一种存储器保护电路及通信模块的制作方法

1.本实用新型涉及存储器写保护技术领域，尤其涉及一种存储器保护电路及通信模块。

背景技术：

2.flash闪存是非易失性存储器，是目前各类设备中常用的存储器芯片，具有可擦除可编程的特点，在没有电流供应的条件下也能够长久地保存数据，其存储的数据不会因为没有供电而丢失，因此，flash闪存常被用来存储设备固件及各类设备参数信息。图1是目前设备中常见的flash闪存的电路连接示意图，设备电源直接给主控单元和flash芯片供电，主控单元与flash芯片之间直接连接，设备运行过程中，主控单元可以从flash芯片中读取数据，也可以向flash芯片中写入数据。正常情况下，只要保证设备电源提供给主控单元和flash芯片的供电电压在二者的正常工作电压范围，主控单元就可以正常读写flash芯片中的数据，flash芯片中的数据也不会出现错误或者丢失情况。
3.设备工作时，与设备连接的外设的使用会造成设备负载增大，再加上电源自身产生的纹波，很容易出现供电电压波动的情况。通常，存储器芯片(flash芯片)与主控芯片的工作电压并不完全一致，存储器芯片的工作电压一般在2.7-3.6v，主控芯片的工作电压一般在2-3.6v。当供电电压波动到2.7-2v之间时，主控芯片能够保持正常工作，而存储器芯片则可能因供电电压不足造成工作异常，此时，主控芯片很可能无法从存储器芯片中读取正确的数据；更有甚者，如果此时主控芯片向存储器芯片写入数据，不仅很可能会造成数据写入失败，也很可能会造成存储器芯片中的数据丢失。

技术实现要素：

4.本实用新型的主要目的在于提供一种存储器保护电路及通信模块，旨在解决操作存储器过程中因供电电压出现波动导致存储器中的参数和固件等数据容易丢失的问题，保护存储器的数据安全。
5.为了实现上述目的，本实用新型提供一种存储器保护电路，包括：
6.电压监测电路，具有检测端和输出端，所述电压监测电路的检测端用于与存储器的电源端连接，所述电压监测电路的输出端用于与存储器的写保护端连接；
7.主控电路，具有输入端和输出端，所述主控电路的输入端与所述电压监测电路的输出端连接，所述主控电路的输出端用于与所述存储器连接；
8.所述电压监测电路，用于对存储器的供电电压进行监测，当所述供电电压低于预设阈值时，输出电压异常信号，以使存储器进入写保护状态；
9.所述主控电路，用于在检测到所述电压异常信号时，停止对存储器进行擦写操作。
10.可选地，所述一种存储器保护电路还包括延时电路，设置在所述电压监测电路与存储器之间，所述延时电路的输入端与所述电压监测电路的输出端连接，所述延时电路的输出端用于与存储器的写保护端连接；
11.其中，所述电压监测电路，还用于在所述供电电压大于或等于预设阈值时，输出电压正常信号；
12.所述延时电路，用于在接收到所述电压正常信号时进行放电，在接收到所述电压异常信号时进行充电，并在充电电压达到预设电压时，输出写保护触发信号，以触发存储器进入写保护状态。
13.可选地，所述延时电路包括充放电延时单元、第一开关和第二开关，所述第一开关的受控端与所述电压监测电路的输出端连接，所述第一开关的第一端与存储器的电源端连接，所述第一开关的第二端与所述充放电延时单元的输入端连接，所述充放电延时单元的输出端与所述第二开关的受控端连接，所述第二开关的第一端用于与存储器的电源端连接，所述第二开关的第二端接地。
14.可选地，所述第一开关包括第一电阻和第一mos管，所述第一电阻的一端和所述第一mos管的栅极分别与所述电压监测电路的输出端连接，所述第一电阻的另一端和所述第一mos管的源极分别与存储器的电源端连接，所述第一mos管的漏极为所述第一开关的第二端；所述第二开关包括第二mos管和第二电阻，所述第二mos管的栅极与所述充放电延时单元的输出端连接，所述第二mos管的漏极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端连接存储器的电源端，所述第二mos管的源极接地，其中，所述第二mos管的漏极与所述第二电阻连接的公共端为所述延时电路的输出端。
15.可选地，所述充放电延时单元包括第三电阻、第四电阻和第一电容，所述第三电阻的一端和第四电阻的一端分别与所述第一开关的第二端连接，所述第四电阻的另一端与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端和所述第三电阻的另一端分别接地；其中，所述第四电阻与所述第一电容连接的公共端为所述充放电延时单元的输出端。
16.可选地，所述主控电路，还用于在检测到存储器为写保护状态，且检测到所述电压异常信号时，停止对存储器进行擦写操作。
17.可选地，所述电压监测电路包括电压比较器、分压单元和稳压单元；所述分压单元的输入端与存储器的电源端连接，所述分压单元的输出端与所述电压比较器的同相输入端，所述稳压单元的输入端与存储器的电源端连接，所述稳压单元的输出端与所述电压比较器的反向输入端连接，所述电压比较器的输出端为所述电压监测电路的输出端。
18.可选地，所述分压单元包括第五电阻和第六电阻；所述第五电阻的一端与存储器的电源端连接，所述第五电阻的另一端分别与所述第六电阻的一端和所述电压比较器的同相输入端连接，所述第六电阻的另一端接地。
19.可选地，所述稳压单元包括第七电阻和稳压管，所述七电阻的一端与存储器的电源端连接，所述第七电阻的另一端分别与所述稳压管的阴极和所述电压比较器的反相输入端连接，所述稳压管的阳极接地。
20.此外，为实现上述目的，本实用新型还提供一种通信模块，包括存储器和存储器保护电路；
21.所述存储器保护电路用于根据存储器的供电电压对存储器的读写进行保护，所述存储器保护电路被配置为如上所述的一种存储器保护电路。
22.本实用新型通过所述电压监测电路实时检测存储器的供电电压，在存储器的供电电压波动到低于存储器的工作电压时，锁定存储器写状态寄存器，控制存储器进入写保护
状态，以停止存储器正常写入操作，从而保证电压波动不会造成存储器中参数和固件等数据丢失，进而保护了存储器的数据安全；进一步地，可以使主控电路在检测到电压监测电路输出了电压异常信号时，停止对存储器进行擦写操作，以保证数据不会丢失。
附图说明
23.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
24.图1为现有设备中flash闪存电路连接示意图；
25.图2为本实用新型一种存储器保护电路一实施例的模块示意图；
26.图3为本实用新型一种存储器保护电路一实施例中主控电路的电路结构示意图；
27.图4为本实用新型一种存储器保护电路一实施例中存储器的电路结构示意图；
28.图5为本实用新型一种存储器保护电路另一实施例的模块示意图；
29.图6为本实用新型一种存储器保护电路一实施例的电路结构示意图。
30.本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
31.附图标号说明：
[0032][0033]
具体实施方式
[0034]
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0035]
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部
的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0036]
需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0037]
另外，在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
[0038]
本实用新型提供一种存储器保护电路，参照图2，在一实施例中，该存储器保护电路包括：
[0039]
电压监测电路10，具有检测端和输出端，所述电压监测电路10的检测端用于与存储器30的电源端连接，所述电压监测电路10的输出端用于与存储器30的写保护端连接；
[0040]
主控电路20，具有输入端和输出端，所述主控电路20的输入端与所述电压监测电路10的输出端连接，所述主控电路20的输出端用于与存储器30连接；
[0041]
所述电压监测电路10，用于对存储器30的供电电压进行监测，当所述供电电压低于预设阈值时，输出电压异常信号，以使存储器30进入写保护状态；
[0042]
所述主控电路20，在检测到存储器30为写保护状态或者检测到所述电压异常信号时，停止对存储器30进行擦写操作。
[0043]
上述存储器保护电路可以设置在各种需要存储器30进行数据存储的产品中，如无线通讯模块、路由器等。
[0044]
可选地，上述主控电路20可以根据实际需要进行设置，例如单片机、dsp芯片等；所述存储器30可以是flash芯片；所述主控电路20的输出端用于与存储器30连接，由此可以实现主控电路20与存储器30之间的双向通信，即，主控电路20既可以向存储器30进行擦写操作也可以进行数据读取，其中，所述主控电路20的输出端可以是主控电路芯片的多个输入/输出引脚，与存储器30连接的只是其中的一部分；存储器30的电源端连接供电电源，供电电源可以使用dcdc电源芯片输出的3.3v电压，可以分别为电压监测电路10、主控电路20和存储器30供电，在此不进行限定。
[0045]
具体的，参照图3和图4，以主控电路20为单片机u1、所述存储器30为flash芯片u2为例，将flash芯片u2的/wp引脚与所述电压监测电路10的输出端连接，当供电电源出现电压波动时，电压监测电路10输出电压异常信号，电压异常信号根据flash芯片具体设定，如可以是低电平，此时flash芯片u2的/wp引脚接收到低电平信号后进行写保护操作，锁定状态寄存器；单片机u1的输入引脚wp_1也与所述电压监测电路10的输出端连接，当单片机u1无法对flash芯片u2进行写操作时，可以直接停止对存储器30进行擦写操作，也可以通过输入引脚wp_1对电压监测电路10的输出端信号进行采样，若检测到电压监测电路10的输出端信号为电压异常信号，则确定无法对flash芯片u2进行写操作是因为flash芯片u2的供电电压异常造成的，再停止对存储器30进行擦写操作。
[0046]
需要说明的是，当供电电压不稳定时，主控电路20对存储器30进行读操作并不会造成存储器30的数据丢失，擦写操作才会造成数据丢失，因此，此时需要停止对存储器30进行擦写操作，当然，出于数据通信的有效性考虑，也可以停止对存储器30的数据进行读写的操作，仍保持对状态寄存器的读取操作。
[0047]
可以理解的，当供电电压恢复正常时，电压监测电路10的输出端不再输出电压异常信号，此时对flash芯片u2恢复为可以正常读写状态。需要说明的是，单片机芯片u1和flash存储芯片u2的电路的结构无需进行限定，本领域技术人员可以参考本领域常用技术进行设置，只需要实现上述对应的功能即可。
[0048]
所述预设阈值的数值可以根据实际选择的存储器30进行设置，一般将存储器30的工作电压区间的最小值设置为所述预设阈值。例如，选用的存储器30的工作电压区间为2.7v-3.3v，在供电电压低于2.7v时对存储器30进行擦写操作很可能会出现参数或固件数据丢失的情况，那么所述预设阈值设置为工作电压区间的最小值，即2.7v。
[0049]
本方案通过所述电压监测电路10实时检测存储器30的供电电压，在存储器30的供电电压波动到低于存储器30的工作电压时，锁定存储器30写状态寄存器，控制存储器30进入写保护状态，以停止存储器30正常写入操作；主控电路20在检测到无法与存储器30正常写入时，读取电压监测电路10是否输出了电压异常信号，当确定是由于供电电压波动引起的存储器30写保护时，停止对存储器30进行擦写操作，此时存储器30擦写操作都是被禁止状态，从而保证电压波动不会造成存储器30中参数和固件等数据丢失，进而保护了存储器30的数据安全。
[0050]
更优地，单片机u1的输入引脚wp_1配置为中断引脚，电压监测电路10输出电压异常信号时，触发写保护中断，单片机u1自动进入禁止读写flash芯片u2状态；当电压监测电路10输出电压正常信号时，触发解除写保护中断，单片机u1自动退出禁止读写flash芯片u2状态。
[0051]
进一步地，参见图5，所述存储器保护电路还包括延时电路40，设置在所述电压监测电路10与存储器30之间，所述延时电路40的输入端与所述电压监测电路10的输出端连接，所述延时电路40的输出端用于与存储器30的写保护端连接；
[0052]
其中，所述电压监测电路10，还用于在所述供电电压大于或等于预设阈值时，发出电压正常信号；
[0053]
所述延时电路40，用于在接收到所述电压正常信号时进行放电；在接收到所述电压异常信号时进行充电，并在充电电压达到预设电压时，输出写保护触发信号，以触发存储器30进入写保护状态。
[0054]
本实施例中，在所述供电电压大于或等于预设阈值时，所述电压监测电路10发出电压正常信号，所述延时电路40开始放电；当所述供电电压低于预设阈值时，所述电压监测电路10输出电压异常信号，所述延时电路40开始充电，在充电电压达到预设电压时，触发存储器30进入写保护状态。
[0055]
可以理解的是，在供电电压vcc短时间波动时，例如毫秒到秒之间的电压波动，存储器30的工作状态不会受影响，因此，所述预设电压可以根据存储器30的性能进行设置。例如，存储器30在供电电压出现波动的时间超过t时，擦写操作会出现参数和固件等数据丢失的情况，那么将所述延时电路40在t时间内持续充电达到的充电电压值为预设电压。如果电
压波动的时间小于t，则所述延时电路40不会触发存储器30进行写保护。
[0056]
在出现t时间内供电电压低于所述预设阈值又恢复工作电压区间内的情况时，所述延时电路40会进行充电再放电，因此充电电压达不到所述预设电压，不会触发存储器30进行写保护。
[0057]
通过延时电路40的设置，可以避免存储器30在供电电压出现短时间波动时被频繁触发，在实现保护存储器30的基础上，保证了电路工作的稳定性。
[0058]
进一步地，参见图6，所述延时电路40包括第一开关41、充放电延时单元42和第二开关43，所述第一开关41的受控端与所述电压监测电路10的输出端wp_1连接，所述第一开关41的第一端与存储器30的电源端连接，所述第一开关41的第二端与所述充放电延时单元42的输入端连接，所述充放电延时单元42的输出端与所述第二开关43的受控端连接，所述第二开关43的第一端用于与存储器30的电源端连接，所述第二开关43的第二端接地。
[0059]
本实施例中，所述第一开关41接收到所述电压异常信号时，第一开关41打开，充放电延时单元42进行充电，所述第一开关41接收到所述正常信号时，第一开关41关断，充放电延时单元42进行放电；当充放电延时单元42的充电电压达到预设电压时，第二开关43的第三端wp输出信号使第二开关43打开，输出写保护触发信号至存储器30。
[0060]
需要说明的是，所述第一开关41的第一端和所述第二开关43的第一端还分别与第一直流电源连接，本实施例中，第一直流电源为存储器30的供电电源vcc。
[0061]
进一步地，所述第一开关41包括第一电阻r1和第一mos管q1，所述第一电阻r1的一端和所述第一mos管q1的栅极分别与所述电压监测电路10的输出端连接，所述第一电阻r1的另一端和所述第一mos管q1的源极分别与存储器30的电源端连接，所述第一mos管q1的漏极为所述第一开关41的第二端。所述第二开关43包括第二mos管q2和第二电阻r4，所述第二mos管q2的栅极与所述充放电延时单元42的输出端连接，所述第二mos管q2的漏极与所述第二电阻r4的一端连接，所述第二电阻r4的另一端连接存储器的电源端，所述第二mos管q2的源极接地，其中，所述第二mos管q2的漏极与所述第二电阻r4连接的公共端为所述延时电路40的输出端wp。
[0062]
上述mos管q1和q2均可以通过等效电路或独立电子元件进行替换，在此不进行赘述。进一步地，所述mos管q1和q2的类型也可以根据实际需要进行设置，mos管q1和q2可以为pmos管。
[0063]
进一步地，所述充放电延时单元包括第三电阻r2、第四电阻r3和第一电容c1，所述第三电阻r2的一端和第四电阻r3的一端分别与所述第一开关41的第二端连接，所述第四电阻r3的另一端与所述第一电容c1的一端连接，所述第一电容c1的另一端和所述第三电阻r2的另一端分别接地；其中，所述第四电阻r3与所述第一电容c1连接的公共端为所述充放电延时单元42的输出端。
[0064]
本实施例中，所述第四电阻r3与所述第一电容c1进行充电，延时时间可以通过如下公式进行计算：
[0065]
t＝-r
×c×
ln(e-v)/e；
[0066]
其中，t为延时时间，r为第四电阻r3的电阻值，c为第一电容c1的电容值，e为第四电阻r3与第一电容c1之间的电压，v为供电电压电压。
[0067]
进一步地，所述主控电路，还用于在检测到存储器为写保护状态，且检测到所述电
压异常信号时，停止对存储器进行擦写操作。当主控电路20无法对存储器30进行写操作时，对电压监测电路10的输出端信号进行采样，若检测到电压监测电路10的输出端信号为电压异常信号，则确定无法对存储器30进行写操作是因为存储器30的供电电压异常造成的，则停止对存储器30进行擦写操作。
[0068]
进一步地，所述电压监测电路10包括电压比较器u3、分压单元11和稳压单元12；所述分压单元11的输入端与存储器30的电源端连接，所述分压单元11的输出端与所述电压比较器u3的同相输入端，所述稳压单元12的输入端与存储器30的电源端连接，所述稳压单元12的输出端与所述电压比较器u3的反向输入端连接，所述电压比较u3器的输出端为所述电压监测电路10的输出端。
[0069]
本实施例中，所述电压比较器u3的电源端连接第二直流电源，所述第二直流电源可以为存储器30的供电电压vcc。
[0070]
进一步地，所述分压单元12包括第五电阻r5和第六电阻r6；所述第五电阻r5的一端与存储器30的电源端连接，所述第五电阻r5的另一端分别与所述第六电阻r6的一端和所述电压比较器u3的同相输入端连接，所述第六电阻r6的另一端接地。其中，所述第五电阻r5和第六电阻r6可以是单个电阻，也可以是由多个电阻串联而成。
[0071]
进一步地，所述稳压单元12包括第七电阻r7和稳压管d1，所述七电阻r7的一端与存储器30的电源端连接，所述第七电阻r7的另一端分别与所述稳压管d1的阴极和所述电压比较器u3的反相输入端连接，所述稳压管d1的阳极接地。
[0072]
基于上述硬件结构，所述存储器保护电路进行存储器30工作电压检测及控制的过程可以为：
[0073]
当供电电压vcc正常时，电压比较器u3的10引脚的电压大于9引脚的电压，输出为高电平，第一mos管q1截止，第二mos管q2截止，wp引脚信号为高电平，flash芯片u2为正常工作状态；
[0074]
当出现供电电压vcc波动至低于预设阈值时，电压比较器u3的10引脚的电压小于9引脚的电压，输出为低电平，即wp_1为低电平，第一mos管q1导通，第四电阻r3和第一电容c1进行充电，当充电电压达到预设电压时，第二mos管q2导通，wp引脚信号为低电平，flash芯片u2的/wp引脚接收到低电平，进行写保护，锁定状态寄存器。单片机u1检测到无法对flash芯片u2进行写操作时，检测电压比较器u3的输出端wp_1为低电平，则确定供电电压vcc异常，停止对flash芯片u2进行擦写操作，从而保证不会造成flash芯片u2数据丢失。
[0075]
当供电电压vcc恢复正常时，检测电压比较器u3的输出端wp_1为高电平，第一mos管q1截至，第一电容c1、第四电阻r3放电，第二mos管q2截至，输出端wp为高电平，对flash芯片u2恢复正常写状态，此时单片机u1检测到电压比较器u3的输出端wp_1为低电平，则确定供电电压vcc恢复正常，恢复对对flash芯片u2的正常读写。
[0076]
综上所述，基于上述硬件结构，在供电电压vcc波动时，可以触发存储器30进入写保护状态，主控电路10停止对存储器30进行擦写操作，此时存储器30擦写操作都是被禁止状态，从而保证电压波动不会造成存储器30数据丢失，进而保护了存储器30的数据安全。
[0077]
本实用新型还提供一种通信模块，该通信模块包括存储器和存储器保护电路；所述存储器保护电路用于根据存储器的供电电压vcc对擦写存储器操作进行控制，进而对存储器的数据进行保护，所述存储器保护电路的结构可参照上述实施例，在此不再赘述。理所
应当地，由于本实施例的通信模块采用了上述一种存储器保护电路的技术方案，因此该通信模块具有上述一种存储器保护电路所有的有益效果。
[0078]
以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

技术特征：

1.一种存储器保护电路，其特征在于，包括：电压监测电路，具有检测端和输出端，所述电压监测电路的检测端用于与存储器的电源端连接，所述电压监测电路的输出端用于与存储器的写保护端连接；主控电路，具有输入端和输出端，所述主控电路的输入端与所述电压监测电路的输出端连接，所述主控电路的输出端用于与所述存储器连接；所述电压监测电路，用于对存储器的供电电压进行监测，当所述供电电压低于预设阈值时，输出电压异常信号，以使存储器进入写保护状态；所述主控电路，在检测到所述电压异常信号时，停止对存储器进行擦写操作。2.如权利要求1所述的一种存储器保护电路，其特征在于，所述一种存储器保护电路还包括延时电路，设置在所述电压监测电路与存储器之间，所述延时电路的输入端与所述电压监测电路的输出端连接，所述延时电路的输出端与存储器的写保护端连接；其中，所述电压监测电路，还用于在所述供电电压大于或等于预设阈值时，输出电压正常信号；所述延时电路，用于在接收到所述电压正常信号时进行放电；在接收到所述电压异常信号时进行充电，并在充电电压达到预设电压时，输出写保护触发信号，以触发存储器进入写保护状态。3.如权利要求2所述的一种存储器保护电路，其特征在于，所述延时电路包括充放电延时单元、第一开关和第二开关，所述第一开关的受控端与所述电压监测电路的输出端连接，所述第一开关的第一端与存储器的电源端连接，所述第一开关的第二端与所述充放电延时单元的输入端连接，所述充放电延时单元的输出端与所述第二开关的受控端连接，所述第二开关的第一端用于与存储器的电源端连接，所述第二开关的第二端接地。4.如权利要求3所述的一种存储器保护电路，其特征在于，所述第一开关包括第一电阻和第一mos管，所述第一电阻的一端和所述第一mos管的栅极分别与所述电压监测电路的输出端连接，所述第一电阻的另一端和所述第一mos管的源极分别与存储器的电源端连接，所述第一mos管的漏极为所述第一开关的第二端；所述第二开关包括第二mos管和第二电阻，所述第二mos管的栅极与所述充放电延时单元的输出端连接，所述第二mos管的漏极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端连接存储器的电源端，所述第二mos管的源极接地，其中，所述第二mos管的漏极与所述第二电阻连接的公共端为所述延时电路的输出端。5.如权利要求3所述的一种存储器保护电路，其特征在于，所述充放电延时单元包括第三电阻、第四电阻和第一电容，所述第三电阻的一端和第四电阻的一端分别与所述第一开关的第二端连接，所述第四电阻的另一端与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端和所述第三电阻的另一端分别接地；其中，所述第四电阻与所述第一电容连接的公共端为所述充放电延时单元的输出端。6.如权利要求1所述的一种存储器保护电路，其特征在于，所述主控电路，还用于在检测到存储器为写保护状态，且检测到所述电压异常信号时，停止对存储器进行擦写操作。7.如权利要求1所述的一种存储器保护电路，其特征在于，所述电压监测电路包括电压比较器、分压单元和稳压单元；所述分压单元的输入端与存储器的电源端连接，所述分压单元的输出端与所述电压比较器的同相输入端，所述稳压单元的输入端与存储器的电源端连
接，所述稳压单元的输出端与所述电压比较器的反向输入端连接，所述电压比较器的输出端为所述电压监测电路的输出端。8.如权利要求7所述的一种存储器保护电路，其特征在于，所述分压单元包括第五电阻和第六电阻；所述第五电阻的一端与存储器的电源端连接，所述第五电阻的另一端分别与所述第六电阻的一端和所述电压比较器的同相输入端连接，所述第六电阻的另一端接地。9.如权利要求7所述的一种存储器保护电路，其特征在于，所述稳压单元包括第七电阻和稳压管，所述七电阻的一端与存储器的电源端连接，所述第七电阻的另一端分别与所述稳压管的阴极和所述电压比较器的反相输入端连接，所述稳压管的阳极接地。10.一种通信模块，其特征在于，包括存储器和存储器保护电路；所述存储器保护电路用于根据存储器的供电电压对存储器的读写进行保护，所述存储器保护电路被配置为如权利要求1-9中任一项所述的一种存储器保护电路。

技术总结

本实用新型公开了一种存储器保护电路及通信模块，该存储器保护电路，其特征在于，包括：电压监测电路，具有检测端和输出端，所述电压监测电路的检测端用于与存储器的电源端连接，所述电压监测电路的输出端用于与存储器的写保护端连接；主控电路，具有输入端和输出端，所述主控电路的输入端与所述电压监测电路的输出端连接，所述主控电路的输出端用于与所述存储器连接；所述电压监测电路，用于对存储器的供电电压进行监测，当所述供电电压低于预设阈值时，输出电压异常信号，以使存储器进入写保护状态；所述主控电路，在检测到所述电压异常信号时，停止对存储器进行擦写操作。本实用新型保护了存储器的数据安全。新型保护了存储器的数据安全。新型保护了存储器的数据安全。