外延
术语
1、外延生长（Epitaxy绞车房）
2、量子阱（Quantum Well）
3、能带工程（Energyband engineering）
4、半导体发光二极管（Light Emitting Diode）
5、PN结的击穿（PN junction Striking）
6、金属有机化学汽相沉淀积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）
7屏蔽玻璃、异质结构（Heterogeneous Structure） 8、量子阱半导体激光器（Quantum Well Laser）
9、超晶格（Super Lattice）
Epitaxy：外延制程（垒晶）
GaP：磷化镓
n-GaN：N型氮化镓
p-GaN：P型氮化镓
GaAs：砷化镓
GaN：氮化镓
AlInGaP：磷化铝镓铟（铝铟镓磷）
AlGaAs：砷化铝镓（铝镓砷）
InGaN 铟镓氮
AlGaN 铝镓氮
Wafer：晶片、外延片
分析仪器
1、XRD：X射线衍射仪，主peak GaN分析仪器
2、PL：荧光光谱仪（或光致发光光谱仪），Peak强度越强，FWHM越窄，表示有较佳的QW苯甲酸乙酯的制备。
3、Hall：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及Sheet Resistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping），若是量测的迁移率mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。 4、SEM（Scanning Electron Microscopy）：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。
吸收二氧化硫5、Microscope：显微镜
6、Differential Microscopy（Nikon-OPTI PHOT）：晶相（金相）显微镜，用以观测磊芯片表面的型态（morphology）。gpu虚拟化
7、EDS：能量分散光谱仪，EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。
8、MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)：金属有机化学汽相沉淀积
9、TEM：透射电子显微镜，测量截面的微细构造，可测量量子井阱、缓冲层以及超晶格的微细构造厚度及接口（界面）状况。
10、SIMS：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量P-GaN以及N-GaN的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。
芯片（Chip）
1、LEDsip网关（Light Emitting Diode）：发光二极管
2、reverse mounting type 薄芯片LED：反向粘着型薄芯片LED（倒装芯片）
3、GaN LED：氮化镓发光二极管
4、UV LED：紫外线二极管（紫外发光二极管）
5、Chip Processing：芯片制程
6、Photolithography：光刻，将图形从光罩（掩膜版）上成象到光阻上的过程。
7、Photoresist：光刻胶（光阻），是一种感光的物质，经紫外光曝光后会变得很硬而不溶解于腐蚀剂。其作用是将Pattern从光刻版（掩膜版）(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。（第13条与此条合并）
8、Etching：蚀刻
9、Wet Etching：湿式（法）蚀刻，将芯片浸没于化学溶液中，将进行光刻制程前所沈沉积的薄膜，把没有被光阻覆盖及保护的部分，利用化学溶液与芯片表面产生氧化还原作用的化学反应的方式加以去除，以完成转移光罩图案（掩膜版图形）到薄膜上面的目的。
10、Dry Etching：干式（法）蚀刻，干式蚀刻主要是利用低压放电，将气体电离成电浆，使气体透过电场解离，产生具有反应及方向性的离子。接着，将晶圆（晶片）置于带有负电的阴极，使带有正电的离子因物理作用而以垂直角度撞击晶圆（晶片）表面，就可得到垂直蚀刻。
11、Evaporation：蒸镀，利用电子所射出的电子束轰击待镀材料，将高能电子射束的动能转化为熔化待镀材料的热能，使其局部熔化。
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