以下问答题请参考。
另外，可以出些对图表解释的题目类型，如图10.14、图4.23、图4.12、图4.14等。
1、NaCl晶体中掺杂微量CaCl2时，Na+的扩散系数D与温度T的关系如图，试分析图中曲线出现两段不同斜率直线（即图中曲线有一转折点A）的原因。若提高NaCl的纯度，图中曲线的转折点将如何变化？ 答：低温时为不等价置换产生的空位引起的非本征扩散，高温为热缺陷为主的本征扩散，两者的活化能不同，从而出现转折。提高NaCl的纯度，图中曲线的转折点将向低温方向移动。
2、比较硅酸盐晶体与硅酸盐玻璃的结构和性能。
答：
项目 | 晶体 | 玻璃 |
硅氧骨架 | 在三维空间作周期性重复排列 | 无序排列 |
网络外阳离子 | 占据固定位置 | 统计性均匀分布于骨架空腔 |
化学计量 | 固定比例 | 非化学计量(无固定比例) |
阳离子交换 | 半径相近时能置换 | 满足静电规则均可置换 |
性能 | 具各向异性等晶体性质 | 各向同性等 |
| | |
3、二次再结晶产生的原因是什么？可以采取哪些措施来防止它的产生？
答：原始粒度不均匀；烧结温度偏高；烧结速率太快；坯体成型压力不均匀；局部有不均 匀液相等。
为防止晶粒异常生长，应适当控制温度来防止晶界移动速率过快；引入适当的添加剂，能抑制晶界的迁移，加速气孔排除。硅酸盐水泥熟料
4、试分析二次再结晶过程对材料性能有何种效应?
解：二次再结晶发生后,由于个别晶粒异常长大,气孔进入晶粒内部,成为孤立闭气孔,不易排除,使烧结速率降低甚至停止,坯体不再致密；加之大晶粒的晶界上有应力存在,使其内部易出现隐裂纹,继续烧结时坯体易膨胀而开裂,使烧结体的机械,电学性能下降。
5、试比较机械混合物、固溶体和化合物的异同点(以AO溶质溶解在M2O3溶剂中为例)。
答：
比较项目 | 固溶体 | 化合物 | 机械混合物 |
形成方式 | 掺杂、溶解 | 化学反应 | 机械混合 |
反应式 | | | |
化学组成 | | | |
混合尺度 | 原子(离子)尺度 | 原子(离子)尺度 | 晶体颗粒态 |
结构 | 与M2O3相同 | AM2O4型结构 | 车载散热器 AO+ M2O3结构 |
微型弹簧相组成 | 均匀单相 | 单相 | 两相、有界面 |
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6、试从粘土矿物的晶体结构特点， 解释高岭石（Al4[Si4O10](OH)8）类粘土类矿物与蒙脱石（Al2[Si4O10](OH)2·nH2O）类粘土矿物之间存在下列性能的差别： 高岭石类，具有表面积较小、表面带电量低、与水混合后吸水膨胀性和粘结性都较小。蒙脱石类，得不到较大颗粒、表面带电性强、吸附阳离子的性能比高岭石强、吸水能力强、遇水膨胀大、粘结性能好。 7、石棉矿如透闪石Ca2Mg5[Si4O11]2(OH)2具有纤维状结晶习性，而滑石Mg3[Si4O10](OH)2却具有片状结晶习性，试解释之。
8、讨论在一定温度下，同组成的玻璃体比晶体具有更高的内能，及晶体具有一定熔点而玻璃体没有固定熔点的原因。
9、试比较机械混合物、固溶体和化合物的异同点。
10、试用曲线表示出在成核饮料瓶提手—生长相变过程中，总结晶速率与温度的关系，并说明要获得细晶，温度应如何控制。
11、有人试图用延长烧结时间来提高产品致密度，你以为此法是否可行．为什么了？
解：延长烧结时间一般都为不同程度地促使烧结完成,但对粘性流动机理的烧结较为明显,而对体积扩散和表面扩散机理影响较小。对体积扩散和表面扩散,低温下以表面扩散为主,高温下以体积扩散为主,而表面扩散并不改变为坯体的致密度,因此,可适当延长高温烧结时间。另外,在烧结后期,不合理的延长烧结时间,有时会加剧二次再结晶作用,反而得不到充分致密的制品。
12、材料的许多性能如强度、光学性能等要求其晶粒尺寸微小且分布均匀，工艺上应如何控制烧结过程以达到此目的?
解:(1) 晶粒的大小取决于起始晶粒的大小,烧结温度和烧结时间;(2) 防止二次再结晶引起的晶粒异常长大
13、何谓均匀成核?何谓不均匀成核?晶核剂对熔体结晶过程的临界晶核半径有何影响?
解： 均匀成核——在均匀介质中进行，在整体介质中的核化可能性相同，与界面，缺陷无关
非均匀成核——在异相界面上进行，如容器壁，气泡界面或附着于外加物（杂质或晶核
剂）
14、试分析离子晶体中，阴离子扩散系数－般都小于阳离子扩散系数的原因。
解：离子晶体一般为阴离子作密堆积，阳离子填充在四面体或八面体空隙中。所以阳离子较易扩散。如果阴离子进行扩散，则要改变晶体堆积方式，阻力大。从而就会拆散离子晶体的结构骨架
15、试从结构和能量的观点解释为什么D表面>D晶面>D晶内。
解：固体表面质点在表面力作用下，导致表面质点的极化、变形、重排并引起原来的晶格畸变，表面结构不同于内部，并使表面处于较高的能量状态。晶体的内部质点排列有周期性，每个质点力场是对称的，质点在表面迁移所需活化能较晶体内部小，则相应的扩散系数大。 同理，晶界上质点排列方式不同于内部，排列混乱，存在着空位、位错等缺陷，使之处于
应力畸变状态，具有较高能量，质点在晶界迁移所需的活化能较晶内小，扩散系数大。
但晶界上质点与晶体内部相比，由于晶界上质点受两个晶粒作用达到平衡态，处于某种过渡的排列方式，其能量较晶体表面质点低，质点迁移阻力较大因而D晶界<D表面。
16、试说明晶界能总小于两个相邻晶粒的表面能之和的原因。
解：结构相同而取向不同的晶体相互接触，其接触界面称晶界。若相邻晶粒的原子彼此无作用，那么，每单位面积晶界能将等于两晶粒表面能之和。但实际上，两个相邻晶粒的表面层上的原子间存在相互作用，且很强，两者都力图使晶界上质点排列符合于自己的取向，所以晶界上原子形成某种过渡的排列方式，与晶格内却不同，晶界上原子排列疏松，处于应力畸变状态，晶界上原子比晶界内部相同原子有较高的能量，这种作用部分抵消了表面质点的剩余的键力。因此晶界结构和表面结构不同导致了晶界能总小于两个相邻晶粒的表面能之和。
17、试述石英晶体、石英熔体、Na2O·2SiO2熔体结构和性质上的区别。
解：
| 石英晶体 | 石英熔体 | 模胚Na2O•2SiO2 |
结构 | [SiO4]4- 按共顶方式对称有规律有序排列， 远程有序 | 基本结构单元 [SiO4]4-呈架状结构， 远程无序 | 基本结构单元 [Si6O18]12- 呈六节环或八节环， 远程无序 |
性质 | 固体无流动性，熔点高，硬度大，导电性差，结构稳定，化学稳定性好 | 有流动性，η大，电导率大，表面张力大 | 有流动性，η较石英熔体小，电导率大，表面张力大 | 应急调度
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