第３４卷第４期・７３４・２００８年４月
ＨｉｇｈＶｏｌｔａｇｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ
Ｖ０１．３４ＮＯ．４
Ａｐｒ．２００８
廖平，陈峰，马洪秋
（中南大学机电工程学院，长沙４１００８３）
摘要：为满足高压电源小型化、智能化的要求，介绍了以ＡＴｍｅｇａｌ６单片机为核心的智能数控高压直流电源的软硬件实现方法。采用软件仿真和硬件电路调试相结合的方法，对模拟电路部分的主要功能模块进行了详细说明，重点讨论了控制电路中高频ＰＷＭ方波产生的原理、驱动方案以及输出电压／电流信号的采样反馈，并简要叙述了其他控制电路的设计思路。试验证明：该电源完全可以于核辐射探 测仪器等领域，且具有密码保护、集成度高、数字控制、人机界面友好、输出电压持续可调、自动过压过流保护等优点。
关键词：ＡＴｍｅｇａｌ６；智能数控；高压直流；高频ＰＷＭ方波；ＰＷＭ驱动；过压过流保护
中图分类号：ＴＭ８６文献标志码：Ａ文章编号：１００３－６５２０（２００８）０４－０７３４－０５
ＤｅｓｉｇｎｏｆＩｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔＤｉｇｉｔａｌＣｏｎｔｒｏｌＨＶＤＣＰｏｗｅｒＳｕｐｐｌｙｗｉｔｈＡＴｍｅｇａｌ６
ＬＩＡＯＰｉｎｇ，ＣＨＥＮＦｅｎｇ，ＭＡＨｏｎｇ—ｑｉｕ
（ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＭｅｃｈａｎｉｃａｌａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＣｅｎｔｒａｌＳｏｕｔｈＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｓｈａ４１００８３，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｍａｉｎｌｙｉｎｔｒｏｄｕｃｅｓｔｈｅｒｅａｌｉｚａｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄｏｆｈａｒｄｗａｒｅａｎｄｓｏｆｔｗａｒｅｏｆｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔｄｉｇｉｔａｌｃｏｎｔｒｏｌｈｉｇｈ－ｖｏｌｔａｇｅｄｉｒｅｃｔｃｕｒｒｅｎｔｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙｂｙｔａｋｉｎｇＡＴｍｅｇａｌ６ａｓｔｈｅｃｏｒｅ．Ｂｏｔｈｔｈｅｓｏｆ
ｔｗａｒｅｅｍｕｌａｔｉｏｎａｎｄｈａｒｄ—ｗａｒｅｃｉｒｃｕｉｔｄｅｂｕｇｇｉｎｇａｒｅａｄｏｐｔｅｄｔｏａｃｈｉｅｖｅｔｈｏｓｅｆｕｎｃｔｉｏｎｓｏｆｔｈｅｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙ．Ｔｈｅｗｏｒｋｐｒｉｎｃｉｐｌｅｏｆｔｈｅｓｙｓｔｅｍ
ｉｓｇｅｎｅｒａｌｌｙｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ．ｔｈｅｎｔｈｅａｎａｌｏｇｕｅ
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ｓｋｉｎｔｏｓｅｖｅｒａｌｍｏｄｕｌｅｓ。ｔａｋｉｎｇｔＷＯｆｌｏｗｃｈａｒｔｓｏｆＰＷＭｃｏｎｔｒｏｌａｎｄｓｔｅａｄｙｖｏｌｔａｇｅａｄｊｕｓｔｍｅｎｔｆｏｒｅｘａｍｐｌｅｓ．Ｔｈｅｓｙｓｔｅｍａ—ｄｏｐｔｓｋｅｙｂｏａｒｄａｎｄＬＣＤｔｏｉｍｐｌｅｍｅｎｔｍａｎ－ｍａｃｈｉｎｅｃｏｎｖｅｒｓａｔｉｏｎａｎｄｇｅｔｓｆｒｉｅｎｄｌｙｍａｎ—ｍａｃｈｉｎｅｉｎｔｅｒｆａｃｅ．Ｔｅｓｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｉｓｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙｃａｎｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙｂｅｕｓｅｄｉｎｔｈｅｄｏｍａｉｎｓｕｃｈａｓｎｕｃｌｅｕｓｒａｄｉａｔｉｏｎｄｅｔｅｃｔｉｏｎｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ．Ｔｈｉｓｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙｈａｓｍａｎｙａｄｖａｎｔａｇｅｓｓｕｃｈａｓｐａｓｓｗｏｒｄｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ。ｈｉｇｈｌｙ－ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ。ｄｉｇｉｔａｌｃｏｎｔｒｏｌ，ｄｕｒａｔｉｖｅｏｕｔｐｕｔｖｏｌｔａｇｅａｄｊｕｓｔｉｎｇａｎｄａｕｔｏｍａｔｉｃａｌｌｙｏｖｅｒ．ｖ０１ｔａｇｅ／ｏｖｅｒ－ｃｕｒｒｅｎｔｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ａｔｍｅｇａｌ６；ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔｄｉｇｉｔａｌｃｏｎｔｒｏｌ；ＨＶＤＣ；ｈｉｇｈ—ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ
ＰＷＭｓｑｕａｒｅｗａｖｅ；ＰＷＭｄｒｉｖｉｎｇ；ｏｖｅｒ－ｖｏｌｔａｇｅ／ｏｖｅｒ—ｃｕｒｒｅｎｔｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ
０引言１系统基本工作原理
直流高压发生器广泛应用于高压电气设备的直流耐压试验、核辐射探测仪器等领域中。但早期的直流高压发生器多为模拟式控制，电压值由电压表头指示。这种控制方式调整麻烦、响应速度慢、精度低，更不能在大负载和其他异常情况下自动监测和自我保护。在升压方面采用低频或中频技术，电源体积大、电路复杂［１矗］。而高压电源的小型化、智能化是当今电源技术发展的重要方向之一［３］。本文设计中以ＡＴｍｅｇａｌ６单片机作为控制核心，采用ＩＧ—ＢＴ作为开关功率管，使用高频ＰＷＭ技术（逆变频率选常用的２０ｋＨｚ），减小了升压器体积，实现了数字控制和自动监测和保护，很好地满足了上述要求。
系统工作原理框图见图１，工频交流电（２２０ｖ／５０Ｈｚ）经过全桥整流、滤波后得到约３１０Ｖ的直流电压，在ＡＴｍｅｇａｌ６单片机产生的ＰＷＭ信号控制下，经过全桥逆变电路转换为占空比可调的高频方波交流电压，再送至高频变压器进行升压。升压后经过倍压整流即得到所需的直流高压输出供给负载使用。在高压输出端用霍尔传感器进行电压电流采样反馈给单片机处理。控制系统的核心器件ＡＴ—ｍｅｇａｌ６单片机通过键盘输入和液晶显示实现人机对话，根据所输入的电压参数经计算后输出所需占空比的ＰＷＭ信号，ＰＷＭ信号经隔离和驱动后供全桥逆变电路工作；单片机对反馈的电压电流信号进行Ａ／Ｄ转换和计算，将结果实时地显示在液晶屏
万方数据
２００８年４月高电压技术第３４卷第４期・７３５・
考罄篆谶萎喜淼誓器５０Ｈ肼珥犀
的占空比使输出电压稳定；或在电压过高时关闭电：’ｌ滤波厂］逆变厂一Ｉ升压压输出，实现过压过流保护。ｆ
２电源主电路设计
电源主电路中的整流滤波电路和高频升压电路
原理简单，且技术已相当成熟，在此不再赘述。本文
就全桥逆变电路和倍压整流电路设计进行阐述。
２．１全桥逆变电路
全桥逆变电路见图２，由Ｈ桥电路、电容Ｃ。和
升压器Ｔ。的原边组成。功率开关管选用日本富士
公司生产的绝缘栅极晶体管（ＩＧＢＴ）１ＭＢＨ５０Ｄ－０６０
（６００Ｖ／５０Ａ），此ＩＧＢＴ管能连续监控电流，实现
鞋帮
高效的过流保护和短路保护；管内集成有过热保护
和欠压锁定保护电路，还集成有快速恢复二极管作
为缓冲保护，进一步提高了系统的可靠性。图２中
互为对角的两个ＩＧＢＴ管在ＰＷＭ信号控制下轮流
导通和截止，这样就在升压器Ｔ，的原边产生了高频
矩形交流方波电压，供升压器升压［４。６］。图中电容
Ｃ１选取耐压＞３５０Ｖ，容值０．１“Ｆ即可，既起到隔直
作用，还能有效滤除高频方波中的尖峰电压。
主轴加工
２．２倍压整流电路
倍压整流电路适用于输出直流高电压、小电流
的场所。采用倍压整流电路不仅可以使整机缩小体
积、减轻重量，而且还具有输出电压稳定、脉冲幅度
低、自动适应负载变化，即具有软的负载特性的优
点Ｕ，ｓ３。设计中采用４倍压整流电路输出直流高压，
电路由４个倍压电容器和高压整流硅堆（４个二极
管）组成（见图３）。
分析可知，待电路稳定后，除电容Ｃ。上的充电
电压为Ｕ（变压器副边输出电压）外，其余电容上的
电压均为２Ｕ。负载Ｒ，上得到Ｃｚ、Ｃ４上的电压之和当铺网
即为４Ｕ，达到了４倍压的目的。倍压电容的选取与
电源的最大输出电流和电路开关频率有关，一般先
用经验公式计算再经实验调试后确定［９］。本设计中
容值取为７５０ｐＦ，电容耐压值和整流硅堆的反向耐
压值均为２Ｕ＝２５ｋＶ，考虑留有一定的余量，最大耐
压值取为３０ｋＶ。
３控制电路设计
数控高压电源控制电路的核心是ＡＴｍｅｇａｌ６
单片机，要求单片机系统能进行电压设定，实现对电
压的实时闭环控制，实时采样并显示当前输出的电
流电压参数，以下分别叙述。
３．１ＰＷＭ发生电路设计
以往高压发生器中ＰＷＭ方波的产生是借助于霪舞伴
ＰＷＭ驱动器Ｉ
ＰＷＭ信号ｌ
厂—Ａ—Ｔ—ｍ翮ｅｇａｌ６．皇垦皇堕垦堡堡兰
Ｌ！竺！竺竺竺．！里！
键盘ｌＩ显示
图１智能数控高压直流电源工作原理框图
Ｆｉｇ．１Ｗｏｒｋｉｎｇｐｒｉｎｃｉｐｌｅｃｈａｒｔｏｆｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔｄｉｇｉｔａｌ
ｃｏｎｔｒｏｌＨＶＤＣｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙ
ＤＣ３１０Ｖ
图２全桥逆变电路图
Ｆｉｇ．２Ｃｉｒｃｕｉｔｄｉａｇｒａｍ
ｏｆｗｈｏｌｅｂｒｉｄｇｅａｔｈｗａｒｔｃｏｎｖｅｒｔｉｎｇ
图３倍压整流电路图
Ｆｉｇ．３Ｃｉｒｃｕｉｔｄｉａｇｒａｍ
ｏｆｄｏｕｂｌｅｖｏｌｔａｇｅｃｏｍｍｕｔａｔｉｏｎ
专用的ＰＷＭ发生芯片，如ＳＧ３５２５、ＴＬ４９４等，通
过调节给定比较电压值来输出不同占空比的ＰＷＭ
方波。如要实现数字输入控制，还要给单片机外接
Ｄ／Ａ转换芯片将数字控制信号转换为模拟电压控
制信号。外部电路复杂且精度不高，如ＰＷＭ信号
的死区时间通过外接Ｒ、Ｃ元件来决定，不方便调节
且特定值的元件选取也比较麻烦；输入比较电压值
容易受外界的干扰而导致输出ＰＷＭ波占空比发生
意外变化。本设计中利用ＡＴｍｅｇａｌ６单片机相频
修正ＰＷＭ功能来产生高精度的、相位与频率都准
确的ＰＷＭ波形，仅用一片单片机便实现了数字控
制输出所需占空比ＰＷＭ方波的功能，集成度高且
相频稳定。工作原理简述如下：相频修正模式
ＰＷＭ波形的控制和输出是在ＡＴｍｅｇａｌ６单片机的
１６位计数器／定时器Ｔ／Ｃ，基础上实现的（见图４），
相频修正ＰＷＭ模式基于双斜坡操作，计时器重复 万方数据
・７３６・Ａｐｒ．２００８ＨｉｇｈＶｏｌｔａｇｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＶ０１．３４Ｎｏ．４地从ＢＯＴＴＯＭ计数到ＴＯＰ，然后又从ＴＯＰ倒退
回到ＢＯＴＴＯＭ。在一般比较输出模式下，当计时器往ＴＯＰ计数时若数据寄存器ＴＣＮＴｌ与输出比较寄存器ＯＣＲＩＡ／ＯＣＲＩＢ匹配，输出引脚ＯＣｌＡ／ＯＣｌＢ将清０为低电平；而当计
时器往ＢＯＴＴＯＭ计数时ＴＣＮＴｌ与ＯＣＲｌＡ／ＯＣＲｌＢ匹配，ＯＣｌＡ／ＯＣｌＢ将置位为高电平。工作于反向输出比较时则正好相反。由于ＯＣＲｌＡ／ＯＣＲｌＢ中的比较匹配值在ＢＯＴＴＯＭ处得到更新，上升与下降斜坡长度始终相等，因此输出脉冲在所有的周期中均为对称信号，确保了频率的正确口“１２］。
本设计中采用固定的ＰＷＭ频率，故使用ＩＣＲｌ寄存器定义固定ＴＯＰ值，这样ＯＣＲｌＡ和ＯＣＲＩＢ就可以输出两路ＰＷＭ方波。为使输出的两路ＰＷＭ波相位相差１８０。，设置Ｔ／Ｃ。的ＴＣＣＲｌＡ（控制寄存器Ａ）一ＯｘｂＯ，ＴＣＣＲｌＢ（控制寄存器Ｂ）一Ｏｘｌｌ，即ＯＣＲｌＡ升序计数时匹配清０，降序计数时匹配置位；ＯＣＲｌＢ升序计数时匹配置位，降序计数时匹配清０。采用相频修正ＰＷＭ模式８，输入捕捉寄存器ＩＣＲｌ用来寄存固定的ＴＯＰ值。电源逆变频率为当前最常用的２０ｋＨｚ，单片机系统晶振为８ＭＨｚ的无源晶振，直接用作计数器的工作时钟，即分频因子Ｎ＝１，由图４可知，ＩＣＲｌ中的ＴＯＰ—Ｆｃｒｕ／２Ｎｆ＝２００。为使输出的两路ＰＷＭ波幅度相等、相位相反，输出比较寄存器中的值应满足如下关系：若当前ＯＣＲｌＡ中的比较值为Ｃ，则ＯＣＲｌＢ中的比较值应为ＴＯＰ—Ｃ。设当前的占空比为Ｎ，则：Ｎ＝２Ｃ／２００＝Ｃ％。此占空比为输出的总占空比，输出的两路ＰＷＭ方波占空比各为Ｎ／２。为防止上下两桥臂同时导通，规定系统最大占空比为９０％，则两路ＰＷＭ方波之间的死区时间ｔ。。与１ＭＢＨ５０ｎ０６０最大导通时间和最大截止时间（由数据手册查得）之和两者的关系如下式，ｔｏｆｆ－一－
１Ｘ９０％Ｉ（２０ｘ１０３Ⅻ）＝２．５弘ｓ＞Ｏ．６＋０．３５－－－－０．９５弘ｓ，可知预留的死区时间足以保证系统的安全。
３．２ＰＷＭ驱动电路设计
从单片机中输出的ＰＷＭ方波最高电压值只有５Ｖ，而选用的ＩＧＢＴ管导通工作所需的门射极电压范围为１０～２０Ｖ，故需要经过驱动才能提供ＩＧＢＴ管正常工作。本设计中采用两片ＩＲ２１１３分别驱动同侧的两路桥臂，高压侧驱动采用悬浮自举电源电路，其自举原理简述如下：ＩＲ２１１３驱动半桥的电路见图５，图中Ｃ－、Ｄ。分别为自举电容和二极管、ｃ２为Ｕｃｃ的滤波电容。假定在Ｓ，关断期间Ｃ，已充到足够的电压（【，ｃｔ≈－Ｕｃｃ）。当ＨＩＮ为高电平时ＵＭ。开通，ＵＭ２关断，Ｕｃｌ加到Ｓ，的门极和发射极之间，Ｃ，通过
ＯＣＲｌＢ－一
ＯＣＲｌＡ．一・
８０裟ｊ曲封』曲ｉｏｃ。Ｂ
ｒ］ｒ］ｒ］广１厂
图４相频修正ＰＷＭ产生原理图
Ｆｉｇ．４Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｃｈａｒｔｏｆｐｈａｓｅａｎｄｆｒｅｑｕｅｎｃｙ
ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎＰＷＭｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ
图５ＩＲ２１１３自举驱动半桥电路原理图
Ｆｉｇ．５ＣｉｒｃｕｉｔｄｉａｇｒａｍｏｆＩＲ２１１３Ｓｅｌｆ－ｒａｉｓｅ
ｔｏｄｒｉｖｅｈａｌｆｂｒｉｄｇｅ
【，Ｍ－、Ｒ。和Ｓ。门极栅极电容Ｃｇｃｌ放电，Ｃ。，被充电，此时Ｕｃ。可等效为一个电压源。当ＨＩＮ为低电平时ＵＭ：开通，ＵＭ。关断，Ｓ。栅电荷经开关二极管Ｄ。、【，№迅速释放，Ｓ。关断。经短暂的死区时间之后，ＬＩＮ为高电平，Ｓ：开通，己厂ｃｃ经Ｄ。、Ｓ：给Ｃ，充电，迅速为Ｃ。补充能量。如此循环反复［１３’１４｜。
自举电路中最重要的是自举电容和自举二极管的选取，选取原则如下：假定在器件导通后，自举电容两端电压比器件充分导通所需要的电压（最小值为８．５Ｖ）要高，再假定在自举电容充电路径上有４．３Ｖ的压降（快恢复二极管ＦＲｌ０４最大正向压降１．３Ｖ，ＩＧＢＴ导通时饱和压降最大为３．０Ｖ），最后假定有１／２的栅电压（栅极门槛电压ＵＴＨ通常为３～５Ｖ）因泄漏电流引起电压降。１ＭＢＨ５０Ｄ－０６０充分导通时所需要的栅电荷Ｑ约为２５０ｎＣ，泄露电流Ｊ。＝２０
ｍＡ（由特性曲线查得），Ｕｃｃ＝１５Ｖ。综合上述条件，此时选用的自举电容应满足下式：Ｃ－＝（２１。Ｑ。）／（Ｕｃｃ—Ｌ厂ｆ—ＵＬｓ）≈０．２７弘Ｆ。理论上自举电容Ｃ应选取较大的容值以存储更多的电荷保证ＩＧＢＴ管的充分导通；但从低压侧最窄导通时间考虑，下管的最窄导通时间应保证自举电容能够充足够的电荷，以满足Ｃ。。所需要的电荷量再加上功率器件稳态导通时因漏电流所损失的电荷量，所以自举电容应足够小以满足快速充电口引。设计中经过计算和调试，最终选取容值为０．４７弘Ｆ、耐压值为５０Ｖ的钽电容。自举二极管阻断直流干线上的高压，所承受的电流是栅极电荷与开关频率之积，设计中选择ＦＲｌ０４（最高反压为４００Ｖ，最大反向漏电流为５
万方数据
２００８年４月高电压技术第３４卷第４期・７３７・
图６电压信号采样电路
Ｆｉｇ．６Ｓａｍｐｌｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｏｆｖｏｌｔａｇｅｓｉｇｎａｌ
图７电流信号采样电路
Ｆｉｇ．７Ｓａｍｐｌｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｏｆｃｕｒｒｅｎｔｓｉｇｎａｌ
弘Ａ）的快恢复二极管作为自举二极管。
３．３电压电流反馈信号采样电路
ＡＴｍｅｇａｌ６单片机内集成了８通道１０位的Ａ／Ｄ转换器，故采样得到的电压电流信号经过前置电路处理后直接送入单片机中进行Ａ／Ｄ转换。设计如布：反馈电压的采样见图６，为使采样系统与高压电路隔离，先用分压比为１００：１高精度温度敏感系数低的高压电阻分压器取样０～５００Ｖ的电压输出，再经霍尔电压传感器转换为０～５Ｖ的输出。为防止反馈电压对Ａ／Ｄ转换器件的冲击，输出电压经过ＬＭ７４１同相跟随器（作缓冲用）后，一路经电容去耦接到单片机的Ａ／Ｄ转换ＡＤＯ口；另一路输出电压通过电压比较器ＬＭ３１１，与设定的电压（电压值由稳压二极管决定）进行比较，一旦输出电压高于设定电压，ＬＭ３１１输出便翻转为高电平，接到ＩＲ２１１３的ＳＤ端关断ＩＲ２１１３的输出，同时单片机内部通过软件关闭ＰＷＭ输出，实现系统的两级过压保护。
电流反馈的采样见图７，用变比为１：１０的电流互感器从母线上直接互感得到１０倍的电流值，经过精密Ｉ／Ｖ转换芯片ＭＡＸ４７１转换成电压信号，再通过ＬＭ７４１进行增益放大，放大后的电压信号再接入到单片机的Ａ／Ｄ转换ＡＤｌ口供单片机处理。３．４其他控制电路设计
因系统需要进行电压参数输入、电压电流反馈值的实时显示等，设计了矩阵键盘和液晶显示作为人机对话的媒介。针对ＡＴｍｅｇａｌ６集成的５１２字节的ＥＥＰＲＯＭ，系统还设计了密码保护功能。开机时ＣＰＵ从ＥＥＰＲＯＭ中读出预设的密码，与用户输入的密码比较，输入正确方可启动电
源；用户还可以修改密码，修改后的密码送入ＥＥＰＲｏＭ中覆盖原来的预存密码。密码保护的设计能有效地阻止非技术人员开机可能造成的意外。
４系统软件设计
整个系统软件设计采用了模块化的程序设计思想，将每个具体的功能分别集成在独立的子程序模块内，这样可以使程序结构清晰，功能调用简单方便［１引。编程语言选择结构清晰、可读性强、移植性高的Ｃ语言，利用单片机本身的ＪＴＡＧ接口，结合相关的软件开发平台，提高了软件开发的效率。整个系统软件包括键盘扫描模块、液晶显示模块、密码修改模块、脉宽调制控制模块、Ａ／Ｄ转换模块、稳压调节模块和过压过流保护模块等。本文仅给出ＰＷＭ控制模块和稳压调节模块流程图（见图８、９）。５结语
与以往的高压发生器相比，本文电源最大的优点是集成度高、功能齐全。许多由外围硬件电路实现的功能都集中到单片机中由单片机来完成；尤其是可调占空比ＰＷＭ方波的产生，不依赖于ＰＷＭ
离心制丸机
万方数据
FOSY・７３８・Ａｐｒ．２００８ＨｉｇｈＶｏｌｔａｇｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＶ０１．３４Ｎｏ．４
中断程序入口
Ｉ电压参数输入
弋≯／念．
计算得ＰＷＭ占空比
透平式压缩机Ｉ
计算得Ｔ／Ｃ。比较匹配值
Ｉ
更新比较寄存器ｏｃＲｌＡ／ｏｃＲｌＢ值
ｌ
中断返回
图８ＰＷＭ控制流程图
Ｆｉｇ．８Ｆｌｏｗｃｈａｒｔｏｆ
ＰＷＭｃｏｎｔｒｏｌ
图９稳压调节流程图
Ｆｉｇ．９Ｆｌｏｗｃｈａｒｔｏｆｓｔｅａｄｙｖｏｌｔａｇｅａｄｊｕｓｔｍｅｎｔ
发生芯片，采用单片机硬件加软件的方法来实现，控制简单，相频稳定且精度很高。且由于电源可以在ｏ～５０ｋＶ内输出电压持续可调，具有通用性，故可适用于多种高压电源的应用场所。
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廖平１９６４一，男。博士，教授，主要从
事计算机监控、机电一体化技术
研究。电话：（０７３１）８８３０２４５；Ｅ—
ｍａｉｌ：ｌｉａｏｐｉｎ９０＠１６３．ｃｏｒｎ
廖平
Ｐｈ．Ｄ．ＬＩＡＯＰｉｎｇ
收稿日期２００７—０６—０６
编辑任明
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