电路与电子技术复习题and答案

一、选择题
1.已知u = 10 sin (100πt-30°)V ,i = 10 sin (100πt+30°)mA 。则电压电流关系是
(      )。
A .电压超前电流60°
B .电压与电流同相
C .电压超前电流30°
D .电压滞后电流60°
2.图1所示电路中,U BA =(      )。
A 、E + IR
B 、E - IR
C 、- E + IR
垃圾热解炉
D 、-
E - IR
图1
3.电流与电压为关联参考方向是指(    )。
A 、电流参考方向与电压降参考方向一致
B 、电流参考方向与电压升参考方向一致
C 、电流实际方向与电压升实际方向一致
D 、电流实际方向与电压降实际方向一致
4. 在图2所示电路中,网孔电流如图中所标,其中网孔Ⅱ方程为  (  ) 。
A  453=+∏i i I
B  4105-=+∏i i I
C  12105=+∏i i I
D  4105-=+-∏i i I
塑木葡萄架
图2
5. 一个具有n 个节点、b 条支路的电路,对其所能列写相互独立的KVL 方程为(  )个。
A  b-n+1
B  n-1
C  b+n+1
D  b-n
6. 在计算戴维南定理求等效电阻时,应将原电路的电源置零,电源置零意味着(    )。
A. 电压源开路、电流源短路
B. 电压源短路、电流源开路
C. 电压源开路、电流源开路
D. 电压源短路、电流源短路
7. 当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时,该电流(    )
A  一定为正值
B  一定为负值
C  不能肯定是正值或负值
D  可能为负,也可能为正
8. 当电路中选择不同的节点为参考节点时,则(  )
A 各支路元件上的电压数值不变
B 各节点上的电位数值不变
C 各支路元件上的电压及节点上的电位数值都会改变
9.直流电路中,(    )。
A 、感抗为0,容抗为无穷大
B 、感抗为无穷大,容抗为0
C 、感抗和容抗均为0
D 、感抗和容抗均为无穷大
10.已知工频电压有效值和初始值均为220V ,则该电压的瞬时值表达式为(  )。
A 、t u 314sin 380=V
B 、)45314sin(220︒+=t u V
C 、)90314sin(110︒+=t u V
D 、不能确定
11.已知电路复阻抗Z =(3-j 4)Ω,则该电路一定呈(    )
A 、感性工业除尘器制造
B 、容性
C 、阻性
D 、不能确定
12.图3所示电路,在开关S 断开瞬间,电容C 两端的电压为(    )。
A 、10V
B 、0V
C 、按指数规律增加
D 、5V
13.在N 型半导体中,多数载流子是(    )。
A 、电子
B 、空穴
C 、离子
D 、杂质
14.测得一放大电路中三极管各极电压如图4所示:该管为(    )。
A. PNP 型硅管
B. NPN 型硅管
C. PNP 型锗管
D. NPN 型锗管
15.正常工作状态下的稳压二极管,处于伏安特性曲线中的(    )。
A. 正向特性工作区
B. 反向击穿区
C. 正向特性非工作区
D. 特性曲线所有区域
16. 本征半导体的载流子浓度随温度上升而变,其中(    )。
A  自由电子浓度增加,而空穴浓度不变
B 空穴浓度增加,而自由电子浓度不变
C 空穴和自由电子浓度以同样的规律和倍数增加 图3
μF
① -2V  ③  -2.2V -8V 图4
D 空穴和自由电子浓度不变
17. 杂质半导体中的少数载流子浓度()。
A 与掺杂浓度和温度无关
B 只与掺杂浓度有关
C只与温度有关  D 与掺杂浓度和温度都有关
18. 硅二极管的死区电压约为V,锗二极管的死区电压约为V。
A 0.5
B    1
C    1.5
D 0.1
19. 测得晶体三极管
A
I
B
μ
30
=时,mA
I
C
4.2
=
A
I
B
μ
40
=时,mA
I
C
3
=
则该晶体三
极管的交流电流放大系数为()。
A 80
B 60
C 75
D    1 00
20. 三极管工作在放大区时,发射结为  A ,集电结为  B ;工作在截止区时,发射结为B,集电结为  B ;工作在饱和区时,发射结为A,集电结为  A ;
A 正偏
B 反偏
C 零偏
21. 三极管的三管脚的对地电压分别为U A=12V、U B=4.7V、U C=4V,则此三极管是A 材料  C 型管,A为  E 极,B为  F 极,C为G 极,该三极管处于H工作状态。
A 硅
B 锗
C NPN
D PNP
E 集电
F 基
G 发射
H 放大
I 截止J 饱和
22. PN结加正向电压时,空间电荷区  C ,此时电流由  A 形成;PN结加反电压时,空间电荷区  D ,此时电流由  B 形成。
A 扩散运动
B 漂移运动luciano rivarola
C 变宽
D 变窄
23. 稳压二极管正常工作时应在特性曲线的C区。
A 正向导通
B 反向截止
C 反向击穿
24. 温度升高时,二极管的反向电流将A。
缘114
A 增大
B 不变
线路模拟器C 减少
25. 以下电路中,可用作电压跟随器的是()。
A、差分放大电路
B、共基电路
C、共射电路
D、共集电路
26. 差动放大电路的设置是为了()。
A、稳定放大倍数      B.提高输入电阻 C、克服温漂      D、扩展频带
27. 放大电路引入直流负反馈后将(      )。 A 、改变输入、输出电阻      B 、展宽频带    C 、减小放大倍数    D 、稳定静态工作点 28. 有用信号频率为7Hz,应采用的滤波电路是(      )。
A 、低通滤波电路
B 、高通滤波电路
C 、带通滤波电路
D 、带阻滤波电路
二、填空题
1.图1所示元件中电流的真实方向:  B 到A    ,电压的真实方向    B 到A      ,
吸收功率    50W        。
2.某正弦交流电路的总电流、总电压相量图如图2所示,已知  Im=1.41A ,
V U 00220∠=&则  =I &  1.41/√2∠-26.5        。
3.在图3所示电路中,电压U =            。
4. 一阶电路的三要素法中的三个要素是:      初始值      ;          稳态
值      ;      时间常数      。
5.电流i = 100 cos(314t +300 )A ,其有效值为      100/√2    ,频率为
314red/s      ,初相位为      30°      。
6.对于具有n 个节点,b 条支路的电路,独立的KCL 方程数为      n-1        ;独
立的KVL 方程数为        b-(n-1)                。
7.实际电压源模型“20V 、1Ω”等效为电流源模型时,其电流源=S I  20  A ,内阻
=i R  1  Ω。
8.换路定律指出:一阶电路发生的路时,状态变量不能发生跳变。该定律用公式可表
示为
iL(0+)= iL(0-)            和        uC(0+)= uC(0-)          。(L 和C
是写在i 的下角的)
9.反映正弦交流电振荡幅度的量是它的  正幅(最大值)    ;反映正弦量随时间
变化快慢程度的量是它的  频率      ;确定正弦量计时始位置的是它的  初
相      。
10.R 、L 、C 并联电路中,电路复导纳虚部大于零时,电路呈  感  性;若复导纳
虚部小于零时,电路呈  容  性。
11.我们把三个最大值相等、    角频率    相同,在相位上互差  120    度的
正弦交流电称为对称三相交流电。
12.晶体三极管工作在饱和区时发射结、集电结的偏置是    发射结正向偏置,集电结正向
偏置
整流二极管的整流作用是利用PN 结的            特性,稳压管的稳压作用是利用PN 结
的反向击穿特性。
13.已知一晶体三极管工作在放大区,并测得三个电极的电位分别为-9V 、-3.2V 、-3V ,
则此管为  PNP    型管子。
14. 半导体三极管具有放大作用的外部条件是:发射结必须        正向偏置          、
集电结必须    反向偏置              。
15.在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的  负载电阻          ,而前级
的输出电阻则也可视为后级的  信号源内阻          。
16.理想运放工作在线性区存在虚短和虚断的概念,虚短指    两输入端电位相
等              ,虚断是指      输入端无电流            。
17.对于串联负反馈放大电路,为使反馈作用强,应使信号源内阻  尽可能小      ;
对于并联反馈放大电路,为使反馈作用强,应使信号源内阻    尽可能大      。
18.产生低频正弦波一般可用    RC    振荡电路,产生高频正弦波可用  LC    振
荡电路。
19.乙类推挽功率放大电路的效率较高,但这种电路会产生一种被称为      交越      失
真的特有的非线性失真现象。为了消除这种失真,应当使推挽功率放大电路工作在            类状态。
三、判断题
1、理想电压源和理想电流源不可以等效互换。                          (  X  )
2、RC 一阶电路的零状态响应,C u 按指数规律上升,C i 按指数规律衰减。 (      )

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