CCD简介
英文全称：Charge-coupled Device，中文全称：电荷耦合元件。可以称为CCD图像传感器,也叫图像控制器。CCD是一种半导体器件
，能够把光学影像转化为数字
信号。 CCD上植入的微小光敏物质称作像素（Pixel）。一块CCD上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。CCD的作用就像胶片一样，但它是把光信号转换成电荷信号。CCD上有许多排列整齐的光电二极管，能感应光线，并将光信号转变成电信号，经外部采样放大及模数转换电路转换成数字图像信号。此外，CCD还是蜂崩溃混乱症的简称。 CCD图像传感器可直接将光学信号转换为模拟电流信号，电流信号经过放大和模数转换，实现图像的获取、存储、传输、处理和复现。其显著特点是：1.体积小重量轻；2.功耗小，工作电压低，抗冲击与震动，性能稳定，寿命长；3.灵敏度高，噪声低，动态范围大；4.响应速度快，有自扫描功能，图像畸变小，无残像；5.应用超大规模集成电路机械钻孔桩工艺技术生产，像素集成度高，尺寸精确，商品化生产成本低。因此，许多采用光学方法测量外径的仪器，把CCD器件作为光电接收器。
CCD工作原理
CCD从功能上可分为线阵CCD和面阵CCD两大类。线阵CCD通常将CCD内部电极分成数组，每组称为一相，并施加同样的时钟脉冲。所需相数由CCD芯片内部结构决定，结构相异的CCD可满足不同场合的使用要求。线阵CCD有单沟道和双沟道之分，其光敏区是MOS电容或光敏二极管结构，生产工艺相对较简单。它由光敏区阵列与移位寄存器扫描电路组成，特点是处理信息速度快，外围电路简单，易实现实时控制，但获取信息量小，不能处理复杂的图像（线阵CCD如右图所示）。面阵CCD的结构要复杂得多，它由很多光敏区排列成一个方阵，并以一定的形式连接成一个器件，获取信息量大，能处理复杂的图像。
一、平板DR与CCD DR综合比较<一>、探测系统成像原理：1、平板探测器平板探测器构成的DR主要分为两种:一种是非晶硅平板探测器,属于间接能量转换方式；另一种是非晶硒平板探测器,属于直接能量转换方式。A、非晶硅平板探测器原理：非晶硅平板探测器的结构主要是由闪烁体和感光体（具有光电二极管作用的非晶硅层）集成在一起再加TFT阵列构成；其原理是闪烁体经X射线曝光后，将X射线光子转换为可见光，而后由具有光电二极管作用的非晶硅层变为图像电信号，通过TFT检测阵列（排列信号作用），再经A/D转换最终获得数字化图像。哺乳衣
B、非晶硒平板探测器原理：碱锰电池
非晶硒平板探测器的结构主要是由非晶硒层加TFT阵列构成；其原理是非晶硒层经X射线曝光后直接产生电信号，通过TFT检测阵列，再经A/D转换最终获得数字化图像。注：虽然非晶硒平板探测器要比非晶硅平板探测器在图像质量上更清晰，锐利度更好，但 番茄加速非晶硒平板探测器在使用过程中对工作环境要求非常高，寿命短，故障率高，而且维护成本远大于非晶硅平板探测器，因此目前市场上平板探测器以非晶硅平板占主导位置。
2、CCD 探测器
CCD探测器的结构主要是由17英寸x17英寸的闪烁屏，反射镜面，镜头和CCD感光芯片构成。其原理是闪烁屏经X射线曝光后，将X射线光子转换为可见光，可见光被反射镜面反射，然后通过镜头聚焦将可见光投射到CCD芯片上，CCD芯片再将可见光转换为电信号，最终获得数字化图像。CCD探测器的DR属于间接能量转换方式。
<二>、成像质量和开发成本：
CCD探测器 DR与碘化铯非晶硅平板DR相比，从理论上来说成像质量应该是要稍微差点的。因为碘化铯非晶硅平板DR的成像是1:1对称的，没有光学传导的过程，信号衰减较少；而CCD DR由于探测系统中有光学通路，必须采用光学系统来传导信号，吸收和反射会损失一些光学信息，信号衰减客观存在。
早期的CCD芯片技术感光灵敏度不够高，光电转换效率QE往往低于30%，当曝光时间不足(受辐射量限制)时，信噪比低，图像质量不佳。而平板探测器没有光学衰减，即使光电转换效率QE只有30%，也会优于CCD的30%。不过如今CCD芯片的光电转换效率QE已经
可以超过60%，甚至达到80%也有。一般来讲，平板DR会优于低端CCD DR，但与高端CCD DR的比较，就要看CCD DR研发者的水平了，包括优秀CCD芯片选型，低噪电路设计以及优良的光学通路设计。目前，优质的CCD DR的材料成本实际上要比平板探测器更高；最新的优质CCD DR的图像达到甚至超越了某些一般平板DR的图像。
平板探测器的材料成本实际上并不高，由于非晶硅光电管阵列和碘化铯生产成本不是很高，而在中国的市场上出现平板探测器的价格是非常昂贵的，其主要原因在于平板探测器技术一直被国外垄断，国内还没有真正研发出属于自己平板探测器。早期的进口CCD探测器也是非常昂贵的，直到国产CCD探测器的诞生打破了国外CCD 探测器的垄断。ei硅钢片
<三>、寿命和维修成本：
平板探测器使用一定年限（通常三年左右）或者经过一定次数曝光，平板探测器老化损坏是必然的，不可避免的。平板探测器的维修成本高主要是在于内部组件的高度集成化，还有非晶态氧化硅晶体管的物理性质不稳定，在光照下衰减较快，因此每天都有大面积的坏点出现，当坏点达到一定量的时候是无法维修的，需要更换整个平板探测器。而实际上截至到今天，还没有一家平板探测器可以正常使用超过五年，大多数是两年左右就要更换一次平板探测器，由于平板探测器技术一直被国外垄断，其成本是非常昂贵的。
CCD探测器DR中CCD芯片只需要感测可见光，将可见光转换为电信号，最终获得数字化图像；其使用寿命是很长的。CCD DR中的"耗材"主要是闪烁屏，系统的维修集中在更换闪烁屏，CCD 探测器DR的维护成本是较低的。
因此，目前CCD探测器DR的使用寿命远远高于平板探测器DR，而且CCD探测器DR的后期维护成本远远低于平板探测器DR。
如今很多医院在购买DR期间只注重了牌子，探测器构造，高象素，高配置等，而往往忽视了设备寿命和后期使用维护成本。在保障临床使用的基础上，购买稳定性更高、使用寿命更长、维护成本更低的CCD 探测器DR，特别是对基层医院是一个最佳的选择。
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