一种MEMS圆形PCB基板传感器封装的结构的制作方法

一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构
技术领域
1.本实用新型涉及封装技术领域，具体来说，涉及一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构。

背景技术：

2.mems微传感器是以mems技术为手段设计、加工并进行封装的一系列微型传感器的统称，其包括压力传感器、湿度传感器、温度传感器、加速度传感器等。mems微传感器的封装是mems传感器走向市场被客户接受并广泛应用的最后一步，也是mems微传感器制造中十分关键的一步。
3.目前，mems芯片的封装的制程中，会多次处于高温的环境中，如芯片的贴装、外壳的贴装等；并且在终端应用过程中也会出现非常温使用的情况，现有的封装对散热只是简单的开孔处理，导致散热的效果不好。
4.针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现要素：

5.针对相关技术中的问题，本实用新型提出一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
6.为此，本实用新型采用的具体技术方案如下：
7.一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构，包括pcb封装基板，pcb封装基板的顶部设置有封盖，封盖的顶部一侧开设有声孔，pcb封装基板的顶部一侧mems芯片，pcb封装基板的顶部另一侧设置有asic芯片，且asic芯片和mems芯片均通过基座与pcb封装基板，asic芯片与mems芯片之间、asic芯片与pcb封装基板之间均通过金属引线电连接。
8.进一步的，为了实现pcb封装基板与封盖之间的相互配合，pcb封装基板和封盖均为圆形结构。
9.进一步的，为了可以对mems芯片、asic芯片及金属引线起到很好的保护效果，封盖的内部设置有灌封胶，且灌封胶包覆mems芯片、asic芯片及金属引线。
10.进一步的，为了保证pcb基板硅麦芯片对声音的吸收，进而提高pcb基板硅麦芯片的声
‑
电转换效果，pcb封装基板上设置有正极接口vdd、负极接口gnd、输出接口out、电容及电阻，mems芯片上设置有偏压接口bias和通信接口signal，asic芯片上设置有第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第五端口及第六端口。
11.进一步的，正极接口vdd与第六端口连接，负极接口gnd与第二端口连接，输出接口out与第一端口连接；偏压接口bias与第五端口连接，通信接口signal与第四端口连接。
12.进一步的，为了可以起到很好的散热效果，基座包括安装于pcb封装基板顶部的硅基体，硅基体的顶部开设有与mems芯片及asic芯片相配合的凹槽，硅基体的两侧均设置有连接部，且连接部的底部与pcb封装基板连接。
13.进一步的，为了提高散热效果，硅基体的顶部贯穿开设有若干散热孔，且散热孔的
顶端与凹槽连通。
14.进一步的，为了更好地实现金属引线与mems芯片及asic芯片之间的连接，连接部包括z型连接块，且z型连接块的底部与pcb封装基板连接，z型连接块的顶部一侧开设有安装槽，安装槽内部设置有连接块，且连接块与安装槽之间通过阻尼转轴转动连接，连接块的另一端与硅基体连接。
15.本实用新型的有益效果为：通过基座的使用，不仅便于实现mems芯片及asic芯片与pcb封装基板之间的连接，而且还可以在硅基体的作用下将芯片散发出的热量传导至pcb封装基板上，从而起到很好的散热效果，此外，还可以在连接部的作用下实现芯片位置的微调，从而更好地实现mems芯片及asic芯片与pcb封装基板之间的连接。
附图说明
16.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1是根据本实用新型实施例的一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构示意图；
18.图2是根据本实用新型实施例的一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构中pcb封装基板的俯视图；
19.图3是图1中a处的局部结构放大图。
20.图中：
21.1、pcb封装基板；2、封盖；3、声孔；4、mems芯片；5、asic芯片；6、基座；7、金属引线；8、灌封胶；9、硅基体；10、凹槽；11、散热孔；12、z型连接块；13、安装槽；14、连接块；15、阻尼转轴。
具体实施方式
22.为进一步说明各实施例，本实用新型提供有附图，这些附图为本实用新型揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理，配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本实用新型的优点，图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
23.根据本实用新型的实施例，提供了一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构。
24.现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明，如图1
‑
3所示，根据本实用新型实施例的mems圆形pcb基板传感器封装的结构，包括pcb封装基板1，pcb封装基板1的顶部设置有封盖2，封盖2的顶部一侧开设有声孔3，pcb封装基板1的顶部一侧mems芯片4，pcb封装基板1的顶部另一侧设置有asic芯片5，且asic芯片5和mems芯片4均通过基座6与pcb封装基板1，asic芯片5与mems芯片4之间、asic芯片5与pcb封装基板1之间均通过金属引线7电连接。
25.借助于上述技术方案，通过基座6的使用，不仅便于实现mems芯片4及asic芯片5与pcb封装基板1之间的连接，而且还可以在硅基体9的作用下将芯片散发出的热量传导至pcb封装基板1上，从而起到很好的散热效果，此外，还可以在连接部的作用下实现芯片位置的
微调，从而更好地实现mems芯片4及asic芯片5与pcb封装基板1之间的连接。
26.在一个实施例中，pcb封装基板1和封盖2均为圆形结构，从而可以很好地实现pcb封装基板1和封盖2之间的相互配合。
27.在一个实施例中，封盖2的内部设置有灌封胶8，且灌封胶8包覆mems芯片4、asic芯片5及金属引线7，从而可以对mems芯片4、asic芯片5及金属引线7起到很好的保护效果。
28.在一个实施例中，pcb封装基板1上设置有正极接口vdd、负极接口gnd、输出接口out、电容及电阻，mems芯片4上设置有偏压接口bias和通信接口signal，asic芯片5上设置有第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第五端口及第六端口。
29.在一个实施例中，正极接口vdd与第六端口连接，负极接口gnd与第二端口连接，输出接口out与第一端口连接；偏压接口bias与第五端口连接，通信接口signal与第四端口连接，从而保证pcb基板硅麦芯片对声音的吸收，进而提高pcb基板硅麦芯片的声
‑
电转换效果。
30.在一个实施例中，基座6包括安装于pcb封装基板1顶部的硅基体9，硅基体9的顶部开设有与mems芯片4及asic芯片5相配合的凹槽10，硅基体9的两侧均设置有连接部，且连接部的底部与pcb封装基板1连接，具体应用时，硅基体9的底部与pcb封装基板接触用于传导热量，而硅基体9的安装通过连接部与pcb封装基板1连接。通过基座6的使用，不仅便于实现mems芯片4及asic芯片5与pcb封装基板1之间的连接，而且还可以在硅基体9的作用下将芯片散发出的热量传导至pcb封装基板1上，从而起到很好的散热效果，此外，还可以在连接部的作用下实现芯片位置的微调，从而更好地实现mems芯片4及asic芯片5与pcb封装基板1之间的连接。
31.在一个实施例中，硅基体9的顶部贯穿开设有若干散热孔11，且散热孔11的顶端与凹槽10连通，从而可以有效地提高散热效果。
32.在一个实施例中，连接部包括z型连接块12，且z型连接块12的底部与pcb封装基板1连接，z型连接块12的顶部一侧开设有安装槽13，安装槽13内部设置有连接块14，且连接块14与安装槽13之间通过阻尼转轴15转动连接，连接块14的另一端与硅基体9连接。通过连接部的使用，使得mems芯片4及asic芯片5在安装完成后，还可以根据需要来对其位置进行微调，从而更好地实现mems芯片4及asic芯片5与pcb封装基板1之间的连接。
33.综上所述，借助于本实用新型的上述技术方案，通过基座6的使用，不仅便于实现mems芯片4及asic芯片5与pcb封装基板1之间的连接，而且还可以在硅基体9的作用下将芯片散发出的热量传导至pcb封装基板1上，从而起到很好的散热效果，此外，还可以在连接部的作用下实现芯片位置的微调，从而更好地实现mems芯片4及asic芯片5与pcb封装基板1之间的连接。
34.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“连接”、“固定”、“旋接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
35.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型
的保护范围之内。

技术特征：

1.一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构，其特征在于，包括pcb封装基板(1)，所述pcb封装基板(1)的顶部设置有封盖(2)，所述封盖(2)的顶部一侧开设有声孔(3)，所述pcb封装基板(1)的顶部一侧mems芯片(4)，所述pcb封装基板(1)的顶部另一侧设置有asic芯片(5)，且所述asic芯片(5)和所述mems芯片(4)均通过基座(6)与所述pcb封装基板(1)，所述asic芯片(5)与所述mems芯片(4)之间、所述asic芯片(5)与所述pcb封装基板(1)之间均通过金属引线(7)电连接。2.根据权利要求1所述的一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构，其特征在于，所述pcb封装基板(1)和所述封盖(2)均为圆形结构。3.根据权利要求1所述的一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构，其特征在于，所述封盖(2)的内部设置有灌封胶(8)，且所述灌封胶(8)包覆所述mems芯片(4)、所述asic芯片(5)及所述金属引线(7)。4.根据权利要求1所述的一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构，其特征在于，所述pcb封装基板(1)上设置有正极接口vdd、负极接口gnd、输出接口out、电容及电阻，所述mems芯片(4)上设置有偏压接口bias和通信接口signal，所述asic芯片(5)上设置有第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第五端口及第六端口。5.根据权利要求4所述的一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构，其特征在于，所述正极接口vdd与所述第六端口连接，所述负极接口gnd与所述第二端口连接，所述输出接口out与所述第一端口连接；所述偏压接口bias与所述第五端口连接，所述通信接口signal与所述第四端口连接。6.根据权利要求1所述的一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构，其特征在于，所述基座(6)包括安装于所述pcb封装基板(1)顶部的硅基体(9)，所述硅基体(9)的顶部开设有与所述mems芯片(4)及所述asic芯片(5)相配合的凹槽(10)，所述硅基体(9)的两侧均设置有连接部，且所述连接部的底部与所述pcb封装基板(1)连接。7.根据权利要求6所述的一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构，其特征在于，所述硅基体(9)的顶部贯穿开设有若干散热孔(11)，且所述散热孔(11)的顶端与所述凹槽(10)连通。8.根据权利要求6所述的一种mems圆形pcb基板传感器封装的结构，其特征在于，所述连接部包括z型连接块(12)，且所述z型连接块(12)的底部与所述pcb封装基板(1)连接，所述z型连接块(12)的顶部一侧开设有安装槽(13)，所述安装槽(13)内部设置有连接块(14)，且所述连接块(14)与所述安装槽(13)之间通过阻尼转轴(15)转动连接，所述连接块(14)的另一端与所述硅基体(9)连接。

技术总结

本实用新型公开了一种MEMS圆形PCB基板传感器封装的结构，包括PCB封装基板，PCB封装基板的顶部设置有封盖，封盖的顶部一侧开设有声孔，PCB封装基板的顶部一侧MEMS芯片，PCB封装基板的顶部另一侧设置有ASIC芯片，ASIC芯片和MEMS芯片均通过基座与PCB封装基板，ASIC芯片与MEMS芯片之间、ASIC芯片与PCB封装基板之间均通过金属引线电连接。有益效果：不仅便于实现MEMS芯片及ASIC芯片与PCB封装基板之间的连接，而且还可以起到很好的散热效果，此外，还可以实现芯片位置的微调，从而更好地实现MEMS芯片及ASIC芯片与PCB封装基板之间的连接。片及ASIC芯片与PCB封装基板之间的连接。片及ASIC芯片与PCB封装基板之间的连接。