单极PFC 通常工作在CCM 硬开关模式。
的开关损耗大大降低。
多功能冷饮机
超高压食品硬开关电路上的Vds 开关损耗对比，氮化镓有明显优势
但LLC
是软开关，这部分电路上损耗几乎一样。
硅材料FET /cool mosfet 氮化镓
解决的办法，就是在体内串加一个30V 的低压MOSFET 解决0V 关断导通，因此成品体内实际有两个管子，资料上的反向恢复时间均与此小上的二极管有关。 氮化镓是采用水平结构，通过电子层导
通没有形成P/N 结，同时最下方是衬
底
氮化镓FET 与Cool ‐Mosfet 对比Qg 门极驱动电流大小
Qgd 与工作的Vds 的开关波形有关。越小振荡越小，EMI 更好Co 电容越小，工作中的死区时间可以做到越小，损耗就会越低Qrr 体内寄生二极管参数，越大表示发热越大. 氮化镓的反向恢复速度Trr 只有30n，远小于Cool ‐mos，所以对应的Qrr 更小如右图说明，面积越大发
热越大
pc104总线更低的驱动损耗100mA 驱动电流即可更低的米勒效应/更低的开关损耗更小的反向恢复损耗更小的死区时间30 ns [3]460 ns [2]trr Operation 54 nC [3]8200 nC [2]Qrr Reverse
冬笋探测仪有用吗110 pF [1]314 pF [1]Co(tr) 56 pF [1]66 pF [1]Co(er) Dynamic
2.2nC 38 nC Qgd
6.2 nC 75 nC Qg
0.15/0.18ohm 0.14/0.16ohm RDS (25 ⁰C)
600V (spike rating 750V )600V @ 25 ⁰C VDS
Static TPH3006PS IPA60R160C6Parameters
氮化镓FET Cool mosfet 等同Rds(on)对比，相同条件
更小的反向恢复时间Qrr
防冲撞护栏氮化镓器件能将设计最简单化
Boost design using Transphorm’s GaN MOSFET and
GaN Diode producing >99% efficiency and using fewer
components
V OUT D S G C1D1L1
L o s s (W )P out (W)
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