首页 > 专利技术

一种横向导电结构SiC MOSFET功率器件[发明专利]

专利名称：一种横向导电结构SiC MOSFET功率器件专利类型：发明专利

发明人：贾仁需，汪钰成，吕红亮，张玉明

申请号：CN201510486076.4

申请日：20150807

陶瓷发簪公开号：CN105097937A

烧镁砖公开日：

20151125

专利内容由知识产权出版社提供

喷淋洗眼器

地磁指数预报摘要：本发明实施例涉及一种横向导电结构SiC？MOSFET功率器件，所述SiC？MOSFET功率器件自上而下包括：栅极、SiO隔离介质层、N漏区、N源区、P欧姆接触区、P阱、N漂移区和P型SiC衬底；其中，N漏区、N源区和P欧姆接触区水平设置，N源区和P欧姆接触区位于P阱内；在SiO隔离介质层与N漂移区之间的界面具有一层等离子体增强化学气相淀积PECVDSiO界面层。

申请人：西安电子科技大学

地址：710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

国籍：CN温度自动控制系统

音频编解码芯片代理机构：北京亿腾知识产权代理事务所

代理人：陈霁

本文发布于:2024-09-23 03:10:57，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/3/203628.html

上一篇：SiC器件关键技术与工艺集成(新)

下一篇：LED芯片知识大解密