氢谱中影响化学位移的因素

氢谱中影响化学位移的因素
1.  取代基电负性越强,undefined 越移向低场
图3-18 取代基电负性对质子化学位移的影响
3-6 取代效应
多取代效应强于单取代取代效应随着键距的延长而急剧降低
去屏蔽效应(deshield)
2.  相连碳原子的sp杂化轨道的s成分越多, undefined 越移向低场
sp3”质子    0-2δ
sp2”辐照杀菌设备质子    4.5-7δ
陶瓷线路板
sp质子    2-3δ
3. 酸性质子    10-12δ
作用和O电负性拉电子效应的双重影响
微波热疗机
氢键的影响和可交换质子
定做三洋注塑机射咀头能够形成氢键的质子(-OH,-NH2)化学位移可变
形成氢键的数目越多,质子的去屏蔽效应越强  氢键数目通常是浓度和温度的函数自行车防盗架
pc abs合金


游离羟基(稀溶液)0.5-1.0δ                形成氢键(浓溶液)4-5δ
可交换质子(活泼氢)
3. 共轭效应


p-π共轭,邻位H的电子密度增加(正屏蔽),δ值减少
π-π共轭,邻位H的电子密度减少(去屏蔽),δ值增加

本文发布于:2024-09-21 20:43:53,感谢您对本站的认可!

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标签:质子   取代   效应   影响   氢键   化学   位移
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