本文所列计算方法为典型方法，为方便表述，本文数据均按下表所列参数为例进行计算。
一、电流互感器（以下简称CT）额定二次极限电动势校核（用于核算CT是否满足铭牌保证值） 1、计算二次极限电动势：
E s1=K alf I sn（R ct+R bn）=15×5×（0.45+1.2）=123.75V
参数说明：
（1）E s1：CT额定二次极限电动势（稳态）；
（2）K alf：准确限制值系数；
（3）I sn：额定二次电流；
（4）R ct：二次绕组电阻，当有实测值时取实测值，无实测值时按下述方法取典型内阻值： 5A产品：1～1500A/5 A产品0.5Ω
1500～4000A/5 A产品 1.0Ω
1A产品：1～1500A/1A产品6Ω
1500～4000A/1 A产品15Ω
当通过改变CT二次绕组接线方式调大CT变比时，需要重新测量CT额定二次绕组电阻。
（5）R bn：CT额定二次负载，计算公式如下：
R bn=S bn/ I sn 2=30/25=1.2Ω；
——R bn：CT额定二次负载；
防盗——S bn：额定二次负荷视在功率；
——I sn：额定二次电流。
当通过改变CT二次绕组接线方式调大CT变比时，需要按新的二次绕组参数，重新计算CT额定二次负载
2、校核额定二次极限电动势
有实测拐点电动势时，要求额定二次极限电动势应小于实测拐点电动势。 E s1=127.5V<E k（实测拐点电动势）=130V
结论：CT满足其铭牌保证值要求。
二、计算最大短路电流下CT饱和裕度（用于核算在最大短
路电流下CT裕度是否满足要求）
1、计算最大短路电流时的二次感应电动势：
E s=I scmax/K n（R ct+R b）=10000/600×5×（0.45+0.38）=69.16V
参数说明：
（1）K n：采用的变流比，当进行变比调整后，需用新变比进行重新校核；
（2）I scmax：最大短路电流；
（3）R ct：二次绕组电阻；（同上）
当通过改变CT二次绕组接线方式调大CT变比时，应重新测量CT额定二次绕组电阻
（4）R b：CT实际二次负荷电阻（此处取实测值0.38Ω），当有实测值时取实测值，无实测值时可用估算值计算，估算值的计
算方法如下：
公式：R b = R dl+ R zz
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——R dl：二次电缆阻抗；
——R zz：二次装置阻抗。
掏耳器二次电缆算例：
R dl=（ρl）/s =（1.75×10-8×200）/2.5×10-6 =1.4Ω
——ρ铜=1.75×10-8Ωm；
——l：电缆长度，以200m为例；
——s：电缆芯截面积，以2.5mm2为例；
二次装置算例：
R zz=S zz/ I zz 2=1/25=0.04Ω；
—
—R zz：保护装置的额定负载值；
——S zz：保护装置交流功耗，请查阅相关保护装置说明书
镀铬工艺
中的技术参数，该处以1VA为例计算；
——I zz：保护装置交流电流值，根据实际情况取1A或5A，
微型键盘该处以5A为例计算。
以电流回路串联n=2个装置为例，计算二次总负载：
R b= R dl + n×R zz =1.4+2×0.04=1.48Ω
2、计算最大短路电流时的暂态系数
K td= E k/E s=130/69.16V=1.88< 2.0（要求的暂态系数）
——K td：二次暂态系数，要求达到2.0以上；
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——E k：实测拐点电动势。若现场无实测拐点电动势数据，
可先用二次极限电动势代替进行校核。
——E s：二次感应电动势。
当通过改变CT二次绕组接线方式调大CT变比时，需重新测量CT拐点电动势，并重新进行校核。
结论：CT的裕度小于2倍暂态系数要求，CT裕度不满足要求。
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