多晶硅片形状是通过使用浇注法形成的正方体硅锭,经过切割倒角后形成。多晶硅片面积计算思路,即硅片原始的正方形面积减去四边等腰直角三角形(硅片加工时被切割去除)面积得出。计算过程如下。 1、参数设定。
(1)设未经过倒角处理的正方形硅片边长为a;即P156*156硅片,a=156.
(2)设硅片经过切割倒角后,被切割掉的等腰直角三角形的边长为b;
(3) 设多晶硅片倒角处理过的面积为S,未经过倒角处理的正方形硅片面积为S1,设切割掉的等腰直角三角形面积为S2,
2、公式计算。
S = S1 – 4*S2
= a2-4*(b*b/2)
= a2-2b2熏蒸桶
3、EXCEL计算。
4、图片。
单晶硅片面积激光熔覆头
单晶电池片形状是通过使用直拉法形成的圆柱形硅棒,经过切割后生成。单晶硅片面积计算思路,即硅片原始的圆形面积减去四边弧形(硅片加工时被切割去除,即图例中阴影部分)面积得出。计算过程如下。
1、参数设定。
(1)设圆形硅片直径为d,即经过切割后硅片对角线长度;
(2)设硅片经过切割后,对径长度为L,即若M156*156硅片,L=156.
纤维素水解 (3) 设硅片单边被切割去的弧形面积为S1,设硅片单边被切割去的弧形对应扇形面积为S2,设扇形内部由硅片圆形两半径组成的等腰三角形面积为S3,
2、公式计算。
S=π*(d/2)2-4* S1
=π*(d/2)2-4*( S2- Sabs-2103)
= π5460a*(d/2)2- 4*﹛ (n*π*(d/2)2/360-(2*)*(L/2)/2﹜
其中,
S,为单晶硅片面积,适用于单晶125*125或156*156任意对径硅片。
S1= S2- S3;
S2= n*π*R2/360调味盐,n为弧长对应的圆心角n=2*arcos(L/d),R=(d/2);
S3=(2*)*(L/2)/2;(为等腰三角形OAC的面积S3=AC*OB/2)
3、图例。
4、EXCEL计算。
5、图片。