FLASH测试装置、测试方法及存储介质与流程

flash测试装置、测试方法及存储介质
技术领域
1.本技术涉及存储芯片测试技术领域，特别涉及一种flash测试装置、测试方法及存储介质。

背景技术：

2.电子设备中广泛使用到flash，flash内部由很多块组成，内部存储块的稳定性和安全性，受到了人们越来越多的关注，出flash不稳定的块，标记并在使用的过程中不去访问他，从而避免把数据放在不稳定的存储空间中，从而才能有效保证电子设备数据的正确性和系统的稳定性，保证电子设备使用稳定，寿命更长。
3.目前的flash测试主要针对读写操作，对于flash芯片的工作电压条件测试涉及较少，然而不同工作电压条件下坏块的检测可能会出现偏差，影响最终的flash分级划分。

技术实现要素：

4.本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种flash测试装置、测试方法及存储介质，能够适应不同工作电压下的读写测试与电流测试，丰富测试条件，提高flash分级的划分精度。
5.第一方面，本技术提出一种flash测试装置，包括：
6.测试座，所述测试座用于安装flash芯片；
7.电压调节模块，所述电压调节模块与所述测试座电连接，用于向所述flash芯片输入不同的测试电压；
8.电流采集模块，所述电流采集模块与所述测试座电连接，用于采集所述flash芯片的测试电流和待机电流；
9.读写控制模块，所述读写控制模块与所述测试座电连接，用于向所述flash芯片写入存储数据或者将所述存储数据读出；
10.总控模块，所述总控模块与所述电压调节模块、电流采集模块、读写控制模块电连接，所述总控模块用于：
11.控制所述电压调节模块向所述flash芯片输入不同的测试电压；
12.在不同的测试电压下获取所述电流检测模块检测的测试电流和待机电流；
13.在不同的测试电压下，根据读写控制模块的写入存储数据和将所述存储数据的比较值，生成所述flash芯片的第一坏块信息；
14.根据所述第一坏块信息和对应的测试电流和待机电流，用于对所述flash芯片进行质量分级。
15.根据本技术实施例的flash测试装置，至少具有如下有益效果：通过设置电压调节模块对flash的测试电压进行逐级调节，使得flash芯片在进行测试时能够在多种电压范围下进行，通过设置电流采集模块，可以采集到不同测试电压条件下的测试电流和待机电流，丰富了测试数据，同时通过读写控制模块向flash芯片写入数据或者读出数据，通过总控模
块来控制电压电压调节模块、电流采集模块、读写控制模块等模块的工作，并通过总控模块对读写控制模块写入的数据和读出的数据进行比较，对flash芯片中写入数据和读出数据不一致的块进行标记，生成flash芯片的坏块信息，进而通过电压逐级调整和电流检测丰富测试数据，同时通过读写比较出flash芯片的坏块，由于测试电压点较多，测试次数和条件丰富，降低了因为测点电压点小而导致特定电压条件下的坏块无法暴露的概率。
16.根据本技术的一些实施例，还包括高温柜，所述flash脱机老化测试装置在进行测试时放入所述高温柜中，所述高温柜用于向所述flash芯片提供高温测试环境。
17.根据本技术的一些实施例，所述电压调节模块包括数字电位器、降压模块，所述flash测试装置还包括电源模块，所述电源模块用于为所述总控模块供电，所述总控模块还与所述数字电位器电连接，所述数字电位器的输出端与所述降压模块的输入端电连接，所述降压模块的输出端与所述测试座的供电引脚电连接。
18.根据本技术的一些实施例，所述电流采集模块包括两个高精度的电流采样芯片，两个所述电流采样芯片分别通过所述测试座与所述flash芯片的待机电流接口以及测试电流接口电连接。
19.根据本技术的一些实施例，还包括显示模块，所述显示模块包括多个数码管，多个所述数码管与所述总控模块电连接，所述总控模块还用于控制所述数码管显示所述测试电流数值和所述待机电流数值，所述总控模块还用于根据所述flash芯片的坏块信息对所述flash芯片进行分级并将分级结果显示到数码管上。
20.第二方面，本技术提出一种flash测试方法，应用于所述flash测试装置，所述flash测试装置包括：
21.测试座，所述测试座用于安装flash芯片；
22.电压调节模块，所述电压调节模块与所述测试座电连接，用于向所述flash芯片输入不同的测试电压；
23.电流采集模块，所述电流采集模块与所述测试座电连接，用于采集所述flash芯片的测试电流和待机电流；
24.读写控制模块，所述读写控制模块与所述测试座电连接，用于向所述flash芯片写入存储数据或者将所述存储数据读出；
25.所述flash测试方法包括：
26.以预设的时间间隔为测试周期，在每一测试周期内通过所述电压调节模块向所述flash芯片的供电接口提供驱动电压进行测试；所述驱动电压根据测试的次数依次递增；
27.在每一所述测试周期内，通过所述读写控制模块对所述flash芯片进行数据读写，并通过所述电流采集模块对所述flash芯片的待机电流和测试电流进行采集；
28.当所述总控模块判断写入数据与读出数据不一致，则通过所述总控模块生成对应的坏块信息；所述坏块信息包括坏块在所述flash芯片的位置信息和数量信息；
29.根据所述坏块信息、待机电流和测试电流对所述flash芯片进行分级，生成flash分级信息；
30.将所述flash分级信息输出。
31.根据本技术的一些实施例，所述通过所述读写控制模块对所述flash芯片进行数据读写，包括：
32.向所述读写控制模块写入一段数据；所述一段数据为待参考的源文件；
33.根据所述flash芯片内部的块的排列顺序依次对每一个块内的每一页进行测试文件写入和读取，所述测试文件源自于所述待参考的源文件；
34.根据本技术的一些实施例，当所述flash芯片的容量大于预设的容量阈值，所述通过所述读写控制模块对所述flash芯片进行数据读写，包括：
35.向所述读写控制模块写入一段数据；所述一段数据为待参考的源文件；
36.根据所述flash芯片内部的块的排列顺序依次对每一个块内进行测试文件写入和读取，所述测试文件源自于所述待参考的源文件。
37.根据本技术的一些实施例，所述当所述总控模块判断写入数据与读出数据不一致，则通过所述总控模块生成对应的坏块信息之后，所述flash测试方法还包括：
38.将最后一次测试周期内的所述坏块信息存储作为最终的坏块信息存储在所述flash芯片的第一个块内。
39.第三方面，本技术提出一种计算机可读存储介质，其包括有第二方面任意一项实施例所述的flash测试方法。
40.本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
41.本技术的附加方面和优点结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
42.图1为本技术一些实施例的flash测试装置的各模块连接示意图；
43.图2为本技术一些实施例的flash测试方法的流程示意图；
44.图3为本技术一些实施例的flash坏块检测流程示意图。
45.附图标号如下：
46.flash测试装置100；测试座110；电压调节模块120；电流采集模块130；读写控制模块140；总控模块150；显示模块160；usb接口模块170；电源模块180。
具体实施方式
47.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
48.在本技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
49.在本技术的描述中，如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
50.本技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所
属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。
51.参照图1，第一方面，本技术提出了一种flash测试装置，包括：测试座、电压调节模块、电流采集模块、读写控制模块、总控模块，测试座用于安装flash芯片，可以理解的是，测试座可以是安装到测试架上，同时测试座可以是顶针结构，电压调节模块与测试座电连接，电压调节模块用于逐级调节输入到flash芯片的测试电压；电流采集模块与测试座电连接，电流采集模块用于采集flash芯片根据逐级调节的测试电压生成的测试电流和待机电流；读写控制模块与测试座电连接，读写控制模块用于向flash芯片写入存储数据或者将存储数据读出；总控模块与电压调节模块、电流采集模块、读写控制模块电连接，总控模块用于控制电压调节模块进行电压调整、控制电流检测模块进行电流检测以及控制读写控制模块进行数据写入和数据读出，并对写入的数据和读出的数据进行比较，生成flash芯片的坏块信息。
52.因此，通过设置电压调节模块对flash的测试电压进行逐级调节，使得flash芯片在进行测试时能够在多种电压范围下进行，通过设置电流采集模块，可以采集到不同测试电压条件下的测试电流和待机电流，丰富了测试数据，同时通过读写控制模块向flash芯片写入数据或者读出数据，通过总控模块来控制电压电压调节模块、电流采集模块、读写控制模块等模块的工作，并通过总控模块对读写控制模块写入的数据和读出的数据进行比较，对flash芯片中写入数据和读出数据不一致的块进行标记，生成flash芯片的坏块信息，进而通过电压逐级调整和电流检测丰富测试数据，同时通过读写比较出flash芯片的坏块，由于测试电压点较多，测试次数和条件丰富，降低了因为测点电压点小而导致特定电压条件下的坏块无法暴露的概率。
53.可以理解的是，flash测试装置还包括高温柜，高温柜用于向flash芯片提供高温测试环境，在进行flash测试时，测试座、电压调节模块、电流采集模块、读写控制模块和总控模块所组成的flash测试装置放置在高温柜中，从而进行高温环境下的电压电流测试以及读写测试。在一些实施例中，高温柜内设有电源接口，
54.可以理解的是，电压调节模块包括数字电位器、降压模块，flash测试装置还包括电源模块，所述电源模块用于为总控模块供电，总控模块还与数字电位器电连接，数字电位器的输出端降压模块的输入端电连接，降压模块的输出端与测试座的供电引脚电连接。数字电位器相当于一个可变电阻，通过总控模块控制数字电位器即可调节输入到降压模块的电压，从而通过降压电路间接调节输入到flash芯片的供电电压。
55.可以理解的是，电流采集模块包括两个高精度的电流采样芯片，两个电流采样芯片分别通过测试座与flash芯片的待机电流接口以及测试电流接口电连接。在一些实施例中，电流采样芯片采用ina219，检测精度可以达到10ua，检测精确，可以很好的对比出flash芯片在不同电压和温度下的性能，从而实现测试目的。
56.可以理解的是，flash测试装置还包括显示模块，显示模块包括多个数码管，多个数码管与总控模块电连接，总控模块还用于控制数码管显示测试电流数值和待机电流数值，总控模块还用于根据flash芯片的坏块信息对flash芯片进行分级并将分级结果显示到数码管上。
57.第二方面，本技术提出一种flash测试方法，其应用于第一方面的flash测试装置，
flash测试装置包括：测试座、电压调节模块、电流采集模块和读写控制模块，测试座用于安装flash芯片；电压调节模块与测试座电连接，用于向flash芯片输入不同的测试电压；电流采集模块与测试座电连接，用于采集flash芯片的测试电流和待机电流；读写控制模块与测试座电连接，用于向flash芯片写入存储数据或者将所述存储数据读出；
58.flash测试方法包括但不限于如下步骤：
59.步骤s100，在多个预设的时间间隔内，分别通过所述电压调节模块向所述flash芯片的供电接口提供驱动电压；所述时间间隔为进行flash测试时的测试周期，所述驱动电压根据所述flash测试的测试次数依次递增；
60.在一些实施例中，flash测试装置将进行多次完整的测试流程，每次流程结束后将改变flash测试芯片的供电电压，以本技术为例，flash测试装置的初始供电电压设为2.7v，之后每次测试完成后以0.3v的电压增幅提高供电电压，最终形成2.7v、3.0v，3.3v，3.6v等一系列测试电压节点，每一个测试电压节点都会进行一次完整的flash测试。
61.步骤s200，通过所述读写控制模块对所述flash芯片进行数据读写，同时通过所述电流采集模块对所述flash芯片的待机电流和测试电流进行采集；
62.步骤s300，通过所述总控模块对写入的数据和读出的数据进行比对，若写入数据与读出数据不一致，则对所述数据所在的块区域进行标记并生成坏块信息；所述坏块信息包括坏块在所述flash芯片的位置信息和数量信息；
63.步骤s400，根据所述坏块数据对所述flash芯片进行分级，生成分级信息；
64.在一些实施例中，当检测的坏块占flash总块数的10％时，这说明该flash存储具有很大风险性，会将该flash标记，当不良品处理。本领域技术人员可以根据flash产品的品控要求合理调整坏块占flash总块数的比例要求，以实现不同的分级需要。
65.步骤s500，将所述分级信息、测试电流、待机电流输出。
66.因此，通过逐级调节flash供电电压的方式，且每一级供电电压都将对应一次完整的flash测试流程，每一次完整的测试流程都包括对应电压下的测试电流和待机电流检测，以及比较写入数据和读出数据的坏块检测，从而生成坏块信息，检测的时间更长，数据更多，更能反应flash在长时间和不同工作电压下的稳定性，使得flash的测试更加可靠和稳定。
67.可以理解的是，通过读写控制模块对所述flash芯片进行数据读写包括但不限于如下步骤：
68.步骤s210，向所述读写控制模块写入一段数据；所述一段数据为待参考的源文件；
69.可以理解的是，向读写控制模块写数据可以通过设置与读写控制模块通信连接的usb接口模块来实现，通过上位机如电脑等通过usb接口模块向读写控制模块传输数据，从而实现向读写控制模块写入一段数据的功能。
70.步骤s220，根据所述flash芯片内部的块的排列顺序依次对每一个块内的每一页进行测试文件写入，所述测试文件源自于所述待参考的源文件；
71.步骤s230，将写入每一块内的每一页的测试文件读出。
72.需要说明的是，flash的内部存储按page和block进行，每一个page为512byte，一个block由32个page组成，不同容量大小的flash，由相对应数量的block组成，block就是块的意思，page是页的意思，再进行flash芯片的数据读写时，会在读写控制模块中预先写入
一段数据，作为操作的模板，对flash进行读写操作识别其中的存储坏块。flash测试装置上电后，在执行flash功能测试时，控制器模块5开始对flash内部的存储空间进行扫描。控制器模块5操作采用小文件的方式，通常是1kb大小的数据文件，按照厂家出厂标记好的块数量，从第一个block开始进行检测，往block内部的每一页(page)写入数据，并读出数据，与第一次写入的数据进行对比，如果完全一致，则该页是正常的。
73.在一个具体的实施例中，控制器模块5对flash的第一个block的第一个page进行操作，从控制器模块5中事先存放的数据，选取一段，按照0xff的数据格式，对第一个page里面的存储空间全部写入1，即都是高电平；依次操作，对block里面的32个page写入该数据；在执行写数据操作后，控制器模块5紧接着会对block里面的数据进行读操作，控制模块5按照行和列地址的方式，选中block里面的对应page，读取其中的数据，并与事先写入的数据进行一一比对，如果有某一个bit发生改变，此时控制器会把数据有问题的page信息，标记在block的第一个page的spare area的第6个byte位中，显示为非0xff的数值，控制器检测到该位置的数据后，将整个block的标记为坏块(bad block)，并将该block的数据转移到其它好的。在控制器对block的存储空间有数据操作时，操作结束后，会对整个block进行擦除，将写入的数据格式化掉，保证block内部的空间无数据。通过对一个page的写和读数据操作，将flash中所有的存储块进行检测，
74.可以理解的是，步骤s300之后还包括但不限于如下步骤：
75.步骤s310，将所述坏块信息存储在所述flash芯片的第一个块内。
76.在一些实施例中，通过对一个page的写和读数据操作，将flash中所有的存储块进行检测，并根据检测结果，把不好的块信息存放到flash的第一个block中，建立block坏信息表(bbt)，将flash内部的好坏块进行管理；用户在后续的使用中，首先对flash的坏块链表进行检测，确定哪些块有问题，从而避免再往其中写入数据，保证存储的稳定性。
77.可以理解的是，在坏块检测的过程中，特别对大容量的flash，对page一个接一个的数据读写操作，所需要的时间会非常的长，增加测试压力。在每次的测试系统中，我们也采用大文件的操作方式，直接对一个块进行写读，然后整体比较一个块的数据，如果读的数据与预先写的数据不一致，将整个块标记为坏块。采用大文件的操作，对整个块进行扫描检测，快速方便，能较快的缩短测试时间。
78.综上所述，本技术提供一个较为示例性地flash坏块检测流程，包括但不限于如下步骤：
79.步骤s110，向读写控制模块写入一段数据，作为参考的源文件；
80.步骤s111，寻址flash的块，选择其中的某一个块进行操作；
81.步骤s112，读写控制模块通过对选择的块进行行地址和列地址的寻址的寻址，选择块内的页进行操作，向页写入数据；
82.步骤s114，对相应的页进行写入操作后进行读数据操作，并与源文件数据进行对比；
83.步骤s115，根据对比结果，将有错误的页对应的块进行标记,并重复步骤s111至步骤s114,直到将flash内部的所有块所对应的页都检测完成；
84.步骤s116，将检测结果存放到第一个块中，建立坏块信息管理表。
85.可以理解的是，flash测试装置包括显示模块，显示模块包括多个数码管，将分级
信息、测试电流、待机电流输出，包括但不限于如下步骤：
86.步骤s510，通过多个数码管将分级信息、测试电流、待机电流显示出来。
87.可以理解的是，测试装置还包括高温柜，flash测试方法还包括：
88.将flash测试装置放入高温柜中；
89.在预设的高温测试时间，对flash芯片进行电流检测和读写测试。
90.可以理解的是，预设的高温测试时间可以是步骤s100所提到的多个预设的时间间隔之和，只有当完成所有测试电压节点下的测试流程，达到预设的高温测试时间才能结束测试，这时即可将高温柜打开，并从中取出flash测试装置和flash芯片。通过设置高温测试方案，使得flash芯片在常温下无法暴露的坏块在高温环境下暴露出来，进一步提高flash测试的准确性。
91.综上所述，本技术结合flash测试装置和flash测试方法对flash测试流程进行示例性说明：
92.对flash进行脱机老化测试时，先打开flash测试装置中的安装座，将待测的flash芯片放入到安装座中，核对尺寸无误后，闭合安装座；再对读写控制模块进行烧写固件，用单独的一个测试板进行此步骤操作，把usb接口模块4连接到电脑，通过上位机操作，烧录带有测试算法的固件。同时把cpu的固件通过烧录线，下载到总控模块中，烧录固件完成后，将测试的flash以及整个测试装置放入到高温老化柜中进行老化测试。电源模块1接入到老化柜的电源接口端，连接电源，给flash测试装置供电。测试装置上电后，总控模块的程序进行自动启动，按照程序设定的步骤，首先对flash的io口电压进行调节，分别将flash的vcc电压由2.7v，3.0v，3.3v，3.6v进行逐级调节。每调节一次，启动对flash的测试。如总控模块通过对数字电位器的pwm波调节，从而将与数字电位器电连接的降压电路的电压设置成2.7v；电压设定完成后，总控模块通过串口通信的方式，给读写控制模块发送指令，读写控制模块接收到总控模块的命令后，启动内部事先烧录好的测试算法，对flash芯片进行测试，通过大文件块操作，以及小文件系统page操作，对flash内部的存储空间进行写数据，并读数据，比对两者数据是否一致，如果不同，则标记坏块信息。通过这种每个空间的扫描，最后将所有的坏块信息，记录到读写模块5中，控制器模块5在内部分配一段空间，存放这些坏块信息表。整个扫描的过程中在高温环境下进行，测试时间较长，会持续4-8小时，整个过程称之为老化测试。在控制器模块5对flash芯片进行坏块扫描的过程中，控制器模块5会给总控模块2发送一个指令，指示总控模块2可以进行电流检测了。此时总控模块2启动对flash的电流检测，给电流检测模块7中的两路检测芯片发送命令，通信模式采用i2c的协议进行，电流检测芯片ina219接收指令，对flash老化测试过程中的电流数据进行采样和计算，将采样到的数据发送到总控模块2中，总控模块对电流检测模块7中采集到的数据进行统计处理，最后根据程序设定，计算出一个平均值，此时总控模块将电流值通过显示模块3中数码管进行显示。显示模块3采用余辉的方式，将动态的数字稳定显示在数码管中。在flash进行老化测试中，测试装置通过一个指示灯进行闪烁，表明测试正在进行。老化测试完成后，控制器模块5根据对flash芯片内部存储空间的检测，按照坏块的比例多少，进行分bin显示。老化检测完成后，控制器模块5获得一个坏块信息表，并将测试结果发送给总控模块2，总控模块2根据接收到数据，控制显示模块3对测试结果进行显示，并一直保持这个显示状态，直到人工取下物料，进行下一轮的上电测试，显示状态恢复初始情况。当老化测试完成后，人工打开高
温柜，将测试装置拿到常温环境中，打开flash测试模块8中的测试架，将flash芯片取出，按照显示的分bin等级进行区分。
93.第三方面，本技术提出一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令被一个或多个处理器执行，可使得上述一个或多个总控模块执行上述方法实施例中的flash测试方法。
94.以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
95.通过以上的实施方式的描述，本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读信号、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于ram、rom、eeprom、闪存或其他存储器技术、cd-rom、数字多功能盘(dvd)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读信号、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
96.上面结合附图对本技术实施例作了详细说明，但是本技术不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本技术宗旨的前提下，作出各种变化。

技术特征：

1.一种flash测试装置，其特征在于，包括：测试座，所述测试座用于安装flash芯片；电压调节模块，所述电压调节模块与所述测试座电连接，用于向所述flash芯片输入不同的测试电压；电流采集模块，所述电流采集模块与所述测试座电连接，用于采集所述flash芯片的测试电流和待机电流；读写控制模块，所述读写控制模块与所述测试座电连接，用于向所述flash芯片写入存储数据或者将所述存储数据读出；总控模块，所述总控模块与所述电压调节模块、电流采集模块、读写控制模块电连接，所述总控模块用于：控制所述电压调节模块向所述flash芯片输入不同的测试电压；在不同的测试电压下获取所述电流检测模块检测的测试电流和待机电流；在不同的测试电压下，根据读写控制模块的写入存储数据和将所述存储数据的比较值，生成所述flash芯片的第一坏块信息；根据所述第一坏块信息和对应的测试电流和待机电流，用于对所述flash芯片进行质量分级。2.根据权利要求1所述的flash测试装置，其特征在于，还包括高温柜，所述flash测试装置在进行测试时放入所述高温柜中，所述高温柜用于向所述flash芯片提供高温测试环境。3.根据权利要求1所述的flash测试装置，其特征在于，所述电压调节模块包括数字电位器、降压模块，所述flash测试装置还包括电源模块，所述电源模块用于为所述总控模块供电，所述总控模块还与所述数字电位器电连接，所述数字电位器的输出端与所述降压模块的输入端电连接，所述降压模块的输出端与所述测试座的供电引脚电连接。4.根据权利要求1所述的flash测试装置，其特征在于，所述电流采集模块包括两个高精度的电流采样芯片，两个所述电流采样芯片分别通过所述测试座与所述flash芯片的待机电流接口以及测试电流接口电连接。5.根据权利要求1所述的flash测试装置，其特征在于，还包括显示模块，所述显示模块包括多个数码管，多个所述数码管与所述总控模块电连接，所述总控模块还用于控制所述数码管显示所述测试电流数值和所述待机电流数值，所述总控模块还用于根据所述flash芯片的坏块信息对所述flash芯片进行分级并将分级结果显示到数码管上。6.一种flash测试方法，其特征在于，应用于所述flash测试装置，所述flash测试装置包括：测试座，所述测试座用于安装flash芯片；电压调节模块，所述电压调节模块与所述测试座电连接，用于向所述flash芯片输入不同的测试电压；电流采集模块，所述电流采集模块与所述测试座电连接，用于采集所述flash芯片的测试电流和待机电流；读写控制模块，所述读写控制模块与所述测试座电连接，用于向所述flash芯片写入存储数据或者将所述存储数据读出；
所述flash测试方法包括：以预设的时间间隔为测试周期，在每一测试周期内通过所述电压调节模块向所述flash芯片的供电接口提供驱动电压进行测试；所述驱动电压根据测试的次数依次递增；在每一所述测试周期内，通过所述读写控制模块对所述flash芯片进行数据读写，并通过所述电流采集模块对所述flash芯片的待机电流和测试电流进行采集；当所述总控模块判断写入数据与读出数据不一致，则通过所述总控模块生成对应的坏块信息；所述坏块信息包括坏块在所述flash芯片的位置信息和数量信息；根据所述坏块信息、待机电流和测试电流对所述flash芯片进行分级，生成flash分级信息；将所述flash分级信息输出。7.根据权利要求6所述的flash测试方法，其特征在于，所述通过所述读写控制模块对所述flash芯片进行数据读写，包括：向所述读写控制模块写入一段数据；所述一段数据为待参考的源文件；根据所述flash芯片内部的块的排列顺序依次对每一个块内的每一页进行测试文件写入和读取，所述测试文件源自于所述待参考的源文件。8.根据权利要求6所述的flash测试方法，其特征在于，当所述flash芯片的容量大于预设的容量阈值，所述通过所述读写控制模块对所述flash芯片进行数据读写，包括：向所述读写控制模块写入一段数据；所述一段数据为待参考的源文件；根据所述flash芯片内部的块的排列顺序依次对每一个块内进行测试文件写入和读取，所述测试文件源自于所述待参考的源文件。9.根据权利要求6所述的flash测试方法，其特征在于，所述当所述总控模块判断写入数据与读出数据不一致，则通过所述总控模块生成对应的坏块信息之后，所述flash测试方法还包括：将最后一次测试周期内的所述坏块信息存储作为最终的坏块信息存储在所述flash芯片的第一个块内。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行信号，所述计算机可执行信号用于执行如权利要求6至9任一项所述的flash测试方法。

技术总结

本申请公开了一种FLASH测试装置、方法及存储介质，涉及存储芯片测试技术领域，包括：测试座、电压调节模块、电流采集模块、读写控制模块、总控模块，测试座用于安装FLASH芯片，电压调节模块与测试座电连接，用于逐级调节输入到FLASH芯片的测试电压，电流采集模块与测试座电连接，用于采集FLASH芯片根据逐级调节的测试电压生成的测试电流和待机电流，读写控制模块与测试座电连接，用于向FLASH芯片写入存储数据或者将存储数据读出，总控模块用于对写入的数据和读出的数据进行比较，对FLASH芯片中写入数据和读出数据不一致的块进行标记，生成所述FLASH芯片的坏块信息。本申请能够适应不同工作电压下的读写测试与电流测试，丰富测试条件。条件。条件。