深硅刻蚀设备技术规格参数

一、概述

深硅刻蚀设备是一种用于制造微电子芯片的关键设备之一，其主要作用是将硅片表面进行刻蚀处理，以便在上面制造出各种电子元器件。本文将详细介绍深硅刻蚀设备的技术规格参数。

二、外观设计

1. 设备尺寸：长×宽×高为1800mm×1500mm×2200mm。

2. 设备颜：主体为白，配有黑和灰的装饰条。

51.cm3. 设备结构：设备分为主机和控制箱两部分，主机上方配有显示屏和操作按钮，控制箱内部安装了各种电气元件。

三、技术参数

1. 工作方式：单边刻蚀。

2. 刻蚀方式：干法刻蚀。

3. 刻蚀深度：最大可达50um。琴谱架

滚动体4. 刻蚀速率：最大可达10um/min。

5. 反应室尺寸：直径为250mm，高度为350mm。

6. 气体流量范围：氟化物流量范围为10~200sccm，惰性气体流量范围为50~1000sccm。

7. 气体压力范围：1~100mTorr。

8. 加热方式：电加热。

9. 加热温度范围：室温~200℃。

10. 气体处理方式：通过气体混合器将不同的气体混合后进入反应室。

四、电气参数

1. 电源要求：AC 380V，50Hz，三相五线制。

2. 功率消耗：最大功率为5kW。

3. 控制系统：采用PLC控制系统和触摸屏人机界面，具有自动化控制功能。物理教具制作

五、安全保护

1. 紧急停止按钮：设备配有紧急停止按钮，一旦发生异常情况，操作人员可以立即按下该按钮停止设备运行。

2. 过载保护：设备内部设置了过载保护装置，避免因电流过大而导致的设备损坏或安全事故发生。

3. 气体泄漏报警：当设备内部检测到气体泄漏时，会自动报警并停止运行。

六、维护保养装备偏移

1. 清洁维护：定期对设备进行清洁和维护，避免灰尘和杂质进入反应室影响刻蚀效果。

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2. 零部件更换：定期更换设备内部的易损件，以确保设备的正常运行。

3. 保养记录：对设备进行保养时，应及时记录保养情况，以便于后续维护工作的开展。

七、总结

深硅刻蚀设备是微电子芯片制造过程中不可或缺的重要设备之一。本文介绍了该设备的外观设计、技术参数、电气参数、安全保护和维护保养等方面的详细信息，希望对相关从业人员有所帮助。

本文发布于:2024-09-23 06:22:20，感谢您对本站的认可！

标签：设备刻蚀气体按钮范围配有维护

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