学院：电子信息学院
专业：光电子科学与技术
学号：1142052022
姓名：代中华
一 引言
虽然半导体激光器可以直接进行调制产生光信号，但是在高速率调制状态下会产生严重的啁啾，将不利于长距离、大容量的干线光纤通信传输。如果让激光器只是静态直流工作，再外加光外调制器调制光信号，则可能减小频率啁啾，从而大大提高信号传输性能，以成为大容量长距离光线系统光源。在各种光调制器中，半导体光调制器既具有优良的光调制特性，又具有体积小、功率低的优点，从而得到了广泛采用。
半导体光调制器可分为强度调制器件和相位调制器件。在目前的光纤通信系统中，主要采用强度检测方式，所以强度调制型光调制器的研制占着绝大多数的比重。目前得到广泛采用的半导体强度调制器主要有两种：利用量子限制斯塔克效应(quantum-confined-Stark effect, QCSE)的电吸收(Electroabsorption, EA)调制器和Mach-Zehnder(M-Z)型光调制器。
二 电吸收调制器
电吸收调制器是依靠材料在外电场中吸收率发生变化来工作的。调制器结构不同，产生电吸收的机理也不尽相同。按照调制器的结构，可以分为体材料、超晶格和多量子阱三类，其机理又可以分为三种：1. Franz-Keldysh 效应2. Wannier-Stark局域化效应3. 量子限制Stark效应。下面分别介绍这三种效应。
1. Franz-Keldysh 效应
在体材料电吸收型调制器中，吸收层采用的是体材料(Butt Material)，依靠Franz-Keldysh
效应实现调制。
在体材料中，光子吸收主要发生在价带电子被受激跃迁到导带的情况。外电场使能带倾斜，当外电场很强时，价带电子通过隧穿跃迁到导带的几率大大增加，有效能隙减小，使得吸收边发生红移，这种效应就是单向离合器轴承Franz-Keldysh 效应。
由于体材料电吸收调制器的有源层厚度在几百纳米量级，生长控制比较简单；有源层结构对光生载流子的限制较小，光生载流子的逸出相对于多量子阱调制器容易，因而在大功率下的调制特性上，体材料调制器有一些优势。另外，和 直接调制方式相比，其频率啁啾也比较小。．
超晶格型电吸收光调制器图 6.1
加上体材料的抛物型能态密度，效应的特点是带间跃迁，但是，Franz-Keldysh消光比小等缺调制电压高、所以体材料调制器具有吸收率随调制电压变化缓慢、 点。
2. Wannier-Stark局域化效应
超晶格型电吸收光调制器图 6.1
变量泵在超晶超晶格电吸收调制器采用半导体超晶格材料来制作调制器的吸收层。外电场会使本来通过共振隧穿在耦合很强的各个量子阱间作共有化运格材料中，伴随着这一，Wannier-Stark即局域化效应)(动的载流子重新局域到各个量子阱中阶梯跃迁的阱间跃迁，它们会造成吸收峰的位置过程，将出现一系列称为Stark随外电场强度的变化基本上呈现线性的移动。利用这种吸收峰和吸收边的移动，是这类调制器的典型调制特性。6.1可以得到调制电压很低的电吸收调制器。图
在弱电场下时依靠阱间跃迁产生吸收，但是当电场超过一定强度时其阱间跃迁几率迅速减小，因此在调制特性上形成了一个谷点，因此这种调制器的调制电压也只能工作于较低的电压下，从而限制了其消光比。
超晶格型调制器的突出优点是调制电压低，消光比可达到0.75 V 10 dB，而且器件的啁啾特性也比一般的多量子阱调制器好。其缺点是超晶格材料生长困难，不能实现大的消光比。
3. 量子限制Stark效应
1. 激子
eEECEBexcitonEV 能隙中的激子图6.2
电子和空穴以较长的周期互相围绕在较低的载流子浓度和较低温度下，如图6.2所示，但它还属于氢原子。电子从低能级激发到高能级，运动，形成激子态，类似于氢原子的情况，E 量级。为激子束缚能，meVB
Effect) Stark Quantum Confined 2.量子阱材料中的量子限制斯塔克效应(QCSE,
其有源区采用量子阱或者多基于量子阱材料的调制器是目前最广泛采用的一类调制器， 量子阱材料。在室温下很容易被离由于其激子近似为三维激子，其束缚能较小，在体材料调制器中，由于电子和空穴的运动受到量子阱势垒的激子很少能够存在。在半导体量子阱材料中，化，从而形成吸收曲线带限制，激子为准二维激子，束缚能增大，激子在室温下能够得以存在， 边尖锐的激子吸收峰。激子吸收峰对应的光子能量为：?E?EE ???E(6.1)
Be11hhg分别为导带第一电子能级与价带第一重空穴能级，E和其中，E为势阱材料的带隙，Ehh1ge1 为激子束缚能。由于激子吸收峰的存在，多量子阱材料的吸收曲线具有陡峭的边缘。EB当在垂直于量子阱壁的方向上施加电场时，量子阱能带发生倾斜，电子与空电场的存在使构成激子的电子与使吸收边发生红移。同时，穴的量子能级下降，施加垂直对吸收边有兰移作用。空穴向相反的方向移动，导致激子束缚能降低，这种量子阱材料的吸收边随垂直阱壁的电场方向电场的总效果是使吸收边红移。 Stark而发生红移的现象称为量子限制效应。
量子阱材料吸收谱随外加电场的变化图6.4为不同外加电场下量子阱材料的室温光吸收谱，从中可明显地看出激6.4图激依靠量子阱的限制作用，子吸收峰随外加电场的红移。在吸收边红移的同时，但仍然激子吸收峰会有所降低和展宽，子结构依然存在，只是由于电场的作用， 保持比较陡峭的吸收边。
量子阱调制器 三
量子阱电吸收调制器的结构 1.
效应，对于波长处于多量子阱材料的吸收边外而又靠近吸收边的入根据量子限制Stark可以利用这一原理制成电吸收型光调制射光，其吸收系数会在施加垂直电场后有明显变化。使入射光通过多量子阱结构的一般的电吸收调制器均采用波导型结构，器。为提高消光比，形成光吸收，达到强度调制的目的。如吸收系数的改变量为吸收层，改变所加的反向偏压，????是吸收波导，其中?L)exp(?，器件波导长度为L，则该电吸收型光调制器的消光比为 层的光限制因子。效应制作的电吸收型光调制器由于具有调制速率高、驱动电压低、体积利用量子限制Stark. 小、结构与工艺便于与半导体激光器集成等一系列优点，成为广泛应用的外调制器结构。
量子阱电吸收调制器工作特性2.
器件结构及封装进行大功率的光调制，需要对电吸收调制器的材料、为了实现高速率、仔细的设计。在设计中，需要考虑以下几个重要参数：消光比、调制电压、插入损耗、饱和功率、小信号调制带宽和啁啾特性等。其中，消光比、调制电压、插入损耗和饱和功率为静 态参数，而调制带宽与啁啾特性为动态特性。尤其是进行高在实际的电吸收调制器设计过程中，以上诸参数往往需要同时加以考虑，由于这些特性进行整体优化。更需要兼顾动态和静态特性指标，速电吸收调制器的设计时，
指标往往相互制约，难以同时获得理想值，因此要根据实际应用的需求进行综合分析和处理，以期满足应用的具体要求。在下面进行分别讨论的同时，我们将特别注意指出参数间的相互联系。www.621mm
1. 静态特性
(1) 消光比与调制电压
消光比定义为光调制器在通断状态的输出光强比。在实际应用中，通常要求光调制器的消光比大于10 dB，但不必过高以免造成设计和制作上的困难，一般以10~20 dB为宜。
调制电压指达到一定的消光比(如10 dB)时所需施加的反向偏压的大小。由于高频驱动电源一般采用数字电路实现，无法获得很大的输出电压峰－峰值，所以要求调制器在较小的调制电压(2~3 V)下实现一定的消光比(10~20 dB)。
电吸收型调制器的消光比是多量子阱材料量子限制Strark效应强弱的直接体现。在二级微扰近似下，量子阱基态能级的偏移量可以表示为：
*224meFL(2)?E?C? (6.2)
trp1e *为载流子有效质量，F为外加电场强度，L为阱宽。上表明量子限其中，C为一常数，mpert制Stark效应随外加电场的增强而变大，但在实际应用中由于高速调制时调制电压的限制，难以采用增大外加电压的方法来提高调制器的消光比。另一方面，由于高速调制要求尽量减小调制器电容，因此也不能依靠减小多量子阱区的厚度来获得较大的电场强度。
从(6.2)式中还可以看出，吸收边的红移与量子阱阱宽的四次方成正比，故可以通过增大量子阱阱宽来提高消光比。增大阱宽还有助于获得较小的调制器电容，实现高速调制。但应当指出，在增大量子阱阱宽的同时，将使相同偏置电压下多量子阱区的电场下降，并削弱激子的强度，从而对消光比产生负面影响。因此，量子阱结构存在一优化值，需要合理设计以达到最佳效果。
复合纸(2) 插入损耗
插入损耗反映了外调制器与其他光电器件耦合时的损耗特性，是分立调制器的一个重要参数。电吸收调制器的插入损耗主要由吸收曲线的边缘陡峭程度、工作波长与吸收边的失谐量决定，同时，还受调制器的波导结构及端面反射系数的影响。由于电吸收调制器吸收系数与反向偏压呈非线性关系，为了实现较大的消光比，一般需要使调制器工作于一定的静态反压下，这样就会增大调制器的插入损耗。
为了在保证足够的消光比的前提下，实现较小的插入损耗，一般采用??/珍珠岩助滤剂?作为器件设0计的参数，要求??/?大于一定的数值，其中?为调制器出于开状态时的吸收系数。 00为获得较
小的插入损耗，需要使多量子阱材料的吸收边陡峭，同时合理地设计失谐量??，降低调制器开状态的吸收系数。同时，需要对调制器的端面实行减反镀膜，降低反射损耗。此外，与光纤模场半径匹配的波导结构的设计也是影响调制器插入损耗的重要因素。
木马制作(3) 饱和功率
时的入射光功率，它反映了电1 dB饱和功率可以定义为消光比与小信号条件相比下降
吸收调制器在高入射光功率下的工作特性。电吸收型调制器波导层在对入 射光进行吸收的同时会产生光生载
流子。在高速大功率工作的情况下， 由于量子阱势垒对载流子的限制作 用，大量的光生载流子来不及从中逸 出，会形成光生载流子的积累。积累 的光生载流子会屏蔽外电场，使消光 比大为降低，影响大功率下的消光比 和调制带宽。在多量子阱电吸收型调 制器中，由于量子阱对载流子的限制 6.6图作用加强，这一效应更加明显。 所示为不同入射光强下的吸收系数。 影响光生载流子积累的关键是 载流子的逸出速度。实验表明，对光 不同入射光强下的吸收系数图 6.6 生载流子的积累起决定性作用的是特别是重空穴，因为它的有效
质量大得多。时间分辨光电流的测量表明，电子的光生空穴， 左右。30 ps，而空穴的时间常数为4.4 ns逸出时间常数为根据热发射和考虑光生载流子在有外电场的多量子阱中的寿命。为进一步讨论该问题， 隧穿模型，有：???1?1??Aexp(?E(F)/kT)?Bexp(?2L2m?E(F)/ ) ibibiiiRi (6.3)
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