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磁记录装置以及磁记录方法与流程

磁记录装置以及磁记录方法
1.本技术以日本特许申请2020-190702(申请日2020年11月17日)为基础，根据该申请享受优先权。本技术通过参照该申请而包含该申请的全部内容。
技术领域
2.本发明的实施方式涉及磁记录装置以及磁记录方法。

背景技术：

3.使用磁头来在hdd(hard disk drive，硬盘驱动器)等的磁记录介质中记录信息。在磁记录装置中希望提高记录能力。

技术实现要素：

4.本发明的实施方式提供能提高记录能力的磁记录装置及磁记录方法。
5.用于解决问题的技术方案
6.根据本发明的实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
7.根据上述结构的磁记录装置，能够提供能提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。
附图说明
8.图1是对第1实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意性的剖视图。
9.图2是对第1实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意图。
10.图3的(a)～图3的(d)是对第1实施方式涉及的磁记录装置中的动作进行例示的示意图。
11.图4的(a)和图4的(b)是对第1实施方式涉及的磁记录装置中的动作进行例示的示意图。
12.图5的(a)～图5的(e)是对第1实施方式涉及的磁记录装置中的动作进行例示的示意图。
13.图6是对第1实施方式涉及的磁记录装置的特性进行例示的曲线图。
14.图7的(a)和图7的(b)是对第1实施方式涉及的磁记录装置中的动作进行例示的示意图。
15.图8是对第1实施方式涉及的磁记录装置中的动作进行例示的流程图。
16.图9的(a)和图9的(b)是对第1实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示
意性的剖视图。
17.图10是对第2实施方式涉及的磁记录方法进行例示的流程图。
18.图11是对实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意性的立体图。
19.图12是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性的立体图。
20.图13是对实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意性的立体图。
21.图14的(a)和图14的(b)是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性的立体图。
22.标号说明
23.20磁元件；21、22第1磁性层、第2磁性层；25a第1磁极侧非磁性层；25b第2磁极侧非磁性层；25n第1非磁性层；30f磁极面；30c线圈；30i绝缘部；31第1磁极；32第2磁极；33屏蔽件；51～53第1电路～第3电路；54控制部；60记录部；70再现部；71磁再现元件；72a、72b第1再现磁屏蔽件、第2再现磁屏蔽件；80磁记录介质；81磁记录层；82介质基板；83磁化；85介质移动方向；θ1角度；110、111磁头；150磁记录装置；154悬架；155臂；156音圈马达；157轴承部；158头万向架组件；159头滑块；159a空气流入侧；159b空气流出侧；160头堆叠组件；161支承框架；162线圈；180记录用介质盘；180m主轴马达；181记录介质；190信号处理部；210磁记录装置；ar箭头；c1、c2第1线圈端子、第2线圈端子；cf1～cf5第1构成～第5构成；d1方向；id元件电流；id_ave平均值；iw线圈电流；iw-、tw+电流；lv1～lv3第1值～第3值；rx电阻；st1、st2状态；sigr电信号；
24.t1、t2第1端子、第2端子；w1、w2第1布线、第2布线；f1第1频率；t1～t5第1周期～第5周期；td1时间差；tm时间；tw1时间宽度
具体实施方式
25.以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。
26.附图是示意性的或者概念性的，各部分的厚度和宽度的关系、部分间的大小的比率等不限于必须与现实的相同。即使在表示相同的部分的情况下，有时相互的尺寸、比率也根据附图而不同来进行表示。
27.在本技术说明书和各图中，对与前面关于出现过的附图描述过的要素同样的要素赋予同一标号，适当省略详细的说明。
28.(第1实施方式)
29.图1是对第1实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意性的剖视图。
30.图2是对第1实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意图。
31.如图1和图2所示，实施方式涉及的磁记录装置210包括磁头110、第1电路51、第2电路52、第3电路53以及控制部54。
32.如图1所示，磁头110包括第1磁极31、第2磁极32、磁元件20以及线圈30c。
33.如图1所示，在磁头110中也可以还设置有屏蔽件33。第1磁极31、第2磁极32、磁元件20、线圈30c以及屏蔽件33包含于记录部60。如后述的那样，也可以在磁头110设置有再现部。
34.在屏蔽件33与第2磁极32之间设置有第1磁极31。例如，线圈30c的至少一部分设置在第1磁极31与第2磁极32之间。在该例子中，线圈30c的一部分设置在屏蔽件33与第1磁极
31之间。
35.在线圈30c电连接有第1电路51。第1电路51能够向线圈30c供给线圈电流iw。在记录动作中，线圈电流iw例如为记录电流。从第1磁极31产生与记录电流相应的磁场(记录磁场)。记录磁场施加于磁记录介质80，在磁记录介质80中记录信息。这样，第1电路51能够向线圈30c供给与所记录的信息对应的记录电流。例如，磁记录介质80是垂直磁记录介质。
36.如图1所示，也可以设置有第1线圈端子c1和第2线圈端子c2。这些端子与线圈30c电连接。例如，第1电路51经由这些端子向线圈30c供给线圈电流iw(例如记录电流)。
37.如图1所示，磁元件20设置在第1磁极31与第2磁极32之间。磁元件20包括第1磁性层21。
38.如图1所示，例如在第1磁极31、第2磁极32、屏蔽件33、线圈30c以及磁元件20的周围设置有绝缘部30i。
39.第1磁极31例如为主磁极。在第1磁极31的端部设置有磁极面30f。磁极面30f例如沿着磁头110的abs(air bearing surface，空气支承面)。磁极面30f与磁记录介质80相对向。
40.将与磁极面30f垂直的方向作为z轴方向。将与z轴方向垂直的一个方向作为x轴方向。将与z轴方向以及x轴方向垂直的方向作为y轴方向。
41.z轴方向例如是高度方向。x轴方向例如是循着磁道(down track)方向。y轴方向是交叉磁道(cross track，跨磁道)方向。
42.例如，在磁极面30f的附近，第2磁极32沿着x轴方向离开第1磁极31。磁头110和磁记录介质80实质上沿着x轴方向而相对地进行移动。由此，在磁记录介质80的任意位置记录信息。
43.第2磁极32例如对应于“尾随屏蔽件(trailing shield)”。屏蔽件33例如对应于“前导屏蔽件(leading shield)”。第2磁极32例如为辅助磁极。第2磁极32能够与第1磁极31一起形成磁芯。例如，也可以设置有侧屏蔽件(未图示)等的追加的屏蔽件。
44.如图1所示，第2电路52能够向磁元件20供给元件电流id。
45.例如，磁元件20也可以与第1磁极31以及第2磁极32电连接。在该情况下，也可以经由第1磁极31以及第2磁极32向磁元件20供给元件电流id。
46.如图1所示，也可以设置有第1布线w1和第2布线w2。第1布线w1与第1磁极31电连接。第2布线w2与第2磁极32电连接。也可以设置有第1端子t1和第2端子t2。第1端子t1经由第1布线w1与第1磁极31电连接。第2端子t2经由第2布线w2与第2磁极32电连接。
47.例如，经由第1端子t1、第1布线w1、第2布线w2以及第2端子t2从第2电路52向第1磁极31以及第2磁极32供给元件电流id。
48.在实施方式中，通过在磁元件20中流动元件电流id，能够使从第1磁极31发出的磁场效率良好地朝向磁记录介质80。例如，通过元件电流id，第1磁性层21的磁化的方向相对于从第1磁极31发出的磁场反转。从第1磁极31发出的磁场变为难以通过第1磁性层21。其结果，磁场变为容易朝向磁记录介质80。由此，磁场被效率良好地施加于磁记录介质80。通过这样的动作，能够提高记录密度。
49.如后述的那样，磁元件20也可以包括第2磁性层。在该情况下，通过元件电流id被供给至磁元件20，例如磁元件20进行振荡。磁元件20作为sto(spin torque oscillator，自
旋转矩振荡器)发挥功能。伴随着振荡，从磁元件20产生交流磁场(例如高频磁场)。用磁元件20产生的交流磁场被施加于磁记录介质80，向磁记录介质80的记录被进行辅助。例如，可以实施mamr(microwave assisted magnetic recording，微波辅助磁记录)。在该情况下，也能够提高记录密度。
50.第3电路53(参照图2)能够检测磁元件20的电阻。第3电路53例如与第1端子t1以及第2端子t2电连接。第3电路53也可以能够经由第2电路52的至少一部分来对磁元件20的电阻和磁元件20的电阻的变化的至少任一个进行检测。第3电路53对从磁元件20得到的电信号sigr进行检测。第3电路53能够根据电信号sigr检测磁元件20的电阻。
51.如上述的那样，在一个例子中，通过元件电流id，第1磁性层21的磁化的方向相对于从第1磁极31发出的磁场反转。伴随于此，磁元件20的电阻变化。在其他例子中，例如通过元件电流id，第1磁性层21的磁化进行振荡。通过元件电流id，磁元件20的电阻变化。通过对电阻(或者电阻的变化)进行检测，能得到与磁元件20中的磁的状态有关的信息。例如，能够掌握磁元件20中的磁化反转的状态。例如，能够掌握磁元件20中的磁化振荡的状态。
52.控制部54能够基于用第3电路53检测到的电阻对第2电路52进行控制，从而对元件电流id进行控制。
53.例如，控制部54对元件电流id进行控制以使得电阻变高。例如，当磁元件20的磁化反转时，磁元件20的电阻变为比磁元件20的磁化反转之前的电阻高。例如在电阻成为最高时，在磁元件20中，相对于记录磁场的磁场，磁化反转的程度高。例如在电阻成为最高时，能够使记录磁场效率良好地朝向磁记录介质80。由此，能够提高记录密度。能够提供能提高记录能力的磁记录装置。
54.如图2所示，第3电路53(例如检测电路)取得来自磁元件20的电信号sigr，基于电信号sigr来检测电阻。所检测到的电阻rx被提供至控制部54。控制部54基于电阻rx来对第2电路52进行控制，从而对元件电流id进行控制。如后述的那样，例如第3电路53检测的电信号sigr相应于线圈电流iw的时间性的变化而时间性地变化。电阻rx可以是与时间性地变化的电信号sigr对应的电阻的平均。
55.以下，对线圈电流iw和元件电流id的例子进行说明。
56.图3的(a)～图3的(d)是对第1实施方式涉及的磁记录装置中的动作进行例示的示意图。
57.这些图的横轴为时间tm。图3的(a)的纵轴为线圈电流iw。图3的(b)～图3的(d)的纵轴为元件电流id。以下，对在磁记录装置210中进行的一个动作(第1动作)的例子进行说明。如已经说明过的那样，通过第1电路51控制线圈电流iw，通过第2电路52控制元件电流id。
58.如图3的(a)所示，在第1时刻t1，线圈电流iw的极性变化。例如，线圈电流iw为交流电流。在该例子中，交流电流具有第1频率f1。例如，线圈电流iw在电流iw-与电流iw+之间变化。
59.如图3的(b)所示，在一个例子中，元件电流id为第1值lv1。第1值lv1为正。例如，当第1值lv1大时，磁化的变化快，容易得到高的性能。当第1值lv1过度地大时，磁元件20容易被破坏。例如，关于元件电流id以第1值lv1而为一定的情况，确定用于能够维持稳定的磁元件20的“上限值”。控制部54也可以能够基于用第3电路53检测到的电阻rx对第2电路52进行
控制，从而对元件电流id的第1值lv1进行控制。在该情况下，第1值lv1被设为上述的“上限值”以下。
60.如图3的(c)所示，在一个例子中，第2电路52在第2时刻t2之前将元件电流id设为第1值lv1。第2电路52在第2时刻t2使元件电流id变化为第2值lv2。第2值lv2与第1值lv1不同。在图3的(b)所示的例子中，第2时刻t2为第1时刻t1之后。第2电路52在第2时刻t2之后的第3时刻t3使元件电流id变化为第1值lv1。
61.例如，第2时刻t2在实用上可以为元件电流id成为变化前的值(第1值lv1)与变化后的值(第2值lv2)的中间值的时刻。第3时刻t3也可以为元件电流id成为变化前的值(第2值lv2)与变化后的值(第1值lv1)的中间值的时刻。
62.在元件电流id为这样的波形的情况下，在第1动作中，控制部54能够基于用第3电路53检测到的电阻rx对第2电路52进行控制，从而对第2时刻t2、第3时刻t3、第1值lv1以及第2值lv2中的至少任一个进行控制。
63.在上述的动作中，元件电流id的时间平均被设为在元件电流id为一定的情况(例如图3的(b)的例子的情况)下所确定的上述的“上限值”以下。元件电流id的时间平均与“元件电流id为第1值lv1的时间比例
”×
lv1+“元件电流id为第2值lv2的时间比例
”×
lv2对应。图3的(b)中的第1值lv1、图3的(c)中的第1值lv1以及图3的(d)中的第1值lv1可以互不相同。图3的(c)中的第2值lv2和图3的(d)中的第2值lv2可以互不相同。
64.第2时刻t2例如为将第1时刻t1作为基准的时刻。第3时刻t3例如可以为将第1时刻t1作为基准的时刻。第3时刻t3例如也可以为将第2时刻t2作为基准的时刻。
65.控制部54例如基于所检测到的电阻rx，对第2时刻t2、第3时刻t3、第1值lv1以及第2值lv2中的至少任一个进行控制，以使得电阻rx变高。由此，例如在磁元件20中，磁化有效地反转。或者，例如在磁元件20中，磁化有效地进行振荡。例如，记录磁场有效地作用于磁记录介质80。能得到高的记录密度。
66.在图3的(c)所示的例子中，第2电路52也在第2时刻t2之前使元件电流id为第1值lv1，在第2时刻t2使元件电流id变化为第2值lv2，在第3时刻t3使元件电流id变化为第1值lv1。如图3的(c)所示，第2电路52进一步在第2时刻t2之前的第4时刻t4使元件电流id变化为第3值lv3。第3值lv3与第1值lv1不同，且与第2值lv2也不同。第2电路52在第4时刻t4之后且第2时刻t2以前的第5时刻t5使元件电流id开始向第2值lv2变化。
67.控制部54例如基于所检测到的电阻rx，对第2时刻t2、第3时刻t3、第4时刻t4、第5时刻t5、第1值lv1、第2值lv2以及第3值lv3中的至少任一个进行控制，以使得电阻rx变高。由此，例如在磁元件20中，磁化有效地反转。或者，例如在磁元件20中，磁化有效地进行振荡。例如，记录磁场有效地作用于磁记录介质80。能得到高的记录密度。
68.在上述的动作中，元件电流id的时间平均被设为在元件电流id为一定的情况(例如图3的(b)的例子的情况)下所确定的上述的“上限值”以下。元件电流id的时间平均与“元件电流id为第1值lv1的时间比例
”×“
lv1的绝对值”+“元件电流id为第2值lv2的时间比例
”×“
lv2的绝对值”+“元件电流id为第3值lv3的时间比例
”×“
lv3的绝对值”对应。
69.以下，对从磁元件20得到的电信号sigr的例子进行说明。
70.图4的(a)和图4的(b)是对第1实施方式涉及的磁记录装置中的动作进行例示的示意图。
71.图4的(a)对线圈电流iw进行了例示。图4的(b)对从磁元件20得到的电信号sigr进行了例示。电信号sigr与磁元件20的电阻对应。这些图的横轴为时间tm。图4的(a)的纵轴为线圈电流iw。图4的(b)的纵轴为从磁元件20得到的电信号sigr。
72.如图4的(a)所示，例如线圈电流iw为具有第1频率f1的交流电流。如图4的(b)所示，电信号sigr具有第1频率f1的2倍的第2频率。
73.在图4的(b)所例示的特性中，电信号sigr相对地低的状态st1与磁元件20的磁化反转之前的状态对应。电信号sigr相对地高的状态st2与磁元件20的磁化反转了的状态对应。例如，当磁元件20的磁化在短时间内反转时，从状态st1快速地转变为状态st2。如已经说明过的那样，控制部54基于用第3电路53检测到的电阻rx，对第2电路52进行控制。电阻rx例如相应于电信号sigr的时间性的平均。例如，电阻rx也可以与对图4的(b)所例示的电信号sigr进行累计并平均所得的值对应。
74.控制部54基于这样的电阻rx，对第2时刻t2、第3时刻t3、第1值lv1以及第2值lv2中的至少任一个进行控制，以使得电阻rx变高。可知：在磁记录装置210中，通过使用包括如上述那样的第1值lv1、第2值lv2以及第3值lv3的元件电流id，容易得到高的电阻rx。以下，对磁元件20的电阻的变化的例子进行说明。
75.图5的(a)～图5的(e)是对第1实施方式涉及的磁记录装置中的动作进行例示的示意图。
76.在这些附图中，横轴为时间tm。图5的(a)例示了线圈电流iw。在第1时刻t1，线圈电流iw的极性变化。图5的(b)例示了第1构成cf1中的元件电流id。如图5的(b)所示，在第1构成cf1中，元件电流id总是为第1值lv1。
77.图5的(c)例示了第2构成cf2中的元件电流id。如图5的(c)所示，在第2构成cf2中，第1时刻t1与第2时刻t2之差为0。在第2构成cf2中，第2时刻t2与第3时刻t3之差(即时间宽度tw1)为0.4ns。
78.图5的(d)例示了第3构成cf3和第4构成cf4中的元件电流id。如图5的(d)所示，在第3构成cf3和第4构成cf4中，第2时刻t2为第1时刻t1之后。在第3构成cf3中，第1时刻t1与第2时刻t2之间的差(时间差td1)为0.2ns。在第4构成cf4中，第1时刻t1与第2时刻t2之间的差(时间差td1)为0.4ns。在第3构成cf3和第4构成cf4中，第2时刻t2与第3时刻t3之差(即时间宽度tw1)为0.4ns。
79.图5的(e)例示了第5构成cf5中的元件电流id。如图5的(e)所示，在第5构成cf5中，第2时刻t2为第1时刻t1之前。在第5构成cf5中，第1时刻t1与第2时刻t2之间的差(时间差td1)为-0.2ns。在第5构成cf5中，第2时刻t2与第3时刻t3之差(即时间宽度tw1)为0.4ns。在元件电流id的时间平均为相同的情况下，图5的(b)中的第1值lv1与图5的(c)～图5的(e)中的第1值lv1不同。
80.对关于这样的第1构成cf1～第5构成cf5的电阻rx进行评价。在评价中，元件电流id的平均值(时间平均)被进行变更。元件电流id的平均值的变更，通过第1值lv1和第2值lv2的变更来进行。
81.图6是对第1实施方式涉及的磁记录装置的特性进行例示的曲线图。
82.在图6中，横轴为元件电流id的平均值id_ave。纵轴为磁元件20的电阻rx。电阻rx对应于与时间一起变化的电信号sigr的时间性的平均值。在图6中，电阻rx高表示磁化有效
地变化(例如反转)。
83.如图6所示，关于相同的元件电流id的平均值id_ave，第3构成cf3和第4构成cf4中的电阻rx比其他构成中的电阻rx高。在平均值id_ave比较大的情况下，第2构成cf2中的电阻rx比第1构成cf1中的电阻rx高。第5构成cf5中的电阻rx比第1构成cf1中的电阻rx低。
84.之所以在第3构成cf3和第4构成cf4中能得到高的电阻rx，认为与如下状况有关：通过在因线圈电流iw的反转而刚发生了磁极的反转之后使元件电流id增加，磁元件20的磁化反转变快。
85.这样，通过对元件电流id的波形进行控制，能得到高的电阻rx。通过由控制部54适当地对元件电流id进行控制，能得到更高的电阻rx，能够实现更有效的磁化的控制。通过由控制部54对第2时刻t2、第3时刻t3、第1值lv1以及第2值lv2中的至少任一个进行控制，能够实现更有效的磁化的控制。
86.在实施方式中，优选时间差td1为正。在线圈电流iw的周期的1/2的期间中，第2时刻t2优选为第1时刻t1之后。第1时刻t1与第2时刻之差例如优选为0.1ns以上且1ns以下。
87.在图3的(c)所例示的波形中，电阻rx也根据元件电流id的条件而变化。通过由控制部54适当地对元件电流id进行控制，能得到更高的电阻rx，能够实现更有效的磁化的控制。通过由控制部54对第2时刻t2、第3时刻t3、第4时刻t4、第5时刻t5、第1值lv1、第2值lv2以及第3值lv3中的至少任一个进行控制，能够实现更有效的磁化的控制。
88.在实施方式中，例如在线圈电流iw的周期的1/2的期间中，元件电流id为第1值lv1的时间比元件电流id为第2值lv2的时间长。通过短的脉冲状的第2值lv2，磁化更有效地变化。在线圈电流iw的周期的1/2的期间中，元件电流id为第1值lv1的时间比元件电流id为第3值lv3的时间长。通过短的脉冲状的第3值lv3，磁化更有效地变化。
89.图7的(a)和图7的(b)是对第1实施方式涉及的磁记录装置中的动作进行例示的示意图。
90.这些图表示了元件电流id的其他例子。在这些图中，横轴为时间tm。图7的(a)的纵轴为线圈电流iw。图7的(b)的纵轴为元件电流id。
91.如图7的(a)所示，在第1时刻t1，线圈电流iw的极性变化。在图7的(b)所示的例子中，第2电路52也在第2时刻t2之前使元件电流id为第1值lv1。第2电路52在第2时刻t2使元件电流id为第2值lv2。在第2时刻t2之后且第3时刻t3之前的第4时刻t4，使元件电流id变化为第3值lv3。在第3时刻t3，使元件电流id向第1值lv1变化。第3值lv3处于第1值lv1与第2值lv2之间。
92.在图7的(b)所例示的波形中，也通过由控制部54对第2时刻t2、第3时刻t3、第4时刻t4、第1值lv1、第2值lv2以及第3值lv3中的至少任一个进行控制，能够实现更有效的磁化的控制。
93.图8是对第1实施方式涉及的磁记录装置中的动作进行例示的流程图。
94.图8表示了控制部54的动作和通过控制部54的控制进行的第2电路52以及第3电路53的动作的例子。
95.如图8所示，第3电路53检测磁元件20的电阻rx(步骤s101)。控制部54决定元件电流id的平均值id_ave(步骤s102)。
96.控制部54设定元件电流id的第1值lv1和第2值lv2(步骤s105)。控制部54也可以进
一步确定第3值lv3。
97.控制部54设定第2时刻t2和第3时刻t3(步骤s106)。控制部54也可以进一步确定第4时刻t4。控制部54也可以进一步确定第5时刻t5。
98.关于具有所确定的值和时刻的第2元件电流id，第3电路53检测电阻rx(步骤s210)。
99.控制部54判断所检测到的电阻rx与前次的检测值(前次检测到的电阻rx)之差是否为所确定的值(第1阈值)以下(步骤s211)。在差不是第1阈值以下的情况下，返回步骤s106。在步骤s106中，第2时刻t2和第3时刻t3被进行更新。在更新中，设定第2时刻t2和第3时刻t3，以使得在维持所决定的元件电流id的平均值id_ave的同时，电阻rx变高。反复进行步骤s210和步骤s211。
100.在步骤s211中，在差为第1阈值以下的情况下进入步骤s212。在步骤s212中，判断所检测到的电阻rx与前次的检测值(前次检测到的电阻rx)之差是否为所确定的值(第2阈值)以下。在差不是第2阈值以下的情况下，返回到步骤s105。在步骤s105中，第1值lv1和第2值lv2等的值被进行更新。在更新中，设定第1值lv1和第2值lv2等，以使得在维持所决定的元件电流id的平均值id_ave的同时，电阻rx变高。反复进行步骤s106～步骤s212。
101.在步骤s212中，在差为第2阈值以下时，在该“值”和“时刻”下，电阻rx实质上变为最高。例如，通过具有这样的“值”和“时刻”的元件电流id来进行记录动作(步骤s220)。在记录动作中，记录磁场高效地作用于磁记录介质80。例如，能得到高的记录密度。能够提供能提高记录能力的磁记录装置。
102.在图8中，也可以在步骤s105中设定“时刻”并在步骤s106中设定“值”。
103.以下，对实施方式涉及的磁记录装置210中的磁头110的例子进行说明。
104.图9的(a)和图9的(b)是对第1实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性的剖视图。
105.如图9的(a)所示，在磁头110中，磁元件20也可以除了第1磁性层21之外还包括第1磁极侧非磁性层25a和第2磁极侧非磁性层25b。第1磁极侧非磁性层25a设置在第1磁极31与第1磁性层21之间。第2磁极侧非磁性层25b设置在第1磁性层21与第2磁极32之间。
106.在一个例子中，第1磁极侧非磁性层25a包含第1材料，第2磁极侧非磁性层25b包含第2材料。第1材料例如包含选自ta、pt、w、ir、mo、cr、tb、mn以及ni中的至少一种。第2材料例如包含选自cu、ag、au、cr以及ru中的至少一种。在该情况下，元件电流id为第1值lv1时的元件电流id具有从第2磁极32朝向第1磁极31的第1方向。能得到适当的磁化反转。
107.在其他例子中，也可以是：第1磁极侧非磁性层25a包含上述的第2材料，第2磁极侧非磁性层25b包含上述的第1材料。在该情况下，元件电流id为第1值lv1时的元件电流id具有从第1磁极31朝向第2磁极32的第2方向。能得到适当的磁化反转。
108.在包括磁头110的磁记录装置210中，也可以不设置控制部54。例如，也可以设定元件电流id的条件以使得电阻rx变高。在该情况下，磁记录装置210包括磁头110、能够向线圈30c供给线圈电流iw的第1电路51以及能够向磁元件20供给元件电流id的第2电路52。在第1时刻t1，线圈电流iw的极性变化。第2电路52在第2时刻t2之前使元件电流id为第1值lv1，第2电路52在第2时刻t2使元件电流id变化为与第1值lv1不同的第2值lv2。在第2时刻t2之后的第3时刻t3，使元件电流id变化为第1值lv1。第2时刻t2优选为第1时刻t1之后。
109.在上述的动作中，第2电路52也可以在第2时刻t2之前的第4时刻t4使元件电流id变化为与第1值lv1不同且与第2值lv2也不同的第3值lv3(参照图3的(c))。第2电路52也可以在第4时刻t4之后且第2时刻t2以前的第5时刻t5使元件电流id向第2值lv2变化(参照图3的(c))。例如，第1值lv1处于第3值lv3与第2值lv2之间。
110.如图9的(b)所示，在磁头111中，磁元件20除了第1磁性层21之外还包括第2磁性层22和第1非磁性层25n。第2磁性层22设置在第1磁性层21与第1磁极31之间。第1非磁性层25n设置在第1磁性层21与第2磁性层22之间。在该情况下，磁元件20例如作为sto元件发挥功能。
111.如图9的(b)所示，在磁头111中，磁元件20也可以还包括第1磁极侧非磁性层25a和第2磁极侧非磁性层25b。第1磁极侧非磁性层25a设置在第1磁极31与第2磁性层22之间。第2磁极侧非磁性层25b设置在第1磁性层21与第2磁极32之间。
112.在磁头111中，例如第1磁极侧非磁性层25a和第2磁极侧非磁性层25b包含第1材料，第1非磁性层25n包含第2材料。第1材料例如包含选自ta、pt、w、ir、mo、cr、tb、mn以及ni中的至少一种。第2材料例如包含选自cu、ag、au、cr以及ru中的至少一种。元件电流id为第1值lv1时的元件电流id的方向也可以是从第1磁极31朝向第2磁极32的第1方向和从第2磁极32朝向第1磁极31的第2方向中的任何方向。能得到适当的磁化振荡。
113.在包括磁头111的磁记录装置210中，也可以不设置控制部54。例如，也可以设定元件电流id的条件以使得电阻rx变高。在该情况下，磁记录装置210包括磁头111、第1电路51以及第2电路52。第2电路52例如向磁元件20供给图3的(c)所例示的元件电流id。例如，第2电路52在第2时刻t2之前使元件电流id为第1值lv1。第2电路52在第2时刻t2使元件电流id变化为第2值lv2。第2电路52在第2时刻t2之后的第3时刻t3使元件电流id变化为第1值lv1。第2电路52在第2时刻t2之前的第4时刻t4使元件电流id变化为与第1值lv1不同且与第2值lv2也不同的第3值lv3。第2电路52在第4时刻t4之后且第2时刻t2以前的第5时刻t5使元件电流id向第2值lv2变化。
114.如图9的(a)和图9的(b)所示，从第1磁极31朝向第2磁极32的方向d1也可以相对于x轴方向倾斜。方向d1对应于磁元件20的层叠方向。x轴方向沿着第1磁极31的磁极面30f。将方向d1与磁极面30f之间的角度设为角度θ1。角度θ1例如为15度以上且30度以下。角度θ1也可以为0度。
115.(第2实施方式)
116.第2实施方式涉及磁记录方法。以下对磁头110进行说明。磁记录方法也可以应用于磁头111。
117.图10是对第2实施方式涉及的磁记录方法进行例示的流程图。
118.如图10所示，在实施方式涉及的磁记录方法中，对磁元件20的电阻rx进行检测(步骤s110)。磁元件20设置于包括第1磁极31、第2磁极32、磁元件20以及线圈30c的磁头110。磁元件20设置在第1磁极31与第2磁极32之间。磁元件20包括第1磁性层21。检测也可以包括：向线圈30c供给线圈电流iw，向磁元件20供给元件电流id。检测例如也可以包括：算出从磁元件20得到的电信号sigr的累计值的平均值。例如，平均值对应于电阻rx。
119.如图10所示，在磁记录方法中，基于对磁元件20的电阻rx进行检测而得到的结果，对元件电流id进行控制(步骤s120)。例如，对元件电流id进行控制以使得电阻rx变高。能够
提供能提高记录能力的磁记录方法。
120.如关于图3的(a)所说明过的那样，在第1时刻t1，线圈电流iw的极性变化。如在图3的(b)中说明过的那样，在第2时刻t2之前使元件电流id为第1值lv1。在第2时刻t2，使元件电流id变化为与第1值lv1不同的第2值lv2。在第2时刻t2之后的第3时刻t3，使元件电流id变化为第1值lv1。基于对磁元件20的电阻rx进行检测而得到的结果，对第2时刻t2、第3时刻t3、第1值lv1以及第2值lv2中的至少任一个进行控制。
121.也可以使用关于图3的(c)说明过的元件电流id。例如在第2时刻t2之前的第4时刻t4，使元件电流id变化为与第1值lv1不同且与第2值lv2也不同的第3值lv3。在第4时刻t4之后且第2时刻t2以前的第5时刻t5，使元件电流id向第2值lv2变化。基于所检测到的电阻rx，对第2时刻t2、第3时刻t3、第4时刻t4、第5时刻t5、第1值lv1、第2值lv2以及第3值lv3中的至少任一个进行控制。
122.例如，第1值lv1处于第3值lv3与第2值lv2之间。例如，第1值lv1与第2值lv2之差的绝对值比第1值lv1与第3值lv3之差的绝对值大。例如，第1值lv1为正和负中的一方。第2值lv2为正和负中的另一方。例如，第2时刻t2在实用上也可以为元件电流id的极性变化的时刻。第3时刻t3在实用上也可以为元件电流id的极性变化的时刻。
123.在磁记录方法中，例如线圈电流iw为具有第1频率f1的交流电流。磁元件20的电阻rx的检测可以包括：对从磁元件20得到的电信号sigr进行检测。电信号sigr例如具有第1频率f1的2倍的第2频率。例如，电阻rx相应于电信号sigr的时间性的平均。
124.在实施方式涉及的磁记录方法中，也可以应用图7的(b)所例示的元件电流id。
125.图11是对实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意性的立体图。
126.如图11所示，实施方式涉及的磁头(例如磁头110)被与磁记录介质80一起使用。在该例子中，磁头110包括记录部60和再现部70。通过磁头110的记录部60，在磁记录介质80中记录信息。通过再现部70对记录于了磁记录介质80的信息进行再现。
127.磁记录介质80例如包括介质基板82和设置在介质基板82上的磁记录层81。磁记录层81的磁化83由记录部60进行控制。
128.再现部70例如包括第1再现磁屏蔽件72a、第2再现磁屏蔽件72b以及磁再现元件71。磁再现元件71设置在第1再现磁屏蔽件72a与第2再现磁屏蔽件72b之间。磁再现元件71能够输出与磁记录层81的磁化83相应的信号。
129.如图11所示，磁记录介质80在介质移动方向85的方向上相对于磁头110相对地进行移动。通过磁头110而在任意的位置处对与磁记录层81的磁化83对应的信息进行控制。通过磁头110而在任意的位置处再现与磁记录层81的磁化83对应的信息。
130.以下，对本实施方式涉及的磁记录装置的例子进行说明。
131.图12是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性的立体图。
132.图12例示了头滑块。
133.磁头110(或者磁头111)设置于头滑块159。头滑块159例如包含al2o3/tic等。头滑块159一边在磁记录介质之上悬浮或者与磁记录介质接触，一边相对于磁记录介质相对地进行运动。
134.头滑块159例如包括空气流入侧159a和空气流出侧159b。磁头110配置在头滑块159的空气流出侧159b的侧面等。由此，磁头110一边在磁记录介质之上悬浮或者与磁记录
介质接触，一边相对于磁记录介质相对地进行运动。
135.图13是对实施方式涉及的磁记录装置进行例示的示意性的立体图。
136.如图13所示，在实施方式涉及的磁记录装置150中使用旋转致动器。记录用介质盘180设置于主轴马达180m。记录用介质盘180通过主轴马达180m来在箭头ar的方向上旋转。主轴马达180m对来自驱动装置控制部的控制信号进行响应。本实施方式涉及的磁记录装置150也可以包括多个记录用介质盘180。磁记录装置150也可以包括记录介质181。记录介质181例如为ssd(solid state drive，固态驱动器)。对记录介质181例如使用闪速存储器等的非易失性存储器。例如，磁记录装置150也可以是混合式hdd(hard disk drive，硬盘驱动器)。
137.头滑块159进行记录于记录用介质盘180的信息的记录和再现。头滑块159设置在薄膜状的悬架154的前端。在头滑块159的前端附近设置实施方式涉及的磁头。
138.当记录用介质盘180旋转时，由悬架154产生的按压压力和在头滑块159的介质对向面(abs)产生的压力平衡。头滑块159的介质对向面与记录用介质盘180的表面之间的距离成为预定的悬浮量。在实施方式中，头滑块159也可以与记录用介质盘180接触。例如，也可以应用接触走行式。
139.悬架154与臂155(例如致动器臂)的一端连接。臂155例如包括线圈架(bobbin)部等。线圈架部保持驱动线圈。在臂155的另一端设置有音圈马达156。音圈马达156是线性马达的一种。音圈马达156例如包括驱动线圈和磁回路。驱动线圈卷绕于臂155的线圈架部。磁回路包括永磁体和对向磁轭。在永磁体与对向磁轭之间设置有驱动线圈。悬架154包括一端和另一端。磁头设置在悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
140.臂155由滚珠轴承保持。滚珠轴承设置在轴承部157的上下的两个部位。臂155能够通过音圈马达156进行旋转以及滑动。磁头能够移动到记录用介质盘180的任意位置。
141.图14的(a)和图14的(b)是对实施方式涉及的磁记录装置的一部分进行例示的示意性的立体图。
142.图14的(a)例示了磁记录装置的一部分的结构，是头堆叠组件160的放大立体图。图14的(b)是对成为头堆叠组件160的一部分的磁头组件(头万向架组件：hga)158进行例示的立体图。
143.如图14的(a)所示，头堆叠组件160包括轴承部157、头万向架组件158以及支承框架161。头万向架组件158从轴承部157延伸。支承框架161从轴承部157延伸。支承框架161延伸的方向与头万向架组件158延伸的方向相反。支承框架161对音圈马达156的线圈162进行支承。
144.如图14的(b)所示，头万向架组件158包括从轴承部157延伸的臂155和从臂155延伸的悬架154。
145.在悬架154的前端设置有头滑块159。在头滑块159设置有实施方式涉及的磁头。
146.实施方式涉及的磁头组件(头万向架组件)158包括实施方式涉及的磁头、设置有磁头的头滑块159、悬架154以及臂155。头滑块159设置于悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
147.悬架154例如包括信号的记录以及再现用的引线(lead line)(未图示)。悬架154例如也可以包括用于悬浮量调整的加热器用的引线(未图示)。悬架154例如也可以包括用
于自旋转矩振荡器用等的引线(未图示)。这些引线和设置于磁头的多个电极电连接。
148.在磁记录装置150中设置信号处理部190。信号处理部190使用磁头进行对磁记录介质的信号的记录以及再现。信号处理部190的输入输出线例如与头万向架组件158的电极焊盘连接，与磁头电连接。
149.本实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁头、可动部、位置控制部以及信号处理部。可动部能够使磁记录介质和磁头在分离或者接触的状态下相对地进行移动。位置控制部使磁头位置对合于磁记录介质的预定记录位置。信号处理部进行使用了磁头的、对磁记录介质的信号的记录以及再现。
150.例如作为上述的磁记录介质，可使用记录用介质盘180。上述的可动部例如包括头滑块159。上述的位置控制部例如包括头万向架组件158。
151.本实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁头组件以及使用设置于磁头组件的磁头进行对磁记录介质的信号的记录以及再现的信号处理部。
152.实施方式可以包括以下的技术方案(例如技术方案)。
153.(技术方案1)
154.一种磁记录装置，具备：
155.磁头，其包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈，所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述磁元件包括第1磁性层；
156.第1电路，其能够向所述线圈供给线圈电流；
157.第2电路，其能够向所述磁元件供给元件电流；
158.第3电路，其能够检测所述磁元件的电阻；以及
159.控制部，其能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
160.(技术方案2)
161.根据技术方案1所述的磁记录装置，
162.所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流的值进行控制。
163.(技术方案3)
164.根据技术方案1所述的磁记录装置，
165.在第1动作中，所述线圈电流的极性在第1时刻进行变化，
166.在所述第1动作中，所述第2电路在第2时刻之前使所述元件电流为第1值，所述第2电路在第2时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同的第2值，在所述第2时刻之后的第3时刻使所述元件电流变化为所述第1值，
167.在所述第1动作中，所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述第2时刻、所述第3时刻、所述第1值以及所述第2值中的至少任一个进行控制。
168.(技术方案4)
169.根据技术方案3所述的磁记录装置，
170.在所述第1动作中，所述第2电路在所述第2时刻之前的第4时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同且也与所述第2值不同的第3值，在所述第4时刻之后且所述第2时刻
以前的第5时刻使所述元件电流向所述第2值变化，
171.在所述第1动作中，所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述第2时刻、所述第3时刻、所述第4时刻、所述第5时刻、所述第1值、所述第2值以及所述第3值中的至少任一个进行控制。
172.(技术方案5)
173.根据技术方案4所述的磁记录装置，
174.所述第1值处于所述第3值与所述第2值之间。
175.(技术方案6)
176.根据技术方案5所述的磁记录装置，
177.所述第1值与所述第2值之差的绝对值比所述第1值与所述第3值之差的绝对值大。
178.(技术方案7)
179.根据技术方案1～6中任一项所述的磁记录装置，
180.所述磁元件还包括：
181.第1磁极侧非磁性层，其设置在所述第1磁极与所述第1磁性层之间；和
182.第2磁极侧非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间。
183.(技术方案8)
184.根据技术方案7所述的磁记录装置，
185.在所述第1磁极侧非磁性层包含第1材料且所述第2磁极侧非磁性层包含第2材料的情况下，所述元件电流为所述第1值时的所述元件电流具有从所述第2磁极朝向所述第1磁极的第1方向，所述第1材料包含选自ta、pt、w、ir、mo、cr、tb、mn以及ni中的至少一种，所述第2材料包含选自cu、ag、au、cr以及ru中的至少一种，
186.在所述第1磁极侧非磁性层包含所述第2材料且所述第2磁极侧非磁性层包含所述第1材料的情况下，在所述元件电流为所述第1值时，所述元件电流具有从所述第1磁极朝向所述第2磁极的第2方向。
187.(技术方案9)
188.根据技术方案1～8中任一项所述的磁记录装置，
189.所述线圈电流是具有第1频率的交流电流，
190.所述第3电路对从所述磁元件得到的电信号进行检测，
191.所述电信号具有所述第1频率的2倍的第2频率，
192.所述电阻对应于所述电信号的时间性的平均。
193.(技术方案10)
194.一种磁记录装置，具备：
195.磁头，其包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈，所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述磁元件包括第1磁性层、设置在所述第1磁极与所述第1磁性层之间的第1磁极侧非磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第2磁极侧非磁性层，所述第1磁极侧非磁性层包含第1材料和第2材料中的一方，所述第2磁极侧非磁性层包含所述第1材料和所述第2材料中的另一方，所述第1材料包含选自ta、pt、w、ir、mo、cr、tb、mn以及ni中的至少一种，所述第2材料包含选自cu、ag、au、cr以及ru中的至少一种；
196.第1电路，其能够向所述线圈供给线圈电流；以及
197.第2电路，其能够向所述磁元件供给元件电流，
198.所述线圈电流的极性在第1时刻进行变化，
199.所述第2电路在第2时刻之前使所述元件电流为第1值，所述第2电路在所述第2时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同的第2值，在所述第2时刻之后的第3时刻使所述元件电流变化为所述第1值。
200.(技术方案11)
201.根据技术方案10所述的磁记录装置，
202.在所述第1磁极侧非磁性层包含所述第1材料且所述第2磁极侧非磁性层包含所述第2材料的情况下，在所述元件电流为所述第1值时，所述元件电流具有从所述第2磁极朝向所述第1磁极的第1方向，
203.在所述第1磁极侧非磁性层包含所述第2材料且所述第2磁极侧非磁性层包含所述第1材料的情况下，在所述元件电流为所述第1值时，所述元件电流具有从所述第1磁极朝向所述第2磁极的第2方向。
204.(技术方案12)
205.根据技术方案10或者11所述的磁记录装置，
206.所述第2电路在所述第2时刻之前的第4时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同且也与所述第2值不同的第3值，在所述第4时刻之后且所述第2时刻以前的第5时刻使所述元件电流向所述第2值变化。
207.(技术方案13)
208.根据技术方案12所述的磁记录装置，
209.所述第1值处于所述第3值与所述第2值之间。
210.(技术方案14)
211.根据技术方案13所述的磁记录装置，
212.所述第1值与所述第2值之差的绝对值比所述第1值与所述第3值之差的绝对值大。
213.(技术方案15)
214.一种磁记录装置，具备：
215.磁头，其包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈，所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述磁元件包括第1磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第1磁极之间的第2磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1非磁性层、设置在所述第1磁极与所述第2磁性层之间的第1磁极侧非磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第2磁极侧非磁性层；
216.第1电路，其能够向所述线圈供给线圈电流；以及
217.第2电路，其能够向所述磁元件供给元件电流，
218.所述线圈电流的极性在第1时刻进行变化，
219.所述第2电路在第2时刻之前使所述元件电流为第1值，所述第2电路在所述第2时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同的第2值，在所述第2时刻之后的第3时刻使所述元件电流变化为所述第1值，在所述第2时刻之前的第4时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同且也与所述第2值不同的第3值，在所述第4时刻之后且所述第2时刻以前的第5时刻使所述元件电流向所述第2值变化。
220.(技术方案16)
221.一种磁记录方法，应用于磁头，所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈，所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述磁元件包括第1磁性层，所述磁记录方法包括：
222.向所述磁头的所述线圈供给线圈电流，向所述磁元件供给元件电流，检测所述磁元件的电阻，
223.基于对所述磁元件的所述电阻进行检测而得到的结果，对所述元件电流进行控制。
224.(技术方案17)
225.根据技术方案16所述的磁记录方法，
226.所述线圈电流的极性在第1时刻进行变化，
227.在第2时刻之前使所述元件电流为第1值，
228.在所述第2时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同的第2值，
229.在所述第2时刻之后的第3时刻使所述元件电流变化为所述第1值，
230.基于对所述磁元件的所述电阻进行检测而得到的所述结果，对所述第2时刻、所述第3时刻、所述第1值以及所述第2值中的至少任一个进行控制。
231.(技术方案18)
232.根据技术方案17所述的磁记录方法，
233.在所述第2时刻之前的第4时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同且也与所述第2值不同的第3值，在所述第4时刻之后且所述第2时刻以前的第5时刻使所述元件电流向所述第2值变化，
234.基于所述检测到的所述电阻，对所述第2时刻、所述第3时刻、所述第4时刻、所述第5时刻、所述第1值、所述第2值以及所述第3值中的至少任一个进行控制。
235.(技术方案19)
236.根据技术方案18所述的磁记录方法，
237.所述第1值处于所述第3值与所述第2值之间。
238.(技术方案20)
239.根据技术方案18或者19所述的磁记录方法，
240.所述线圈电流是具有第1频率的交流电流，
241.所述磁元件的所述电阻的所述检测包括：对从所述磁元件得到的电信号进行检测，
242.所述电信号具有所述第1频率的2倍的第2频率，
243.所述电阻对应于所述电信号的时间性的平均。
244.根据实施方式，能提供能提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。
245.在本技术说明书中，“垂直”以及“平行”不只是包括严格的垂直以及严格的平行，例如也包括制造工序中的偏差等，实质上垂直以及实质上平行即可。
246.以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不限定于这些具体例。例如，关于磁记录装置所包括的磁头、磁极、屏蔽件、磁元件、磁性层、非磁性层、布线、电路以及控制部等的各要素的具体结构，只要能够通过本领域技术人员从公知的范围
中适当地选择来同样地实施本发明、得到同样的效果，就包含在本发明的范围中。
247.另外，只要包含本发明的宗旨，在技术上可行的范围内组合各具体例的任意两个以上的要素而得到的技术方案就也包含在本发明的范围中。
248.此外，只要包含本发明的宗旨，本领域技术人员能够基于上面作为本发明的实施方式描述过的磁记录装置以及磁记录方法而适当地进行设计变更来实施的全部磁记录装置以及磁记录方法，也属于本发明的范围。
249.此外，应了解到：在本发明的思想范畴中，本领域技术人员能够想到各种变更例以及修正例，那些变更例以及修正例也属于本发明的范围。
250.以上对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。

技术特征：

1.一种磁记录装置，具备：磁头，其包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈，所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述磁元件包括第1磁性层；第1电路，其能够向所述线圈供给线圈电流；第2电路，其能够向所述磁元件供给元件电流；第3电路，其能够检测所述磁元件的电阻；以及控制部，其能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。2.根据权利要求1所述的磁记录装置，所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流的值进行控制。3.根据权利要求1所述的磁记录装置，在第1动作中，所述线圈电流的极性在第1时刻进行变化，在所述第1动作中，所述第2电路在第2时刻之前使所述元件电流为第1值，所述第2电路在第2时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同的第2值，在所述第2时刻之后的第3时刻使所述元件电流变化为所述第1值，在所述第1动作中，所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述第2时刻、所述第3时刻、所述第1值以及所述第2值中的至少任一个进行控制。4.根据权利要求3所述的磁记录装置，在所述第1动作中，所述第2电路在所述第2时刻之前的第4时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同且也与所述第2值不同的第3值，在所述第4时刻之后且所述第2时刻以前的第5时刻使所述元件电流向所述第2值变化，在所述第1动作中，所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述第2时刻、所述第3时刻、所述第4时刻、所述第5时刻、所述第1值、所述第2值以及所述第3值中的至少任一个进行控制。5.根据权利要求4所述的磁记录装置，所述第1值处于所述第3值与所述第2值之间。6.根据权利要求5所述的磁记录装置，所述第1值与所述第2值之差的绝对值比所述第1值与所述第3值之差的绝对值大。7.一种磁记录装置，具备：磁头，其包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈，所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述磁元件包括第1磁性层、设置在所述第1磁极与所述第1磁性层之间的第1磁极侧非磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第2磁极侧非磁性层，所述第1磁极侧非磁性层包含第1材料和第2材料中的一方，所述第2磁极侧非磁性层包含所述第1材料和所述第2材料中的另一方，所述第1材料包含选自ta、pt、w、ir、mo、cr、tb、mn以及ni中的至少一种，所述第2材料包含选自cu、ag、au、cr以及ru中的至少一种；第1电路，其能够向所述线圈供给线圈电流；以及第2电路，其能够向所述磁元件供给元件电流，
所述线圈电流的极性在第1时刻进行变化，所述第2电路在第2时刻之前使所述元件电流为第1值，所述第2电路在所述第2时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同的第2值，在所述第2时刻之后的第3时刻使所述元件电流变化为所述第1值。8.根据权利要求7所述的磁记录装置，所述第2电路在所述第2时刻之前的第4时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同且也与所述第2值不同的第3值，在所述第4时刻之后且所述第2时刻以前的第5时刻使所述元件电流向所述第2值变化。9.一种磁记录装置，具备：磁头，其包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈，所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述磁元件包括第1磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第1磁极之间的第2磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1非磁性层、设置在所述第1磁极与所述第2磁性层之间的第1磁极侧非磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第2磁极侧非磁性层；第1电路，其能够向所述线圈供给线圈电流；以及第2电路，其能够向所述磁元件供给元件电流，所述线圈电流的极性在第1时刻进行变化，所述第2电路在第2时刻之前使所述元件电流为第1值，所述第2电路在所述第2时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同的第2值，在所述第2时刻之后的第3时刻使所述元件电流变化为所述第1值，在所述第2时刻之前的第4时刻使所述元件电流变化为与所述第1值不同且也与所述第2值不同的第3值，在所述第4时刻之后且所述第2时刻以前的第5时刻使所述元件电流向所述第2值变化。10.一种磁记录方法，应用于磁头，所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈，所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述磁元件包括第1磁性层，所述磁记录方法包括：向所述磁头的所述线圈供给线圈电流，向所述磁元件供给元件电流，检测所述磁元件的电阻，基于对所述磁元件的所述电阻进行检测而得到的结果，对所述元件电流进行控制。

技术总结

本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。从而对所述元件电流进行控制。从而对所述元件电流进行控制。