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一种具有隧道结结构的边发射半导体激光器及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种具有隧道结结构的边发射半导体激光器及其制备方法

专利类型：发明专利

发明人：计伟，曲智龙子母锁

申请号：CN201510077277.9

申请日：20150213

公开号：CN104682195A

公开日：

20150603铸造工艺流程

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专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及一种具有隧道结结构的边发射半导体激光器，包括N面电极1、具有隧道结结构的外延结构，光刻具有隧道结结构的外延结构两侧形成脊形台，在形成脊形台的外延结构表面沉淀电绝缘层8，电绝缘层上层叠P面电极9。本发明提供的这种具有隧道结结构的边发射半导体激光器，减少了P型限制层中空穴的损耗，提高了载流子的注入效率，从而提高了器件的输出功率；同时消除了某些半导体P型重掺杂较为困难的问题，降低了器件的工作电压，从而提高了半导体激光器的功率转化效率。本发明提供的这种具有隧道结结构的边发射半导体激光器，广泛适用于各种材料系的边发射半导体激光器。糖蜜酒精

申请人：北京牡丹视源电子有限责任公司

地址：100191 北京市海淀区花园路2号

镀铬工艺国籍：CN

高效除雾器代理机构：北京轻创知识产权代理有限公司

代理人：杨立

本文发布于:2024-09-23 07:28:56，感谢您对本站的认可！

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