8.一种系统，其包括：存储器组件；及处理装置，其与所述存储器组件可操作地耦合以：接收对存储器组件执行安全擦除操作的请求；确定在读取操作期间施加到所述存储器组件的未经选择的字线的电压电平；及将电压脉冲施加到所述存储器组件的至少一个字线以执行所述安全擦除操作，所述电压脉冲在编程操作中经施加以将所述存储器组件的存储器单元置于超过在所述读取操作期间施加到所述存储器组件的所述未经选择的字线的所述电压电平的另一电压电平下。9.根据权利要求8所述的系统，其中所述至少一个字线的每一存储器单元响应于所述电压脉冲在后续读取操作期间到所述至少一个字线的所述施加而处于断开状态。10.根据权利要求9所述的系统，其中所述后续读取操作用以检索与所述存储器组件的特定字线相关联的数据，且其中所述后续读取操作的结果对应于相同值，所述相同值是基
于所述至少一个字线的每一存储器单元在所述后续读取操作期间处于所述断开状态。11.根据权利要求8所述的系统，其中所述至少一个字线的每一存储器单元处于阈值电压状态，所述阈值电压状态超过响应于所述电压脉冲在所述编程操作期间的所述施加的所述经确定电压电平。12.根据权利要求8所述的系统，其中所述处理装置进一步用以：确定所述电压脉冲是否已经响应于先前安全擦除操作而被施加到所述存储器组件的特定字线；及响应于确定所述电压脉冲尚未被施加到所述特定字线，选择所述特定字线作为所述电压脉冲将被施加到其的所述至少一个字线。13.根据权利要求8所述的系统，其中所述至少一个字线对应于将被安全地擦除的所述存储器组件的每一块中的一或多个字线。14.根据权利要求8所述的系统，其中所述处理装置进一步用以：确定所述电压脉冲是否已经响应于先前安全擦除操作而被施加到所述存储器组件的特定字线；及响应于确定所述电压脉冲已被施加到所述特定字线，选择不同字线作为所述电压脉冲将被施加到其的所述至少一个字线。15.一种系统，其包括：存储器组件；及处理装置，其与所述存储器组件可操作地耦合以：接收对存储器子系统执行安全擦除操作的指示；确定所述存储器子系统的存储数据的多个块；确定由所述存储器子系统施加到所述多个块中的块的未经选择的字线以进行读取操作的电压电平；及响应于接收到对所述存储器子系统执行所述安全擦除操作的所述指示，执行编程操作以将电压脉冲施加到存储数据的所述多个块中的每一块的至少一个字线，所述电压脉冲处于高于施加到所述未经选择的字线以进行所述读取操作的所述电压电平的另一电压电平下。16.根据权利要求15所述的系统，其中每一块的所述至少一个字线的每一存储器单元响应于所述电压脉冲在后续读取操作期间到所述至少一个字线的所述施加而处于断开状态。17.根据权利要求16所述的系统，其中所述后续读取操作用以检索存储于所述多个块处的数据，且其中所述后续读取操作的结果对应于相同值，所述相同值是基于所述至少一个字线的每一存储器单元在所述后续读取操作期间处于所述断开状态。18.根据权利要求15所述的系统，其中每一块的所述至少一个字线的每一存储器单元处于阈值电压状态，所述阈值电压状态超过响应于所述电压脉冲的所述施加的所述经确定电压电平。19.根据权利要求15所述的系统，其中所述处理装置进一步用以：确定所述电压脉冲是否已经响应于先前安全擦除操作而被施加到特定块的所述存储器组件的特定字线；及
响应于确定所述电压脉冲已被施加到所述特定字线，选择所述特定块的所述特定字线作为所述电压脉冲将被施加到其的所述特定块的所述至少一个字线。20.根据权利要求15所述的系统，其中所述处理装置进一步用以：确定所述电压脉冲是否已经响应于先前安全擦除操作而被施加到特定块的所述存储器组件的特定字线；及响应于确定所述电压脉冲尚未被施加到所述特定字线，选择所述特定块的所述特定字线作为所述电压脉冲将被施加到其的所述特定块的所述至少一个字线。

技术总结

能够接收对存储器组件执行安全擦除操作的请求。能够确定在读取操作期间施加到所述存储器组件的未经选择的字线的电压电平。能够将电压脉冲施加到所述存储器组件的至少一个字线以执行所述安全擦除操作。所述电压脉冲能够与编程操作相关联以将所述存储器组件的存储器单元置于超过在所述读取操作期间施加到所述存储器组件的所述未经选择的字线的所述电压电平的另一电压电平下。压电平的另一电压电平下。压电平的另一电压电平下。