芯片行业常用的英文术语及其含义

芯⽚⾏业常⽤的英⽂术语及其含义

前⾔：

整理芯⽚⾏业中⼀些常⽤的英⽂专业术语。（待完善）

⼀、专业术语

1.CP (Chip Probing 芯⽚/晶⽚+测试/探测): 顾名思义，测试芯⽚的电性参数。测试的是晶圆中的每⼀个芯⽚(die)，⽬的是剔掉次品以减少后续封装的成本

2.CVD (chemical vapor deposition 化学⽓相沉积): 利⽤含有薄膜元素的⼀种或⼏种⽓相化合物或单质、在衬底表⾯上进⾏化学反应⽣成薄膜的⽅法。具体的有如MOCVD（⾦属氧化物～）和PECVD（等离⼦体增强～）

3.Datasheet (规格/说明书): 总结产品、机器、部件（例如电⼦部件）、材料、⼦系统（例如电源）的性能和其他特性的⽂件

4.Die (芯⽚): 单个完整的集成电路器件

5.Eg (band gap 禁带宽度): 也叫“能带”，是固体中没有电⼦状态的能级范围，是决定固体材料导电特性的关键参数。具有⼤禁带宽度的属于绝缘体；⼩禁带宽度的属于半导体；没有或具有很⼩禁带宽度的为导体

6.FT (Final Test 出⼚测试): 对封装好的芯⽚进⾏测试。通常测试项⽐CP要少得多，因为之前已经测过了

7.RDS(on) 导通电阻: 也简称“RDS”或者“Ron”，器件⾮常重要的⼀种特性。定义：晶体管导通后两端电压与导通电流之⽐。其值越⼤意味着电流/功率损耗越⼤，因此⼀般越⼩越好

8.SOP (Standard Operation Procedure 标准作业程序): ⽤统⼀的格式描述⼀系列复杂的操作和步骤，便于新⼈快速学习与使⽤

软件发布

9.Spec (Specification 规格): ⼈为 (如客户) 定的电性参数标准, 测得的器件参数处在标准之内才算Pass

10.Test recipe (测试程序): 控制变量如温度，压强，⽓体流量的探测程序

11.Vth (阈值电压): 器件漏源(drain)开始导通时所需的栅极电压

12.Wafer (晶圆): ⽣产集成电路的硅基衬底薄⽚

13.WAT (Wafer Acceptance Test 允收晶⽚/圆测试): 对专门的测试图形 (test key) 的测试，通过电参数来监控各步⼯艺是否正常和稳定⼆、相关岗位及职能

1.AE (Application Engineer 应⽤⼯程师): 需要熟悉芯⽚的功能，以及版图的设计

混合辅助肢体2.PE (Process Engineer 制程⼯程师): 在产线负责产品的⽣产

视频客服系统3.PIE (Process Integrated Engineer ⼯艺整合⼯程师): 主要负责⼯艺流程

4.EE (Equipment Engineer 设备⼯程师):

a.提供客户技术⽀持⼯作，新机台安装，系统升级，问题处理，故障处理等

b.公司内部技术⽀持，装机基础分析

c.提供内部，外部客户技术培训

5.FAE (Field Application Engineer 现/市场应⽤⼯程师): 协同业务把产品卖出去

三、参考⽂献

5.百度百科，的搜索结果 (如

黄大飞6.

修改记录：212型参比电极

版本号⽇期修改内容

跳线帽v0.12020-08-31第⼀版发布

v0.22020-09-01修改个别词条，完善参考⽂献

本文发布于:2024-09-24 11:21:33，感谢您对本站的认可！

标签：参数程师产品测试禁带修改

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