一、选择题
Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。 （B）
2.MOS管的小信号输出电阻是由MOS麦弗逊式独立悬架管的效应产生的。 （C） A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通
3.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。 （D） A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区
管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。 （A）
塑钢拉链A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽
A. B. C. D.
6.Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的。 （B）
A. B. C. D.
7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是。 （C）
A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.abs-220
负载不匹配 C.输入MOS不匹配 D.电路制造中的误差
8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。 （ C ）
A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器
C.有源电流镜差分放大器 负载Casocde差分放大器
9.镜像电流源一般要求相同的。 （ D ）
A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L
10. NMOS管的导电沟道中依靠导电。 （ ）
A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷
11.下列结构中密勒效应最大的是。 （A）
A.共源级放大器 B.源级跟随器
C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器
12.在NMOS中，若会使阈值电。 （A）
A.增大 B.不变 C.减小 D.可大可小
13. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。 （C）
A.增益 B.输出电阻 C.输出摆幅 D.输入电阻
14. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。 （A）
A.增益 B.电压净空 C.输出摆幅 D.输入偏置
15. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该
电路的等效输入电阻为。 （）
可移动存储设备第15题
A. B. .
16.不能直接工作的共源极放大器是共源极放大器。 （C）
A.电阻负载 B.二极管连接负载
C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负载
17.模拟集成电路设计中的最后一步是。 （B）
A.公牛辅助电路设计 B.版图设计 C.规格定义 D.电路结构选择
18.在当今的集成电路制造工艺中，工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。 （B）
管的导电沟道中依靠导电。pe导电母粒 （B）
B.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷
20.电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是。 （D）
A.增大器件宽长比 B.增大负载电阻
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