10-1 名词解释：烧结 烧结温度 泰曼温度 液相烧结 固相烧结 初次再结晶 晶粒长大 二次再结晶 （1）烧结：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
（2）烧结温度：坯体在高温作用下，发生一系列物理化学反应，最后显气孔率接近于零，达到致密程度最大值时，工艺上称此种状态为"烧结"，达到烧结时相应的温度，称为"烧结温度"。
（3）泰曼温度：固体晶格开始明显流动的温度，一般在固体熔点（绝对温度）的2/3处的温度。在煅烧时，固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移，在晶格内部空间扩散（容积扩散）和再结晶。而在塔曼温度以上，主要为烧结，结晶黏结长大。
（4）液相烧结：烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
（5）固相烧结：在固态状态下进行的烧结。
（6）初次再结晶：初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。 （7）晶粒长大：是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
（8）二次再结晶：再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。
10-2 烧结推动力是什么？它可凭哪些方式推动物质的迁移，各适用于何种烧结机理?
解：推动力有：（1）粉状物料的表面能与多晶烧结体的晶界能的差值， 烧结推动力与相变和化学反应的能量相比很小，因而不能自发进行，必须加热!!
（2）颗粒堆积后，有很多细小气孔弯曲表面由于表面张力而产生压力差，
（3）表面能与颗粒之间形成的毛细管力。
传质方式：（1）扩散（表面扩散、界面扩散、体积扩散）；（2）蒸发与凝聚；（3）溶解与沉淀；（4）黏滞流动和塑性流动等，一般烧结过程中各不同阶段有不同的传质机理，即烧结过程中往往有几种传质机理在起作用。
10-3 下列过程中，哪一个能使烧结体强度增大，而不产生坯体宏观上的收缩? 试说明理由。
（1）蒸发－冷凝；（2）体积扩散；（3）粘性流动；（4）晶界扩散；（5）表面扩散；（6）溶解－沉淀
升降柱cncame 解：蒸发－凝聚机理（凝聚速率＝颈部体积增加）
烧结时颈部扩大，气孔形状改变，但双球之间中心距不变，因此坯体不发生收缩，密度不变。
10-4 什么是烧结过程？烧结过程分为哪三个阶段？各有何特点？
解：烧结过程：粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理，目的在于通过颗粒间的粘结结合以提高其强度。
烧结过程大致可以分为三个界线不十分明显的阶段。
（1）液相流动与颗粒重排阶段：温度升高，出现足够量液相，固相颗粒在DP 作用下重
新排列，颗粒堆积更紧密；
（2）固相溶解与再析出：接触点处高的局部应力 ® 塑性变形和蠕变® 颗粒进一步重排；
（3）固相的的烧结：小颗粒接触点处被溶解较大颗粒或自由表面沉积晶粒长大形状变化不断重排而致密化。
10-5烧结的模型有哪几种？各适用于哪些典型传质过程？
解： 粉体压块：蒸发－凝聚
双球模型：有液相参与的粘性蠕变 扩散
Kingery和 LSW ：溶解-沉淀
10-6某氧化物粉末的表面能是1000erg/cm2，烧结后晶界能是550erg/cm2，若用粒径为1μm的粉料（假定为方体）压成 1cm3的压块进行烧结，试计算烧结时的推动力。
解： 2x（1000/1x 10-4-550/1x10-2）=1.99x107 erg/cm3
10-7有粉粒粒度为5μm，若经2h烧结后，x/r＝0.1。如果不考虑晶粒生长，若烧结至x/r ＝0.2。并分别通过蒸发－凝聚、体积扩散、粘性流动、溶解－沉淀传质，各需多少时间？若烧结8h，各个传质过程的颈部增长x/r果树防虫网又是多少？
解：根据查得各传质方式公式可得： 时间分别为16h，64h，8h，128h，若只烧结8h，则X/R分别为0.1×41/3，0.1×4 1/5，0.2，0.1×41/6。
10-8如上题粉料粒度改为16μm，烧结至x/r＝0.2，各个传质需多少时间？若烧结时间为8h，各个过程的x/r又是多少？从两题计算结果，讨论粒度与烧结时间对四种传质过程的影响程度？
解：蒸发－凝聚：颗粒粒度愈小烧结速率愈大。初期x/r 增大很快，但时间延长，很快停止；
体积扩散：烧结时间延长，推动力减小。在扩散传质烧结过程中，控制起始粒度很重要；
粘性流动：粒度小为达到致密烧结所需时间短，烧结时间延长，流变性增强；溶解－沉淀：
粒度小，传质推动力大。烧结时间延长，晶粒致密程度增加。
10-9 试就（1）推动力来源；（2）推动力大小；（3）在陶瓷系统的重要性来区别初次再结晶、晶粒长大和二次再结晶。
解：晶粒生长——材料热处理时，平均晶粒连续增大的过程。
推动力：基质塑性变形所增加的能量提供了使晶界移动和晶粒长大的足够能量。晶粒生长取决于晶界移动的速率。
二次再结晶——（晶粒异常生长或晶粒不连续生长）少数巨大晶体在细晶消耗时成核-长大过程。
推动力：大、小晶粒表面能的不同。
二次再结晶 晶粒长大
不均匀生长 均匀生长
不符合Dl=d/f 符合Dl=d/f
气孔被晶粒包裹 气孔排除
界面上有应力 界面无应力
10-10 有人试图用延长烧结时间来提高产品致密度，你以为此法是否可行，为什么？
解：不可行。
蒸发－凝聚机理（凝聚速率＝颈部体积增加） 此类传质不能靠延长时间达到烧结。
高温短时间烧结是制造致密陶瓷材料的好方法。
10-11 假如直径为5μm的气孔封闭在表而张力为280dayn/cm2的玻璃内，气孔内氮气压力是0.8atm，当气体压力与表面张力产生的负压平衡时，气孔尺寸是多少?
解： 2x280x0.001/r=0.8x101325
r = 6.9μm
10-12 在 1500℃，MgO正常的晶粒长大期间，观察到晶体在1h内从直径从1μm 长大到10μm，在此条件下，要得到直径20μm的晶粒，需烧结多长时间？如已知晶界扩散活化能为60kcal/mol，试计算在 1600℃下4h后晶粒的大小，为抑制晶粒长大，加入少量杂质，在 1600℃下保温4h，晶粒大小又是多少?
解：烧结数率常数和温度关系服从阿累尼乌斯方程：
即 ……………………………………………………（1）
其中：为常数 ，Q为晶界扩散活化能，在正常的晶粒长大期间，晶粒直径与时间关系为：
……………………（2） 其中为时晶粒的平均尺寸。
在加入少量杂质时，晶粒直径与时间关系为：
…………………………（3）
在 1500℃时，MgO正常生长时，由（2）有99
再由（1）有＝5789.5
则在 1500℃正常生长条件下，达到所需时间为：
在 1600℃时＝122.83
由（2）＝22.2 加入杂质后由（3）有＝7.9
10-13 假定NiCr元器件清单2O4的表面能为600erg/cm2，由半径0.5μm的NiO和Cr2O3粉末合成尖晶石。在 1200℃和 1400℃时Ni2＋和Cr3＋离子的扩散系数分别为：Ni2＋在NiO中D1473＝1×10－11；D1673＝3×10－ 10cm2/s；Cr3＋在Cr2O3中D1473＝7×10－ 11 cm2/s，D1673＝10－ 9cm2/s；求在 1200℃和 1400℃烧结时，开始1h的线收缩率是多少？（假定扩散粒子的半径为0.059nm）
解：线收缩率：
1200℃,对NiO和Cr2O3粉末,其
则可求出K1473,同理,可求出 K1673,代入上式,即可求出
式中g=600erg/cm2,ó=0.59Å T=1473K,1673K,r=0.5µm
10-14 在制造透明Al2O3材料时，原始粉料粒度为2μm，烧结至最高温度保温0.5h，测得晶粒尺寸10μm，试问若保温时间为2h，晶粒尺寸多大？为抑制晶粒生长加入0.1％MgO，此时若保温时间为2h，晶粒又有尺寸多大？
解：由
在此条件下保温,设直径为则有：
即求
加入少量的MgO时：
由
10-15 在 1500℃Al2O3正常晶粒生长期间，观察到晶体在1h内从0.5μm直径长大到10μm。如已知晶界扩散活化能为335kJ/mol，试预测在 1700℃下保温时间为4h后，晶粒尺寸是多少？你估计加入0.5％MgO杂质对Al2O3晶粒生长速度会有什么影响？在与上面相同条件下烧结，会有什么结果，为什么？
解：由 kuse006
由
toubai在 1700℃时，
由，有
加入0.5％MgO时，会抑制Al2O3晶粒生长，抑制现象会更加明显，原因是由于晶界移动时遇到的杂质（MgO）更多，限制了晶粒的生长。
10-16 材料的许多性能如强度、光学性能等要求其晶粒尺寸微小且分布均匀，工艺上应如何控制烧结过程以达到此目的?
解：（1） 晶粒的大小取决于起始晶粒的大小,烧结温度和烧结时间 。
（2） 防止二次再结晶引起的晶粒异常长大 。
10-17 晶界移动通遇到夹杂物时会出现哪几种情况？从实现致密化目的考虑，晶界应如何移动？怎样控制？
解：晶粒正常长大时，如果晶界受到第二相杂质的阻碍，其移动可能出现三种情况。
（1）晶界能量较小，晶界移动被杂质或气孔所阻挡，晶粒正常长大停止。
（2）晶界具有一定的能量，晶界带动杂质或气孔继续移动，这时气孔利用晶界的快速通道排除，坯体不断致密。
（3）晶界能量大，晶界越过杂质或气孔，把气孔包裹在晶粒内部。由于气孔脱离晶界，再不能利用晶界这样的快速通道排除，使烧结停止，致密度不再增加，这将出现二次再结晶现象。
从实现致密化目的考虑，晶界应按第二种情况移动，控制晶界的能量以增加致密度。
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