芯片的散热过程

芯片的散热过程
由于散热器底面与芯片表面之间会存在很多沟壑或空隙,其中都是空气。由于空气是热的不良导体,所以空气间隙会严重影响散热效率,使散热器的性能大打折扣,甚至无法发挥作用。为了减小芯片和散热器之间的空隙,增大接触面积,必须使用导热性能好的导热材料来填充,如导热胶带、导热垫片、导热硅酯、导热黏合剂、相转变材料等。如图2所示,芯片发出的热量通过导热材料传递给散热器,再通过风扇的高速转动将绝大部分热量通过对流(强制对流和自然对流)的方式带走到周围的空气中,强制将热量排除,这样就形成了从芯片,然后通过散热器和导热材料,到周围空气的散热通路。
2 芯片的散热
超滤膜壳表征热传导过程的物理量
电子标签分拣系统
3 一维热传导模型
在图3的导热模型中,达到热平衡后,热传导遵循傅立叶传热定律:
Q=K·A·(T1-T2)/L        (1)
式中:Q为传导热量(W);K为导热系数(W/m℃);A 为传热面积(m2);L为导热长度(m乙酸乙酯实验装置)。(T1-T2)为温度差。
热阻R表示单位面积、单位厚度的材料阻止热量流动的能力,表示为:
R(T1-T2)/QL/K·A    (2)
对于单一均质材料,材料的热阻与材料的厚度成正比;对于非单一材料,总的趋势是材料的热阻随材料的厚度增加而增大,但不是纯粹的线形关系。
对于界面材料,用特定装配条件下的热阻抗来表征界面材料导热性能的好坏更合适,热阻抗定义为其导热面积与接触表面间的接触热阻的乘积,表示如下:   
Z(T1-T2)/(Q/A)R·A  (3)
表面平整度、紧固压力、材料厚度和压缩模量将对接触热阻产生影响,而这些因素又与实际应用条件有关,所以界面材料的热阻抗也将取决于实际装配条件。导热系数指物体在单位长度上产生1℃的温度差时所需要的热功率,是衡量固体热传导效率的固有参数,与材料的外在形态和热传导过程无关,而热阻和热阻抗是衡量过程传热能力的物理量。
4 芯片的工作温度
芯片工作温度的计算
如图4的热传导过程中,总热阻R为:
R=R1+R2+R3              (4)
式中:R1为芯片的热阻;R2为导热材料的热阻;R3为散热器的热阻。导热材料的热阻R2为:
R2Z/A                  (5)
式中:Z为导热材料的热阻抗,A为传热面积。芯片的工作温度T2为:
T2T1+P×R            (6)
式中:T1为空气温度;P为芯片的发热功率;R为热传导过程的总热阻。芯片的热阻和功率可以从芯片和散热器的技术规格中获得,散热器的热阻可以从散热器的技术规格中得到,从而可以计算出芯片的工作温度T2
实例
下面通过一个实例来计算芯片的工作温度。芯片的热阻为1.75/W,功率为5W,最高工作温度为卷染机90℃,散热器热阻为1.5/W,导热材料的热阻抗Z5.8cm2/W,导热材料的传热面积为5cm2,周围环境温度为50℃。导热材料理论热阻R4为:
R4Z/A5.8 (℃·cm2/W)/  5(cm2)=1.16/W              (7)
由于导热材料同芯片和散热器之间不可能达到100displayport转hdmi%的结合,会存在一些空气间隙,因此导热材料的实际热阻要大于理论热阻。假定导热材料同芯片和散热器之间的结合面积为总面积的60%,则实际热阻R3为:
R3R4/60%1.93/W    (8)
总热阻R为:
R=R1+R2+R3=5.18/W    (9)
芯片的工作温度T2为:
T2T1+P×R尼龙扣=50+(5W×  5.18/W)75.9          (10)
可见,芯片的实际工作温度75.9℃小于芯片的最高工作温度90℃,处于安全工作状态。
如果芯片的实际工作温度大于最高工作温度,那就需要重新选择散热性能更好的散热器,增加散热面积,或者选择导热效果更优异的导热材料,提高整体散热效果,从而保持芯片的实际工作温度在允许范围以内。

本文发布于:2024-09-22 16:30:19,感谢您对本站的认可!

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