基片处理装置和基片处理方法与流程

1.本发明的实施方式涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术：

2.在半导体器件等的制造工艺中，大多使用对半导体晶片等基片供给处理液来进行液处理的工艺。作为这样的工艺，例如可以列举利用清洗液进行的基片的清洗处理、利用镀液进行的基片的镀敷处理、利用蚀刻液进行的蚀刻处理等。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2014-99528号公报

技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.本发明提供能够使多个液处理模块之间的液处理的温度偏差降低的技术。
8.用于解决技术问题的手段
9.本发明的一个方式的基片处理装置包括多个液处理模块。多个液处理模块在水平方向和垂直方向中的至少一个方向上排列配置，用于向基片供给处理液来进行液处理。所述液处理模块具有液处理单元、热源区域和风扇。液处理单元用于对所述基片进行液处理。热源区域在所述液处理单元的下方具有热源。风扇用于对所述热源区域进行冷却。
10.发明效果
11.采用本发明，能够使多个液处理模块之间的液处理的温度偏差降低。
附图说明
12.图1是表示实施方式的液处理装置的外观结构的示意立体图。
13.图2是实施方式的液处理装置的示意平截面图。
14.图3是实施方式的液处理装置的示意纵截面图。
15.图4是实施方式的液处理模块的示意性横截面图。
16.图5是表示实施方式的液处理单元的结构的示意侧截面图。
17.图6是用于说明实施方式的多个液处理模块的温度控制处理的图。
18.图7是用于说明实施方式的多个液处理模块的温度控制处理的图。
19.图8是用于说明实施方式的多个液处理模块的温度控制处理的图。
20.图9是用于说明实施方式的多个液处理模块的另一个温度控制处理的图。
21.图10是用于说明实施方式的多个液处理模块的另一个温度控制处理的图。
22.图11是用于说明实施方式的多个液处理模块的又一个温度控制处理的图。
23.图12是用于说明实施方式的多个液处理模块的又一个温度控制处理的图。
24.图13是用于说明实施方式的多个液处理模块的排气处理的图。
25.图14是表示实施方式的液处理装置所执行的温度控制处理的流程的流程图。
26.附图标记说明
27.w晶片(基片的一个例子)，1液处理装置(基片处理装置的一个例子)，2液处理单元，7、m1～m5液处理模块，8热源区域，9控制部，81、82配管线路(热源的一个例子)，87控制电路板(热源的一个例子)，91温度传感器，92风扇，r1第一温度范围(规定的温度范围的一个例子)，ta平均温度。
具体实施方式
28.下面，参照附图对本发明所公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行详细说明。本发明并不受下面所示的各实施方式限定。需要注意的是，附图是示意性的，存在各要素的尺寸的关系、各要素的比例等与实际不同的情况。另外，也存在不同的附图中包含彼此的尺寸的关系、比例不同的部分的情况。
29.在半导体器件等的制造工艺中，大多使用对半导体晶片等基片供给处理液来进行液处理的工艺。作为这样的工艺，例如可以列举利用清洗液进行的基片的清洗处理、利用镀液进行的基片的镀敷处理、利用蚀刻液进行的蚀刻处理等。
30.另外，为了高效率地进行这种液处理，在1个液处理装置中设置有多个液处理模块。
31.但是，在上述的现有技术中，当在高温下使用的处理液的配管线路的附近存在在室温下使用的处理液的配管线路的情况下，有可能导致室温的处理液的温度因来自在高温下使用的处理液的配管线路的散热而上升。
32.而且，在多个液处理模块之间，到开始下一个基片的液处理为止的待机时间未必是一定的，因此，存在由于该待机时间变长而导致室温的处理液的温度进一步上升的情况。即，在现有技术中，在多个液处理模块之间，有可能因待机时间的不均匀性而产生液处理的温度偏差。
33.因此，期待实现能够克服上述的问题，使多个液处理模块之间的液处理的温度偏差降低的技术。
34.＜液处理装置的结构＞
35.首先，参照图1和图2对实施方式的液处理装置1的概略结构进行说明。图1是表示实施方式的液处理装置1的外观结构的示意立体图，图2是实施方式的液处理装置1的示意平截面图。液处理装置1是基片处理装置的一个例子。
36.此外，下面，为了使位置关系明确，规定彼此正交的x轴、y轴和z轴，使z轴正方向为铅垂向上方向。另外，下面，将x轴负方向侧规定为液体处理装置的前方，将x轴正方向侧规定为液体处理装置的后方。
37.如图1所示，实施方式的液处理装置1包括载置台3、送入送出站4、交接站5和液处理站6。上述部件从液处理装置1的前方向后方去，按照载置台3、送入送出站4、交接站5和液处理站6的顺序相邻地配置。
38.载置站3是用于载置承载器c的场所，该承载器c能够以水平状态收纳多块(例如25块)晶片w，例如4个承载器c以紧贴送入送出站4的前壁的状态左右排列地载置。
39.如图2所示，送入送出站4配置在载置站3的后方(x轴正方向侧)，在内部具有基片
输送装置41。在该送入送出站4中，基片输送装置41能够在被载置在载置站3上的承载器c与交接站5之间进行晶片w的输送。
40.交接站5配置在送入送出站4的后方，具有交接台51。在该交接站5中，能够经由交接台51，在送入送出站4的基片输送装置41与后述的液处理站6的基片输送装置61之间进行晶片w的交接。
41.液处理站6配置在交接站5的后方。在该液处理站6中，在y轴方向中央部配置有基片输送装置61，在该基片输送装置61的左右两侧分别沿前后方向排列配置有多个(在此，各为5个)液处理单元2。
42.在该液处理站6中，基片输送装置61能够在交接站5的交接台51与各液处理单元2之间进行晶片w的输送，各液处理单元2能够对晶片w进行液处理。
43.液处理单元2是能够通过向晶片w供给处理液来对晶片w进行规定的液处理的装置。在此，对液处理单元2是进行晶片w的清洗的基片清洗装置的情况的例子进行说明，但是液处理单元并不限于基片清洗装置。
44.另外，液处理装置1包括控制部9。控制部9是用于对液处理装置1的动作进行控制的装置。该控制部9例如是计算机，包括未图示的存储部。可在存储部中存储用于对液处理等各种处理进行控制的程序。控制部9能够通过读取并执行存储在存储部中的程序来控制液处理装置1的动作。
45.该程序也可以是记录在计算机可读取的记录介质中，从该记录介质安装在控制部9的存储部中。作为计算机可读取的记录介质，例如有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。
46.在液处理装置1中，首先，送入送出站4的基片输送装置41从被载置在载置站3上的承载器c取出1块晶片w，并将取出的晶片w载置在交接站5的交接台51上。被载置在交接台51上的晶片w由液处理站6的基片输送装置61输送，被送入到任一个液处理单元2。
47.被送入到液处理单元2的晶片w，在由该液处理单元2实施基片清洗处理之后，由基片输送装置61从液处理单元2送出，再次被载置在交接台51。然后，被载置在交接台51上的处理完成的晶片w，由送入送出站4的基片输送装置41返回到承载器c。
48.＜液处理装置的配管线路结构＞
49.接下来，参照图3～图5对设置在液体处理装置1中的各种配管线路的结构进行说明。图3是实施方式的液处理装置1的示意纵截面图。如图3所示，处理液的供给系统具有供给源80、配管线路81～84、多个阀箱85和多个流通控制单元86。
50.供给源80能够供给各种处理液。供给源80例如包括：用于分别贮存各种处理液的多个罐(未图示)；和用于将贮存在该多个罐中的各种处理液向对应的配管线路81～84送出的多个泵(未图示)。
51.配管线路81～84例如一端和另一端分别与供给源80连接，形成对应的处理液的循环路径。配管线路81和配管线路82是热源的一个例子，用于将高温的处理液供给到液处理单元2。
52.在配管线路81中能够流通例如从供给源80供给的高温的sc1(氨与过氧化氢水溶液的混合液)。在配管线路82中能够流通例如从供给源80供给的高温的diw(去离子水)。
53.配管线路83和配管线路84能够将室温的处理液供给至液处理单元2。配管线路83
能够流通例如从供给源80供给的室温的dhf(稀)。在配管线路84中能够流通例如从供给源80供给的室温的diw。
54.多个阀箱85沿着配管线路81～84配置，并且分别配置在设置在液处理站6的多个液处理单元2的下方。
55.在阀箱85中收纳有流通控制单元86。流通控制单元86是将包含流量调节阀、流量计等的流通控制设备集中安装在平板状的支承部件上而得到的装置。
56.图4是实施方式的液处理模块7的示意性横截面图。在实施方式的液处理装置1中，如图4所示，由1个液处理单元2和与该液处理单元2对应的1个热源区域8构成1个液处理模块7。
57.热源区域8除了具有上述的配管线路81～84、阀箱85、流通控制单元86以外，还具有控制电路板87。控制电路板87是热源的一个例子，用于控制流通控制单元86等。控制电路板87例如被收纳在阀箱85中。
58.另外，在热源区域8的附近设置有温度传感器91和风扇92。温度传感器91用于测量热源区域8的温度。风扇92用于对热源区域8进行冷却。风扇92例如能够通过向热源区域8吹入液处理装置1的外部的气氛，来对热源区域8进行冷却。
59.如图4所示，在实施方式的热源区域8中，作为热源的配管线路81、配管线路82和控制电路板87配置在阀箱85的上侧，室温的处理液流通的配管线路83和配管线路84配置在阀箱85的下侧。
60.通过这样使室温的处理液流通的配管线路83和配管线路84与热源隔开间隔地配置，能够抑制室温的处理液的温度上升，并且能够抑制高温的处理液的温度降低。即，根据实施方式，能够使各种处理液的温度偏差降低。
61.在液处理装置1中还设置有用于将供给到液处理单元2之后的处理液排出到液处理装置1的外部的排出系统。如图4所示，该排出系统包括：排出用主配管100；和从该排出用主配管100按每种处理液分支的多个排出用分支管101、102(参照图5)。
62.如图4所示，排出用主配管100和排出用分支管101、102配置在液处理站6。各种处理液在被供给到晶片w(参照图5)之后，通过排出用主配管100和排出用分支管101、102向液体处理装置1的外部排出。
63.图5是表示实施方式的液处理单元2的结构的示意侧截面图。如图5所示，液处理单元2包括旋转板24和旋转支承部25。
64.旋转板24能够将晶片w以可旋转的方式保持。旋转支承部25从下表面侧支承该旋转板24，能够利用未图示的旋转电动机使旋转板24旋转。
65.旋转板24是圆板状的部件，在其表面设置有用于保持晶片w的多个保持部件241。晶片w能够与旋转板24的表面隔开间隙地被保持在比旋转板24的表面靠上方的位置。旋转支承部25被轴承部251可旋转地保持，轴承部251设置在用于载置液处理单元2的基底板28上。
66.另外，液处理单元2包括：用于向晶片w的表面供给高温的处理液的第一喷嘴26；和用于向晶片w的表面供给室温的处理液的第二喷嘴27。
67.第一喷嘴26被第一臂261支承，能够在被保持在旋转板24上的晶片w的上方的处理位置与从该处理位置退避的退避位置之间移动。另外，第二喷嘴27被第二臂271支承，能够
在上述处理位置与退避位置之间移动。
68.第一喷嘴26经由开闭阀11和流通控制单元86与配管线路81连接，并且经由开闭阀12和流通控制单元86与配管线路82连接。
69.第二喷嘴27经由开闭阀13和流通控制单元86与配管线路83连接，并且经由开闭阀14和流通控制单元86与配管线路84连接。
70.在实施方式中，分别设置用于支承释放高温的处理液的第一喷嘴26的第一臂261和用于支承释放室温的处理液的第二喷嘴27的第二臂271。
71.因此，在实施方式中，与将第一喷嘴26和第二喷嘴27设置在单一的臂上的情况相比，能够抑制室温的处理液的温度上升，并且能够抑制高温的处理液的温度降低。即，根据实施方式，能够使各种处理液的温度偏差降低。
72.此外，在本发明中，设置在液处理单元2中的喷嘴的结构并不限于图5的例子，也可以是在液处理单元2设置有分别与配管线路81～84连接的单独的喷嘴。
73.另外，液处理单元2还包括用于承接从旋转的晶片w甩出的药液并将其向外部排出的杯状体23。杯状体23是以包围被保持在旋转板24上的晶片w的方式设置的圆环状的部件，能够经由与底面连接的排出用主配管100将内部的处理液排出。
74.排出用主配管100在下游侧分支，分别经由开闭阀15、16与用于排出sc1或dhf的排出用分支管101和用于排出diw的排出用分支管102连接。
75.另外，在杯状体23的外侧设置有壳体21。在壳体21的与基片输送装置61(参照图2)相对的面上，设置有未图示的开闭门，通过将该开闭门打开，能够使基片输送装置61进入到壳体21内。
76.＜温度控制处理＞
77.接下来，参照图6～图13对实施方式的液处理装置1中的温度控制处理的详细情况进行说明。图6～图8是用于说明实施方式的多个液处理模块7的温度控制处理的图。
78.在以后的例子中，将在水平方向上排列的5个液处理模块7从一侧起依次称为液处理模块m1～m5。另外，在图中，用实线表示的温度是当前的热源区域8的温度，用虚线表示的温度是过去的热源区域8的温度，用点划线表示的温度是预测的将来的热源区域8的温度。
79.如图6所示，分别设置在液处理模块m1～m5的多个热源区域8(参照图4)的温度存在产生偏差的情况。该多个热源区域8中的温度的偏差例如会由液处理模块m1～m5的设置部位的不同(例如，排气管道的位置、相邻的液处理模块7的不同等)引起。
80.另外，该多个热源区域8中的温度的偏差，例如会由下述情况引起：液处理模块m1～m5共用配管线路81～84(参照图4)，从而在上游和下游处理液的流量发生变化。
81.另外，该多个热源区域8中的温度的偏差，例如会由液处理模块m1～m5中的液处理的时机的不同(例如，在维护模式下，液处理模块7停止等)引起。
82.因此，在实施方式中，控制部9(参照图2)分别控制分别设置在液处理模块m1～m5的多个风扇92(参照图4)。从而，如图7所示，控制部9能够使得设置在液处理模块m1～m5的所有热源区域8的温度处于第一温度范围r1。
83.该第一温度范围r1是给定的温度范围的一个例子，例如是温度t1～温度t2的范围。另外，控制部9利用温度传感器91(参照图4)测量热源区域8的温度。
84.然后，控制部9仅利用热源区域8的温度处于第一温度范围r1的液处理模块7进行
晶片w(参照图5)的液处理。换言之，控制部9在热源区域8的温度未处于第一温度范围r1的液处理模块7中不进行晶片w的液处理。
85.由此，能够抑制由于使用热源区域8的温度偏差大的液处理模块7实施液处理而导致多个液处理模块7之间的液处理的温度偏差变大。即，根据实施方式，能够使多个液处理模块7之间的液处理的温度偏差降低。
86.此外，在上述的例子中，说明了控制部9在热源区域8的温度未处于第一温度范围r1的液处理模块7中不进行晶片w的液处理的例子，但是本发明并不限于该例子。
87.例如，也可以是，在热源区域8的温度未处于第一温度范围r1的液处理模块7中，控制部9向与作为处理对象的晶片w不同的部位(例如，虚设晶片、处理液的排出口等)释放处理液。
88.由此，能够将由于长时间滞留在热源区域8内而温度产生了偏差的处理液从配管线路81～84排出，因此，能够使释放的处理液的温度偏差降低。
89.另外，控制部9在所有热源区域8的温度处于第一温度范围r1之后，也分别控制多个风扇92，继续进行各热源区域8的温度控制。在实施方式中，如图8所示，使得设置在液处理模块m1～m5的所有热源区域8的温度接近各热源区域8的平均温度ta。
90.由此，能够使多个热源区域8的温度偏差进一步降低，因此，能够使多个液处理模块7之间的液处理的温度偏差进一步降低。
91.另外，在实施方式中，可以是如图8所示的那样，控制部9进行控制，使得设置在液处理模块m1～m5的所有热源区域8的温度处于第二温度范围r2。该第二温度范围r2是包含在第一温度范围r1中，并且比该第一温度范围r1窄的温度范围(例如，温度t3～温度t4的范围)。
92.由此，也能够使多个热源区域8的温度偏差进一步降低，因此，能够使多个液处理模块7之间的液处理的温度偏差进一步降低。
93.图9和图10是用于说明实施方式的多个液处理模块7的另一个温度控制处理的图。如图9所示，即使在当前时刻所有热源区域8的温度处于第一温度范围r1的情况下，根据各模块中预定的运转率的大小的不同，将来至少一部分的热源区域8的温度也有可能偏离第一温度范围r1。
94.例如，在图9的例子中，液处理模块m2和液处理模块m3的预定运转率大，因此，可预测热源区域8的温度将来会偏离第一温度范围r1。特别是，在图9的例子中，可预测液处理模块m3的热源区域8的温度将来会大幅偏离第一温度范围r1。
95.因此，在实施方式中，控制部9基于最初在液处理模块m1～m5中预定的液处理的计划等，求出液处理模块m1～m5的预定运转率。
96.接着，控制部9基于求出的液处理模块m1～m5的预定运转率，预测液处理模块m1～m5中的将来的热源区域8的温度。然后，控制部9基于预测出的将来的热源区域8的温度，如图10所示，分别控制分别设置在液处理模块m1～m5的风扇92。
97.例如，在图10的例子中，因为预定运转率大，所以可预测液处理模块m3的热源区域8的温度会大幅偏离第一温度范围r1，因此，控制部9将液处理模块m3的风扇92控制为高转速。
98.另一方面，因为预定运转率小，所以可预测液处理模块m1的热源区域8的温度不会
偏离第一温度范围r1，因此，控制部9将液处理模块m1的风扇92控制为低转速。
99.这样，在实施方式中，可以是基于液处理模块m1～m5的预定运转率来预测将来的热源区域8的温度，基于预测出的将来的热源区域8的温度，分别控制分别设置在液处理模块m1～m5的风扇92。
100.由此，即使在多个液处理模块7之间的运转率大幅偏差的情况下，也能够使多个液处理模块7之间的液处理的温度偏差降低。
101.图11和图12是用于说明实施方式的多个液处理模块7的又一个温度控制处理的图。如图11所示，分别设置在液处理模块m1～m5的多个热源区域8(参照图4)的冷却容易度存在产生偏差的情况。
102.该多个热源区域8中的冷却容易度的偏差，例如会由液处理模块m1～m5的设置部位的不同(例如，排气管道的位置、相邻的液处理模块7的不同等)引起。
103.另外，该多个热源区域8中的冷却容易度的偏差，例如会由下述情况引起：液处理模块m1～m5共用配管线路81～84，从而在上游和下游流量发生变化。
104.另外，该多个热源区域8中的冷却容易度的偏差，例如会由液处理模块m1～m5中的液处理的时机的不同(例如，在维护模式下，液处理模块7停止等)引起。
105.在实施方式中，由于存在多个热源区域8中的冷却容易度的偏差，即使在各模块中使风扇92以同样的转速旋转的情况下，也有可能无法同样地进行冷却。
106.例如，在图11的例子中，液处理模块m3难以冷却，因此，可预测即使在以与其它的液处理模块7同样的转速使风扇92旋转的情况下，液处理模块m3的温度也难以处于第一温度范围r1。
107.因此，在实施方式中，控制部9首先求出设置在液处理模块m1～m5的热源区域8各自的冷却容易度。例如，在实施方式中，通过在液处理模块m1～m5的待机时间中，对所有的配管线路使风扇92的送风量一定，利用温度传感器91测量温度的下降情况，能够求出热源区域8各自的冷却容易度。
108.接着，控制部9基于求出的热源区域8的冷却容易度，分别控制分别设置在液处理模块m1～m5的风扇92。
109.例如，在图12的例子中，求出了液处理模块m3的热源区域8难以冷却，因此，控制部9将液处理模块m3的风扇92控制为高转速。另一方面，求出了液处理模块m1的热源区域8容易冷却，因此，控制部9将液处理模块m1的风扇92控制为低转速。
110.这样，在实施方式中，可以是基于液处理模块m1～m5中的热源区域8的冷却容易度，分别控制分别设置在液处理模块m1～m5的风扇92。
111.由此，即使在多个液处理模块7之间热源区域8的冷却容易度产生了偏差的情况下，也能够使多个液处理模块7之间的液处理的温度偏差降低。
112.图13是用于说明实施方式的多个液处理模块7的排气处理的图。在水平方向上排列配置的多个热源区域8，如图13所示构成为彼此相连的一组热源区域8a。
113.实施方式的液处理装置1具有用于将一组热源区域8a内的气氛排出的排出口93。由此，在由风扇92向热源区域8供给的风量变大的情况下，能够抑制热源区域8的气氛从无法预料的部位流出。
114.另外，在实施方式中，控制部9可以与多个风扇92的转速相应地控制从排出口93排
出的排气量。例如，控制部9可以与多个风扇92的转速相应地调节排出口93的开度。由此，能够使热源区域8的压力环境一定。
115.实施方式的基片处理装置(液处理装置1)包括多个液处理模块7和控制部9。多个液处理模块7在水平方向和垂直方向中的至少一个方向上排列配置，用于向基片(晶片w)供给处理液来进行液处理。控制部9用于对各部进行控制。另外，液处理模块7具有液处理单元2、热源区域8、温度传感器91和风扇92。液处理单元2用于对基片(晶片w)进行液处理。热源区域8具有热源(配管线路81、配管线路82、控制电路板87)。温度传感器91用于测量热源区域8的温度。风扇92用于对热源区域8进行冷却。另外，控制部9能够分别控制多个风扇92，以使得多个热源区域8的温度全部处于给定的温度范围(第一温度范围r1)。由此，能够使多个液处理模块7之间的液处理的温度偏差降低。
116.另外，在实施方式的基片处理装置(液处理装置1)中，热源区域8具有跨多个液处理模块7配置的、供处理液流通的配管线路81～84。由此，与对单独的液处理模块7分别连接单独的配管线路的情况相比，能够简化配管线路81～84的结构。
117.另外，在实施方式的基片处理装置(液处理装置1)中，控制部9在具有偏离了给定的温度范围(第一温度范围r1)的热源区域8的液处理模块7中，不进行基片(晶片w)的液处理。由此，能够抑制由液处理的不良引起的晶片w的成品率降低。
118.另外，在实施方式的基片处理装置(液处理装置1)中，控制部9在具有偏离了给定的温度范围(第一温度范围r1)的热源区域8的液处理模块7中，向与基片(晶片w)不同的部位释放处理液。由此，能够抑制由液处理的不良引起的晶片w的成品率降低。
119.另外，在实施方式的基片处理装置(液处理装置1)中，控制部9能够在所有热源区域8处于给定的温度范围(第一温度范围r1)的情况下，以所有热源区域8的平均温度ta作为目标值，分别控制多个风扇92。由此，能够使多个液处理模块7之间的液处理的温度偏差进一步降低。
120.另外，在实施方式的基片处理装置(液处理装置1)中，控制部9能够基于预先设定的基片(晶片w)的处理计划，即使在热源区域8处于给定的温度范围(第一温度范围r1)的情况下也控制风扇92。由此，即使在多个液处理模块7之间的运转率大幅偏差的情况下，也能够使多个液处理模块7之间的液处理的温度偏差降低。
121.另外，在实施方式的基片处理装置(液处理装置1)中，控制部9能够与各个热源区域8的冷却容易度相应地分别控制多个风扇92。由此，即使在多个液处理模块7之间热源区域8的冷却容易度产生了偏差的情况下，也能够使多个液处理模块7之间的液处理的温度偏差降低。
122.另外，实施方式的基片处理装置(液处理装置1)还包括用于将多个热源区域8的气氛排出的排出口93。另外，控制部9能够与多个风扇92的转速相应地控制从排出口93排出的排气量。由此，能够使热源区域8的压力环境一定。
123.＜温度控制处理的流程＞
124.接下来，参照图14对实施方式的温度控制处理的流程进行说明。图14是表示实施方式的液处理装置1所执行的温度控制处理的流程的流程图。
125.在实施方式的温度控制处理中，首先，控制部9判断是否所有热源区域8的温度处于第一温度范围r1(步骤s101)。在至少一部分的热源区域8的温度未处于第一温度范围r1
的情况下(步骤s101，否)，控制部9分别控制多个风扇92，以使得所有热源区域8的温度处于第一温度范围r1(步骤s102)。
126.接着，控制部9判断是否所有热源区域8的温度处于第一温度范围r1(步骤s103)。在至少一部分的热源区域8的温度未处于第一温度范围r1的情况下(步骤s103，否)，控制部9判断为了使温度处于第一温度范围r1是否需要给定的时间(例如，60秒)以上的时间(步骤s104)。
127.然后，在为了使温度处于第一温度范围r1需要给定的时间以上的时间的情况下(步骤s104，是)，控制部9在具有该热源区域8的液处理模块7中，向与晶片w不同的部位释放处理液(步骤s105)。然后，控制部9结束一系列的温度控制处理。
128.另一方面，在为了使温度处于第一温度范围r1不需要给定的时间以上的时间的情况下(步骤s104，否)，控制部9返回到步骤s102的处理。
129.另外，在通过步骤s101的处理，所有热源区域8的温度处于第一温度范围r1的情况下(步骤s101，是)，控制部9以所有热源区域8的平均温度ta作为目标值，分别控制多个风扇92(步骤s106)。然后，控制部9结束一系列的温度控制处理。
130.另外，在通过步骤s103的处理，所有热源区域8的温度处于第一温度范围r1的情况下(步骤s103，是)，控制部9进入到步骤s106的处理。
131.实施方式的基片处理方法包括：在上述的液处理装置1中，分别控制多个风扇92以使得多个热源区域8的温度全部处于给定的温度范围(第一温度范围r1)的步骤。由此，能够使多个液处理模块7之间的液处理的温度偏差降低。
132.上面对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限于上述的实施方式，可以在不脱离其主旨的范围内进行各种改变。
133.本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。实际上，上述的实施方式可以以多种方式具体实现。另外，上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，以各种方式进行省略、替换、改变。

技术特征：

1.一种基片处理装置，其特征在于：包括多个液处理模块，其在水平方向和垂直方向中的至少一个方向上排列配置，用于向基片供给处理液来进行液处理，所述液处理模块具有：用于对所述基片进行液处理的液处理单元；在所述液处理单元的下方具有热源的热源区域；和用于对所述热源区域进行冷却的风扇。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述基片处理装置包括用于对各部进行控制的控制部，所述液处理模块具有用于测量所述热源区域的温度的温度传感器，所述控制部能够分别控制多个所述风扇，以使得多个所述热源区域的温度全部处于给定的温度范围。3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部能够使得在具有偏离了所述给定的温度范围的所述热源区域的所述液处理模块中，不进行所述基片的液处理。4.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部能够使得在具有偏离了所述给定的温度范围的所述热源区域的所述液处理模块中，向与所述基片不同的部位释放处理液。5.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部能够在所有的所述热源区域处于所述给定的温度范围的情况下，以所有的所述热源区域的平均温度作为目标值，分别控制多个所述风扇。6.如权利要求2～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部能够基于预先设定的所述基片的处理计划，即使在所述热源区域处于所述给定的温度范围的情况下也控制所述风扇。7.如权利要求2～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部能够与各个所述热源区域的冷却容易度相应地分别控制多个所述风扇。8.如权利要求2～7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述基片处理装置还包括用于将多个所述热源区域的气氛排出的排出口，所述控制部能够与多个所述风扇的转速相应地控制从所述排出口排出的排气量。9.如权利要求1～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述热源区域具有跨多个所述液处理模块配置的、供处理液流通的配管线路。10.一种基片处理方法，其用于在基片处理装置中实施，所述基片处理方法的特征在于：所述基片处理装置包括多个液处理模块，该多个液处理模块在水平方向和垂直方向中的至少一个方向上排列配置，用于向基片供给处理液来进行液处理，所述液处理模块具有：用于对所述基片进行液处理的液处理单元；具有热源的热源区域；用于测量所述热源区域的温度的温度传感器；和用于对所述热源区域进行冷却的风扇，所述基片处理方法包括分别控制多个所述风扇，以使得多个所述热源区域的温度全部处于给定的温度范围的步骤。

技术总结

本发明提供能够使多个液处理模块之间的液处理的温度偏差降低的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括多个液处理模块。多个液处理模块在水平方向和垂直方向中的至少一个方向上排列配置，用于向基片供给处理液来进行液处理。液处理模块具有液处理单元、热源区域和风扇。液处理单元用于对基片进行液处理。热源区域在液处理单元的下方具有热源。风扇用于对热源区域进行冷却。风扇用于对热源区域进行冷却。风扇用于对热源区域进行冷却。