告警系统 第十六届全国半导体物理学术会议学术报告安排 本次会议由兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所联合主办。会议将就我国半导体物理的最新研究进展和发展趋势进行深入、广泛的学术交流，并邀请著名专家学者作专题报告，欢迎全校师生参加! 第十六届全国半导体物理会议学术报告总安排
单晶硅生产工艺时 间
事 项
地 点
9月8日
（星期六）
8：30-8：45
开幕式等
逸夫科学馆报告厅 9：00-12：00
各分会场报告(见附件)
逸夫科学馆 13：30-17：45
各分会场报告(见附件)
逸夫科学馆 21：00-21：30
物理学会半导体物理
专业委员会会议
萃英大酒店805会议室
9月9日
（星期日）
8：30-12：00
各分会场报告(见附件)
逸夫科学馆 14：00-16：30
各分会场报告(见附件)
逸夫科学馆 16：30-17：00
闭幕式
逸夫科学馆报告厅
* 详见各分会场日程
A 会 场
会议主题：半导体自旋电子学
地点：逸夫科学馆报告厅
日期：9月8日
时间
报告人
报告内容 9：00- 9：45
郑厚植（半导体研究所）
高密度自旋极化电子气的物理性质 9：45-10：30
褚君浩（上海技术物理所） 10：30-10：45
休息 10：45-11：30
吴明卫（中国科学技术大学）
Spin Dynamics in Semiconductor Nanostructures
11：30-12：00
张 荣（南京大学）
宽禁带半导体自旋电子材料研究
12：00-13：30
午餐 13：30-14：00
张凤鸣（南京大学）
Hole-mediated Ferromagnetism in Polycrystalline Si1-xMnx:B Thin Films
14：00-14：30
沈 波（北京大学）
GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋性质
14：30-15：00
许小红（山西师范大学）
磁控溅射制备具有室温磁性的Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜
15：00-15：15
休息 15：15-15：45
颜世申（山东大学）
宽禁带氧化物磁性半导体的制备、微结构、磁性和输运研究
15：45-16：15
常 凯（半导体研究所）
Nonlinear Rashba model: Spin relaxation and spin Hall current
16：15-16：45
姬 扬（半导体研究所）
二维电子气系统中电子自旋动力学的实验研究
16：45-17：15
赵建华（半导体研究所）
Cr掺杂III-V族稀磁半导体薄膜和自组织量子点的分子束外延生长
17：15-17：45
葛世慧（兰州大学）
过渡金属掺杂的氧化物半导体的室温铁磁性 以上为特邀报告 日期：9月9日
时间
报告人
报告内容 8：30- 8：55
徐兰君（上海技术物理所）
二维电子气集体激发模的软化和Rashba自旋轨道耦合* 8
：55- 9：20
甘华东（半导体研究所）
极低密度电流驱动的(Ga,Mn)As的四度磁化开关* 9：20- 9：45
杨学林（北京大学）
MOCVD法生长(Ga,Mn)N材料的磁学和电子结构特性* 9：45-10：10
刘朝星（清华大学）
二维空穴气中电流诱导的自旋极化*
10：10-10：25
休息 10：25-10：50
赖天树（中山大学）
GaAs中电子自旋相干动力学的能量演化研究*
10：50-11：05
赖天树（中山大学）
室温下GaMnAs的电子自旋偏振弛豫动力学研究
11：05-11：20
邓加军（中科大）
(Ga,Mn)As平面内磁各向异性研究
11：20-11：35
刘计红（河北师范大学）
自旋轨道耦合对正常金属/半导体/超导体隧道结中的散粒噪声的影响
11：35-11：50
董衍坤（河北师范大学）
自旋轨道耦合对Aharonov-Bohm测量仪中自旋相关输运的影响
12：00-14：00
午餐 14：00-14：25
安兴涛（河北师范大学）
铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关输运性质*
14：25-14：50
王 靖（清华大学）
自旋流的法拉第旋转测量*
14：50-15：05
王玮竹（半导体研究所）
Mn掺杂GaAs薄膜的磁性质及微观结构调控
15：05-15：20
石瑞英（四川大学）
稀磁半导体GaMnN材料的红外反射光谱研究
15：20-15：35
休息 15：35-16：00
陶志阔（南京大学）
MOCVD方法在GaN上生长FexN薄膜及其性能研究*
16：00-16：15
甘华东（半导体研究所）
(Ga,Cr)As外延薄膜的铁磁性来源
16：15-16：30
甘华东（半导体研究所）
(Ga,Mn)As外延薄膜MCD随磁场变化的特异振荡现象 * 邀请报告
B 会 场
会议主题：宽、窄禁带半导体
地点：逸夫科学馆201
日期：9月8日
时间
报告人
报告内容 9：00- 9：25
陈弟虎（中山大学）
离子束合成表层、埋层 -SiC薄膜制备及性质研究* 9：25- 9：50
刘 斌（南京大学）
P型AlxGa1-xN 薄膜光电学性质研究* 9：50-10：05
李青民（西安理工大学）
HWCVD法在6H-SiC上异质外延3C-SiC
10：05-10：20
李连碧（西安理工大学）
SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理
10：20-10：35
休息 10：35-10：50
邓金祥（北京工业大学）
三步法制备立方氮化硼薄膜
10：50-11：05
邓金祥（北京工业大学）
氮气含量对沉积BN薄膜的影响
11：05-11：20
郭 辉（西安电子科技大学）
利用SiC:Ge形成SiC欧姆接触中间层
11：20-11：35
曹全君（西安电子科技大学）
4H-SiC MESFET新型大信号模型在ADS中的自定义实现
11：35-11：50
王悦湖（西安电子科技大学）
4H-SiC同质外延膜的研究
12：00-13：30
午餐 13：30-13：55
桑立雯（北京大学）
GaN/AlGaN 超晶格过渡层对生长在GaN模板层上的AlGaN 位错密度的影响*
13：55-14：20
张志国（十三所）
AlGaN/GaN HFET电流崩塌效应的研究*
14：20-14：35
尹甲运（专用集成电路国家重点实验室）
AlN初始形核对Si(111)衬
底GaN材料的影响
14：35-14：50
方 浩（北京大学）
选区生长GaN基LED的研究
14：50-15：05
哈斯花（内蒙古大学）
应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应
15：05-15：20
休息 15：20-15：35
韩 奎（北京大学）
AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质由扩散区域向弹道区域的转变
15：35-15：50
黄 森（北京大学）
Au/Ni/GaN肖特基二极管的高温电流输运机制研究
15：50-16：05
景微娜（河北工业大学）
衬底处理对GaN外延层中应力的影响
16：05-16：20
鲁 麟（北京大学）
高阻GaN外延薄膜中缺陷形貌的透射电镜研究
16：20-16：35
陈国强（南京大学）
不同钝化介质层对AlGaN/GaN异质结构高温性质的影响
16：35-16：50
毛明华（厦门大学）
GaN基发光二极管的电极优化
16：50-17：05
廖 辉（北京大学）
三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究
17：05-17：20
周 劲（北京大学）
AlGaN/GaN 弱耦合多量子阱共振隧穿
17：20-17：35
李香萍（吉林大学）
MOCVD法制备ZnO薄膜的正交试验设计 * 邀请报告
日期：9月9日
时间
报告人
报告内容 8：30- 8：55
唐 宁（北京大学）
光照对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响* 8：55- 9：20
王 超（西安电子科大）
钒掺杂半绝缘6H-SiC单晶生长及特性研究* 9：20- 9：45
周绪荣（北京大学）
蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响* 9：45-10：00
刘启佳（南京大学）
生长温度对AlGaInN的MOCVD生长的影响
10：00-10：15
休息 10：15-10：30
张志国 （砷化镓国防科技重点实验室）
8GHz输出功率功
率密度为11.7W/mm的凹栅AlGaN/GaN HFET的研究
10：30-10：45
张志国 （砷化镓国防科技重点实验室）
8GHZ输出功率为34W凹栅AlGaN/GaN HEMT的研究
10：45-11：00
梁 栋（专用集成电路实验室）
高铝组份AlGaN材料晶体质量和表面形貌研究
11：00-11：15
李 佳（西安理工大学）
HWCVD法在6H-SiC上异质外延p-SiCGe
11：15-11：30
王成伟（西北师范大学）
阳极氧化法制备高度有序的多孔TiO2薄膜的工艺研究
11：30-11：45
尚景智（厦门大学）
与GaN晶格匹配的AlInN薄膜的外延生长
12：00-14：00
午餐 14：00-14：25
谢自力（南京大学）
MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质*
14：25-14：50
贺小伟（北京大学）
单轴应变对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气圆偏振自旋光电效应的影响*
14：50-15：05
李 弋（南京大学）
高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
15：05-15：20
杨 霏（电子科技集团第十三研究所）
碳化硅器件制备中干法刻蚀工艺的研究
15：20-15：35
张晓敏（北京大学）
Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响
15：35-15：45
休息 15：45-16：00
王茂俊（北京大学）
SiNx钝化对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气高温输运性质的影响
16：00-16：15
崔旭高（南京大学）
利用MOCVD设备生长Mn掺杂GaN稀释磁性半导体材料
16：15-16：30
陈志涛（北京大学）
MOCVD Mn-delta生长GaN:Mn的结构和磁学性质 * 邀请报告
C 会 场
会议主题：低维量子结构，量子阱和超晶格的物理性质；半导体自旋电子学
地点：逸夫科学馆报告厅202
日期：9月8日
物联网电池时间
报告人
报告内容 9：00- 9：25
陈坤基（南京大学）
自组装Si纳米环结构的制备和气相自限制生长模型* 9：25- 9：50
卢海舟（清华大学）
声子辅助非弹性电子隧穿中的并谐原理* 9：50-10：15
陆 昉（复旦大学）
锗硅双层量子点耦合效应的研究*
10：15-10：25
休息 10：25-10：50
张继华（电子科技大学）
碳纳米管的改性及其场发射性能研究*
10：50-11：15
王宝瑞（半导体研究所）
InGaAs/GaAs量子点链状结构光学性质的研究*
11：15-11：30
蔡其佳（复旦大学）
Ge/Si 量子点退火特性研究
11：30-11：45
黄 凯（兰州大学）
氧化钨纳米针尖阵列的制备与场发射性能研究
11：45-12：00
李 汐（复旦大学）
飞秒激光刻蚀GaAs表面所形成纳米结构的研究
12：00-13：30
午餐 13：30-13：55
施 毅（南京大学）
半导体异质结构纳米线及其光电子器件*
13：55-14：20
张树霖（北京大学）
低维半导体的振动模并没有出现量子限制效应*
14：20-14：45
朱元慧（半导体研究所）
DMS量子球磁场下电子空穴态*
14：45-15：00
休息 15：00-15：15
陈坤基（南京大学）
硅基光量子点的气相共形生长制备及光学模式的量子特征
15：15-15：30
陶镇生（复旦大学）
生长在GeSi应变合金层上的Ge量子点的PL及DLTS研究
15：30-15：45
李 春（兰州大学）
铜掺杂非晶金刚
蒸汽吸尘器
石纳米点阵列的场发射性能研究
15：45-16：00
李大鹏（中科大）
ZnO超晶格纳米带Raman光谱
16：00-16：15
潘清涛（兰州大学）
水溶液制备纺锤状钴掺杂氧化锌
16：15-16：30
林健晖（复旦大学）
Si覆盖层对自组织生长Ge/Si量子点组分、应变的影响
16：30-16：45
刘力哲（河北师范大学）
磁场对耦合双量子盘中类氢杂质性质的影响
16：45-17：00
王秀华（兰州大学）
硫掺杂ZnO纳米线的电化学制备及发光特性
17：00-17：15
周志玉（厦门大学）
Ge/Si(100) 量子点生长与形态分布的研究
17：15-17：30
徐天宁（浙江大学）
IV-VI半导体量子点光学性质及理论模拟
17：30-17：45
刘卯鑫（北京大学）
近均一尺寸ZnO纳米材料多声子Raman谱与尺寸限制效应
* 邀请报告
日期：9月9日
玻璃毛细管时间
报告人
报告内容 8：30- 8：55
蒋建华（中科大）
Reexamination of Spin Decoherence in Semiconductor Quantum Dots from Equat
ion-of-Motion Approach* 8：55- 9：20
程晋罗（中科大）
Anisotropic spin transport in GaAs quantum wells in the presence of competing Dresselhaus and Rashba spin-orbit coupling* 9：20- 9：45
庞智勇（山东大学）
LSMO/Alq3/Co有机自旋阀中的正巨磁电阻效应* 9：45-10：00
翁明其（中科大）
Time Evolution of Transient Spin Gating
10：00-10：15
休 息 10：15-10：30
蒋建华（中科大）
Spin Relaxation in an InAs Quantum Dot in the presence of Terahertz Driving Fields
10：
30-10：45
吕 翔（上海技术物理所）
量子阱热导率尺寸效应的理论研究
10：45-11：00
马丽丽（上海技术物理所）
不同密度InAs/GaAs自组织量子点的光致发光比较研究
11：00-11：15
张 鹏（中科大）
Non-Markovian Spin Dephasing in p-Type GaAs Quantum Wells
11：15-11：30
张国煜（南京大学）
高温高压条件合成Co掺杂的ZnO基DMS及其磁性特征
11：30-11：45
周 俊（中科大）
Spin relaxation due to the BAP mechanism in GaAs quantum wells from a fully microscopic approach
12：00-14：00
午 餐 14：00-14：15
鲁 军（半导体研究所）
Fe/GaAs异质结构的分子束外延生长及磁性研究
14：15-14：30
罗海辉（半导体研究所）
电子自旋横向驰豫时间随磁场的非平凡变化
14：30-14：45
周 蓉（半导体研究所）
时间分辨克尔旋光测量稀磁半导体（Ga,Mn）As的有效g因子
14：45-15：00
阮学忠（半导体研究所）
电子间相互作用对电子自旋驰豫过程的影响
15：00-15：15
沈 卡（中科大）
riplet-Singlet Relaxation in Semiconductor Quantum Dots
15：15-15：30
休 息 15：30-15：45
程晋罗（中科大）
Kinetic Investigation of Extrinsic Spin Hall Effect induced by Skew Scattering
15：45-16：00
王元元（中科大）
Control of Spin Coherence in Semiconductor Double Quantum 16：00-16：15
徐大庆（西安电子科大）
自旋极化电子从铁磁金属通过肖特基势垒注入半导体时自旋极化的研究
* 邀请报告
D 会 场
会议主题：新概念、新器件；宽、窄禁带半导体
格子衬衫面料地点：逸夫科学馆203
日期：9月8日
时间
报告人
报告内容 9：00- 9：25
郑婉华（半导体研究所）
单偶极模光子晶体激光器的研究* 9：25- 9：50
张 永（厦门大学）
不同发射极指数的SiGe HBT直流特性分析* 9：50-10：15
曹玉莲（半导体研究所）
P型掺杂1.3 μm量子点激光器的制作及特性研究*
10：15-10：30
休息 10：30-10：55
徐 骏（南京大学）
纳米氧化铟和稀土共掺杂二氧化硅薄膜的结构和光学性质研究*
10：55-11：10
蔡雪原（兰州大学）
非平衡格林函数法在纳米MOS器件分析中的应用
11：10-11：25
陈 锐（厦门大学）
THz Si/SiGe量子级联激光器波导模拟
11：25-11：40
杜晓宇（半导体研究所）
慢光在光子晶体弯曲波导中的高透射传播
11：40-11：55
季海铭（半导体研
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
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