芯片车间二次配工程的质量、安全、进度直接影响到工艺设备的调试、芯片车间的投产以及其产能的提高效率。因此，有效实施芯片车间工艺设备二次配工程对于客户至关重要，而对于专业承包商来说，更需潜心研究、策划，使得二次配工程快速、有效完成。 由于芯片车间的工艺设备大部分为进口，且需求条件复杂，给二次配工程造成困难。下面就某芯片厂二次配工程中遇到的一些问题以及解决方案进行探讨，以供类似工厂二次配参考借鉴。 1 熟悉芯片生产工艺流程
对于芯片车间工艺设备二次配而言，专业承包商首先应该熟悉掌握的是工艺生产流程，这对于工艺设备二次配而言，起着至关重要的作用。生产工艺流程决定了车间的平面布局以及工艺设备空间位置，有利于提前对二次配管线进行规划和管理，提高二次配的工作效率。
芯片生产工艺流程大致分为11个步骤，即：（如图1）
1.1 硅片的来源
硅片一般是由晶棒进行切割而来，根据要求切割成硅片薄片。
1.2 清洗
芯片在加工前需进行清洗，清洗设备通常为栅氧化清洗机 和氧化扩散清洗机。
1.3 氧化
氧化过程就是把清洗干净并通过离心甩干的硅片板送入高温炉管内进行退火处理，炉管内温度800-1500 ℃。
1.4 淀积
淀积系统就是在硅片表面形成具有良好的台阶覆盖能力、良好的接触及均匀的高质量金属薄膜的设备系统。
1.5 光刻
光刻就是在硅片上涂上对紫外光敏感的化学物质，当遇紫外光时则变软。通过控制遮光物的位置得到芯片的外形。即在硅晶片涂上光致蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解，在光刻机的曝光作用下，紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。
1.6 刻蚀
刻蚀就是以化学蚀刻的方法或用干法氧化法，去除氮化硅和去掉经上几道工序加工后在硅片表面因加工应力而产生的一层损伤层的过程。
1.7 二次清洗
二次清洗就是将加工完成的硅片需要再次经过强酸碱清洗、甩干，去除硅片板上的光刻胶。
1.8 离子注入
离子注入就是将刻蚀后的芯片放入大束、中束流注入机将硼离子 （B+3） 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱；去除氮化硅层，掺杂磷 （P+5） 离子，形成 N 型阱。
1.9 快速退火
快速退火就是从离子注入机中取出硅片放入快速退火炉中进行退火处理，去除 SiO2 层。与离子注入工艺根据需要反复循环进行。
1.10 蒸镀
薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。分真空蒸发法和溅镀法。
1.11 检测
检测就是进行最终全面的检验以保证产品最终达到规定的尺寸、形状、表面光洁度、平整度等技术指标。最后将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。
1.12 包装
将成品用柔性材料，分隔、包裹、装箱，准备发往订货客户。
通过对芯片生产工艺的熟悉和掌握，使我们对工艺的理解更加深刻，从而使我们对工艺设备的特殊要求也有了深入的理解。但是，对于有效实施二次配工程尚需对工艺设备的需求条件清楚且深刻理解和掌握，对于工艺设备的接入条件以及界面接口形式熟悉和掌握，这样，才能在保证工程质量和安全的条件下，高效、快速的完成二次配工程。
下面我们就以上工艺设备的工艺需求条件进行仔细分析，对于接入接口形式进行图解，以利于同类二次配工程的有效实施。
2 掌握芯片生产工艺设备的需求条件以及二次配详解
对于工艺设备需求条件的理解和掌握，对于有效实施二次配工程起着非常重要的作用，不但可以为材料的供给提供帮助，而且对于施工方案的优化以及施工进度的提高有着促进作用。
2.1 芯片清洗设备的需求条件以及二次配详解
动力需求内容以及管线材质要求：
DI—PVDF/PPH/PFA（去离子水）
PCW—SUS304AP（冷却循环水）
CDA—SUS304BA（压缩空气）
GN2—SUS316BA（洁净氮气）
WS—SCH-80 UPVC
特气—SUS316EP
化学品—CLPVC/PFA双层
AES/ALE—SCH-80 UPVC
电源—3P/380V/152A/5线
此设备连接的管线比较多，且连接接口多样，因此注意以下两点：
1） 管道与设备之间的转换街头应及时进行订货，否则会影响二次配管工程的进度。
2） 由于其管线繁多，空间管理非常重要，因此提前必须进行空间布局的优化设计。 变压器骨架
2.2 氧化退火设备的需求条件以及二次配详解
动力需求内容以及管线材质要求：
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
GO2—SUS316BA H2—SUS316BA
特气—SUS316EP
HES—SUS304AP
电源—3P/380V/295A/5线
此设备连接特气管线比较多，且接口形式多样，因此注意以下两点：
1） 各种接头应及时备货，以便快速进行二次配管。
2） 由于其管线繁多，空间管理非常重要，因此提前必须进行空间布局的优化设计。
2.3 淀积设备的需求条件以及二次配详解
动力需求内容以及管线材质要求：
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
GO2—SUS316BA
H2—SUS316BA
GV—SUS304BA
GF—SUS304BA
特气—SUS316EP
HES—SUS304AP
F1—SCH-80UPVC
电源—3P/380V/295A/5线
淀积系统工艺设备二次配特殊配件包括：ISO法兰组件、ISO法兰密封圈、ISO法兰、ISO接口波纹软接、KF卡箍。
此设备内部连接管路复杂，且特殊配件多，因此注意以下两点：
1） 内部配管的方案应提前进行策划，且空间管理应考虑可拆卸性以及安全性。
2） 特殊配件需提前制定采购方案，确保二次配工程的顺利进行。
2.4光刻设备的需求条件以及二次配详解
动力需求内容以及管线材质要求：
瞬时速度中心
曝光机需求内容：
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
Ar—SUS316BA
PV—SUS304
特气—SUS316EP
HES—SUS304AP
F1—SCH-80UPVC
电源—3P/380V/55A/5线
涂胶显影需求内容：
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
Ar—SUS316BA
PV—SUS304
渗透印章 DI—PVDF/PP-H/PFA
特气—SUS316EP
HES—SUS304AP
F1—SCH-80UPVC
电源—3P/380V/90A/5线
光刻机需求内容：
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
PV—SUS304
WS—SCH-80UPVC
特气—SUS316EP
HES—SUS304AP
F1—SCH-80UPVC
电源—3P/380V/90A/5线
线宽测试仪需求内容：
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
PV—SUS304
转印板 F1—SCH-80UPVC
电源—3P/380V/35A/5线
此处设备内部连接管路复杂，设计工作层以及下夹层内部设备的连接，且管线比较多，因此注意以下两点：
1） 供气阀组的布局应合理且满足使用要求。
2） 内部连接的管路应提前做好施工方案，有利于空间布局合理。
2.5 刻蚀设备的需求条件以及二次配详解
刻蚀设备需求内容：
瓷管电阻器 PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
GO2—SUS316BA
PV—SUS304
GV—SUS304BA
GF—SUS304BA
DI—PVDF/HH-P/PFA
特气—SUS316EP
WS—SCH-80UPVC
CW—SUS304
HES—SUS304AP
F1—SCH-80UPVC
电源—3P/380V/200A/5线
PCW—SUS304AP
此处设备主要涉及工艺循环冷却水和工艺真空管路比较多，PCW管路共计36组，工艺真空涉及17台，连接管路复杂，设计工作层以及下夹层内部设备的连接，且管线比较多。因此注意以下两点：
1） 因为真空泵部分放在夹层，配管难度增加，故需对空间布局提前进行合理安排。
2） PCW管路特别多，因此采用软管进行连接，可以有效提高施工进度。
3） 合理安排施工次序，有效提高施工效率。
4） 由于大部分管线在室内布置，因此二次配既要保证功能使用要求，又要满足洁净室使用要求。
2.6 二次清洗设备的需求条件以及二次配详解
二次清洗设备需求内容：
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
DI—PVDF/HH-P/PFA
W S—SCH-80UPVC
CW—SUS304
HES—SUS304AP
电源—3P/380V/32A/5线
此设备比较大，为方便调节介质使用量，因此，配管主要在管道夹道里进行。主要考虑夹道管线的合理布局。 2.7 离子注入设备的需求条件以及二次配详解
离子注入设备需求内容：
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
糖果装 Ar—SUS316BA
G V—SUS304BA
GF—SUS304BA
DI—PVDF/HH-P/PFA
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