半导体光催化氧化技术的初步研究

半导体光催化氧化技术的初步研究
作者:唐先华卷帘门门板
来源:《卷宗》2015超低温制冷机年第03
        21世纪把人类带入一个高速发展的时期。在经济、文化发展的同时,由于现代工业、农业的飞速发展,环境污染和能源短缺这些问题已经到了一个不容忽视的地步。大量开采和使用传统矿物能源不仅直接影响了生态环境,还导致能源短缺,引发了新的能源危机。因此,我国作为当今世界环境污染、资源紧缺最为严重的大国之一,发展一种无污染且经济的替代型能源具有极其重要的意义。
        在此背景下,太阳能这种取之不尽用之不竭的新能源成为各国研究的焦点。半导体光催化技术可充分利用太阳光,不仅可以通过光解水制氢,有效的将低密度的太阳能转换为高密度的化学能,而且可以利用太阳能降解水中和空气重的污染物,起到环境净化的效果[1]。光催化技术具有工艺简单,能耗低,反应条件较温和,降解物质彻底和无二次污染的特点,被认为是一种理想的保护环境、治理污染的技术,此外在水质、大气和土壤污染治理等方面也展现出了良好的应用前景,显示了巨大的经济效益和环保效益。
        早在1930年人们就已发现TiO2可以使染料褪和粉化的现象[2]。随后,绗缝被Plotnikow[3]最先对光催化的概念进行了定义,并对光催化过程中每一个化学反应步骤进行了命名。自从1972FujishimaHonda教授报道在环己胺氢溴酸盐nTiO2电极上发现水的光电催化分解产生氧气和氧气后[4],半导体光催化技术已经引起人们越来越多的关注。如今,更多的科学研究者纷纷加入此研究行列,掀起了世界范围的半导体光催化研究热潮。本文主要是初探半导体光催化氧化技术的反应机理。
        光催化氧化还原机理是以n型半导体的能带理论为基础的。在光照射条件下,光催化剂吸收光能后改变化学反应的速率,并引起反应成分的改变[5]。由于晶体中原子之间的相互作用,而使原子某个轨道的能级分裂成一组能量非常相近的能级,称为能带[6]。半导体是电导率介于导体和绝缘体之间的物质。它的能带结构是断断续续的,由价带、导带及禁带构成。其中,充满电子的能带称为价带(VB),部分被电子充满的能带称为导带(CB),它们中间的区域即为禁带(带隙),在禁带里是没有电子存在的。禁带宽度(Eg)在数值上等于导带与价带的能级差。
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本文发布于:2024-09-20 22:53:25,感谢您对本站的认可!

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