专利名称：基于并联SiC MOSFET动静态参数影响下的电流测量系统 专利类型：发明专利
发明人：赵爽，王琛，韩亮亮，王佳宁，丁立健，李贺龙，杨之青
申请号：CN202210322334.5
申请日：20220329
公开号：CN114578119A
公开日：
静压实验
20220603
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种基于并联SiCMOSFET动静态参数影响下的电流测量系统，包括：功率电路、驱动电路和驱动供电电路，其中，功率电路由直流母线侧电路和测量器件电路组成；驱动电路分为两部分完全相同的上半桥驱动电路和下半桥驱动电路；驱动供电电路由电压Vd发生电路和驱动供电主电路组成。本发明能解决SiCMOSFET器件由于静态参数分散性，功率回路、驱动电路以及封装结构的寄生参数具有不对称性导致并联器件之间出现的电流不平衡现象，并能通过并联SiCMOSFET来扩大电流容量以达到设计要求。 申请人：合肥工业大学打地鼠游戏机
地址：230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
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代理机构：安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
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豫公网安备41160202000603
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