一种匹配式单刀双掷开关芯片的制作方法

12ghz，该芯片为裸片封装，输入/输出端口匹配阻抗为50ω。
附图说明
14.图1为本实用新型结构示意图；
15.图2为本实用新型装配图；
16.图3为本实用新型插入损耗测试曲线；
17.图4为本实用新型驻波测试曲线；
18.图5为本实用新型隔离度测试曲线。
具体实施方式
19.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
20.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
21.如图1-5所示，一种匹配式单刀双掷开关芯片，包括左右两条对称的电路1组成，所述两条电路1的输入端与射频端口rfin连接，输出端分别连接射频端口rfout1，rfout2；
22.左侧的电路1包括依次连接的场效应管sw1、微带线tl1、场效应管sw2、微带线tl2、场效应管sw3、微带线tl3、场效应管sw4、微带线tl4和场效应管sw5，所述微带线tl1一端连接场效应管sw1，另一端连接场效应管sw2；所述微带线tl2一端连接场效应管sw2，另一端连接场效应管sw3；所述微带线tl3一端连接场效应管sw3，另一端连接场效应管sw4；所述微带线tl4一端连接场效应管sw4，另一端连接场效应管sw5；
23.所述场效应管sw1、场效应管sw2、场效应管sw3、场效应管sw4和场效应管sw5的栅极均设有电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4和电阻r5；所述场效应管sw2栅极相连的电阻r2、与场效应管sw3栅极相连的电阻r3、与场效应管sw5栅极相连的电阻r5，三者并联，且与场效应管sw1栅极相连的电阻r1连接；
24.左侧的电路1与右侧的电路1结构相同；
25.左侧的电路1中的场效应管sw1、场效应管sw4的栅极均通过电阻r1、r4连接到vc1端；场效应管sw2、场效应管sw3、场效应管sw5的栅极均通过电阻r2、r3、r5接vc2端；
26.所述场效应管sw2和场效应管sw3的源极均接地，所述场效应管sw5的源极与负载r6串联并接地。
27.右侧的电路1中的场效应管sw1、场效应管sw4的栅极均通过电阻r1、r4连接到vc2端；场效应管sw2、场效应管sw3、场效应管sw5的栅极均通过电阻r2、r3、r5接vc1端；
28.如表1所示，所述场效应管sw1、场效应管sw2、场效应管sw3、场效应管sw4、场效应管sw5均采用-5v/0v 电平逻辑控制。
29.所述射频输入端rfin、射频输出端rfout1、射频输出端rfout2均匹配50欧姆阻抗。
30.表1开关真值表
31.vc1vc2out1out20-5lowlossisolation-50isolationlowloss
32.如图2所示，给出了开关芯片的建议装配方式，其中，vc1端、vc2各提供了四个压点，可根据需要任选一对使用。
33.如图3所示，给出了开关芯片的插入损耗曲线，图中，ads为软件标号，横坐标为频率，纵坐标为在该频率下的损耗值，插损是表征开关芯片传输效率的主要指标。在dc-12ghz，该开关芯片的插损不大于-1.3db。
34.如图4所示，给出了开关芯片的驻波曲线，图中，ads为软件标号，横坐标为频率，纵坐标为该频率下的驻波数值，驻波比越小，入射功率越大，传输效率越高。out2vswr表示rfout2端口的输出驻波，out1vswr表示rfout1端口的输出驻波，invswr表示rfin端口的输入驻波。
35.如图5所示，给出了开关芯片的隔离度曲线，图中，ads为软件标号，横坐标为频率，纵坐标为该频率下的隔离度数值，隔离度越大，说明输入信号泄露到开关隔离端的信号越少，对收发电子系统的其他支路造成的干扰越小。
36.以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：

1.一种匹配式单刀双掷开关芯片，其特征在于：包括两条结构相同且对称设置的电路，两条所述电路的输入端与射频端口rfin连接，两条所述电路的输出端分别连接射频端口rfout1和射频端口rfout2；所述电路包括依次连接的场效应管sw1、微带线tl1、场效应管sw2、微带线tl2、场效应管sw3、微带线tl3、场效应管sw4、微带线tl4和场效应管sw5，所述微带线tl1一端连接场效应管sw1，另一端连接场效应管sw2；所述微带线tl2一端连接场效应管sw2，另一端连接场效应管sw3；所述微带线tl3一端连接场效应管sw3，另一端连接场效应管sw4；所述微带线tl4一端连接场效应管sw4，另一端连接场效应管sw5；所述场效应管sw1、场效应管sw2、场效应管sw3、场效应管sw4和场效应管sw5的栅极分别连接有电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4和电阻r5。2.根据权利要求1所述的一种匹配式单刀双掷开关芯片，其特征在于：所述电阻r2、电阻r3和电阻r5三者并联，且与电阻r1连接。3.根据权利要求1所述的一种匹配式单刀双掷开关芯片，其特征在于：所述场效应管sw1的栅极通过电阻r1、场效应管sw4的栅极通过电阻r4分别连接到vc1端；所述场效应管sw2的栅极通过电阻r2、场效应管sw3的栅极通过电阻r3和场效应管sw5的栅极通过电阻r5分别连接到vc2端。4.根据权利要求1所述的一种匹配式单刀双掷开关芯片，其特征在于：所述场效应管sw2和场效应管sw3的源极均接地，所述场效应管sw5的源极与负载r6串联并接地。5.根据权利要求1所述的一种匹配式单刀双掷开关芯片，其特征在于：所述场效应管sw1、场效应管sw2、场效应管sw3、场效应管sw4和场效应管sw5均采用-5v/0v 电平逻辑控制。6.根据权利要求1所述的一种匹配式单刀双掷开关芯片，其特征在于：所述射频端口rfin、射频端口rfout1和射频端口rfout2均匹配50欧姆阻抗。

技术总结

本实用新型公开一种匹配式单刀双掷开关芯片，包括两条结构相同且对称设置的电路，两条所述电路的输入端与射频端口RFIN连接，两条所述电路的输出端分别连接射频端口RFOUT1和射频端口RFOUT2；本实用新型公开一种匹配式单刀双掷开关芯片，采用GaAs FET开关，相比PIN开关具有偏置网络简单、控制电流小、驱动电路简化、开关速度快等优势，且性能比较高，使用非常方便；本实用新型中，频率范围覆盖DC-12GHz，该芯片为裸片封装，输入/输出端口匹配阻抗为50Ω。Ω。Ω。

技术研发人员：

李佳瑶 罗力伟 杨柯

受保护的技术使用者：

四川益丰电子科技有限公司

技术研发日：

2022.10.19

技术公布日：

2022/11/18