NAND闪存（NANDFlash）颗粒SLC，MLC，TLC，QLC的对
⽐
1.固态硬盘性能指标：
终端准入系统顺序读写是我们⽇常使⽤电脑做⼀下数据的拷贝，转移时常见的操作，这是读写的过程都是有规律的序列。所以⼀般SSD的顺序读取速度都是不会太慢的。 4K随机读写（4K）
4K随机读写⼀般是指在系统级别的操作，⽐如系统开关机，调⽤软件运⾏等操作时的读写速度，因为这些操作调⽤的数据都是⽆规律的⼩数据，⽽4KB是⽬前系统内不受压缩的最⼩数据块规模，所以才将4K读写作为⼀个测试的指标。4K的读写速度越快，说明系统的运⾏越流畅，反过来也说明SSD的性能越强。
访问延迟（Acc.time）
⼀般指系统调⽤硬盘数据时需要的时间，⼀般的SSD的访问延迟都是低于1ms的，速度是传统机械硬盘的⼀千倍左右。这也是SSD做系统盘之后我们都可以感受的提升巨⼤的原因。越⾼端的SSD的访问延迟越低
IOPS
IOPS指单位时间内系统能处理的I/O请求数量，⼀般都是以每秒的I/O请求处理量为基准，IOPS数值越⾼，说明系统处理速度越
快，SSD的性能也越强。
2.解析：
存储基质: 浮栅晶体管
SLC：每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能
强，P/E寿命在1万到10万次之间，但缺点就是容量低⽽成本⾼，毕竟⼀个Cell单元只能存储1bit信息。
MLC：每个cell单元存储2bit信息，需要更复杂的电压控制，有00,01,10,11四种变化，这也意味着写⼊性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。rdt-261
TLC：每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化，容量⽐MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写⼊速度慢，P/E寿命也降⾄1000-3000次，部分情况会更低。寿命短只是相对⽽⾔的，通常来讲，经过重度测试的TLC颗粒正常使⽤5年以上是没有问题的。
tz15
气相防锈QLC：或者可以叫4bit MLC，电压有16种变化，但是容量能增加33%，就是写⼊性能、P/E寿命与TLC相⽐会进⼀步降低。具体的性能测试上，美光有做过实验。读取速度⽅⾯，SATA接⼝中的⼆者都可以达到540MB/S，QLC表现差在写⼊速度上，因为其P/E编程时间就⽐MLC、TLC更长，速度更慢，连续写⼊速度从520MB/s降⾄360MB/s，随机性能更是从9500 IOPS降⾄5000 IOPS，损失将近⼀半。
容量⽐较：QLC>TLC>MLC>SLC
价格⽐较：SLC>MLC>TLC>QLC
寿命⽐较：SLC>MLC>TLC>QLC
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