单晶硅生产工艺浅析作者：泰伟业来源：《科技资讯》2015年第31期 摘 要：该文对单晶硅的主要技术参数、生产工艺进行了综述。单晶硅在下游IC产业中的利用率逐年增加，而电子产业对硅片的依赖程度亦逐年加深，单晶硅生产要求不断提升，因此热场设计要求更加严格。设计优良的热场能够使炉内的温度分布达到最优化，所以在CZ长晶炉中会逐步地将特殊热场元件应用其中，以促进单晶硅生长技术的发展。重点对直拉法进行了分析，从工艺原理、配料基本原则及氧浓度的控制方面进行了探讨。 关键词：单晶硅 技术参数 直拉法 氧浓度
中图分类号：TN304 文献标识码：漆雾净化器A 文章编号：1672-3791（2015）11（a）-0102-02
目前，电子信息技术以及太阳能光伏发电技术高速发展，而作为此类技术的基础材料——硅，无疑发挥着重要作用。从某种意义上分析，硅影响着未来科技的发展。作为功能性材料，Si具各项异性，所以将Si应用于半导体材料需要将其制成硅单晶，并进一步将其加工，
牌位架
经过抛光、清洗之后制成硅片，再进行处理后将Si应用于电子器件的制造中，目前所生产的电子元件中安全绳网珍珠岩保温管壳 89%以上均使用硅单晶。
1 硅单晶的主要技术参数
1.1 导电类型
导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶为超纯单晶硅中掺入ⅢA族元素形成，多掺杂硼元素；N型单晶为超纯单晶硅中掺入ⅤA族元素形成，多掺杂磷元素；外延片衬底用N型单晶掺杂锑元素或砷元素。 在拉制单晶时掺入一定量杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不均匀，电阻率也不均匀，电阻率均匀度包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度，均匀度直接影响器件参数的一致性和成品率。
行线槽 1.3 非平衡载流子寿命
聚酰亚胺板材 在光照或电注入条件下产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，重金属杂质会大大降低寿命值。
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