用于校准存储器装置的电压块组的阈值电压确定的制作方法

1.本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及用于校准存储器装置的电压块组的阈值电压确定。

背景技术：

2.存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统将数据存储在存储器装置处且从存储器装置检索数据。

技术实现要素：

3.描述了一种系统。所述系统包括：存储器装置；及处理装置，其以操作方式耦合到所述存储器装置以执行操作。所述操作包括：识别指派到存储器装置的多个电压块组中的第一电压块组的多个块；识别具有距与所述多个电压块组中的所述第一电压块组与后续电压块组之间的转变边界相关联的第二编程后时间(tap)在预定阈值时间段内的tap的所述多个块的子集；确定与块的所述子集相关联的阈值电压偏移；及使所述阈值电压偏移与所述后续电压块组相关联。
4.描述了一种方法。所述方法包括：识别指派到存储器装置的多个电压块组中的电压块组的多个块；对存储在所述多个块处的数据执行一组读取操作；基于所述组读取操作的结果更新与所述电压块组相关联的阈值电压偏移；确定所述经更新阈值电压偏移是否超过预定电压阈值；及响应于确定所述经更新阈值电压偏移超过所述预定电压阈值，将所述预定电压阈值的值指派到与所述电压块组相关联的所述阈值电压偏移。
5.描述了一种非暂时性计算机可读存储媒体。所述非暂时性计算机可读存储媒体包括指令，所述指令在由处理装置执行时使得所述处理装置执行操作。所述操作包括：识别指派到存储器装置的多个电压块组中的第一电压块组的多个块；确定具有距与所述多个电压块组的所述第一电压块组与后续电压块组之间的转变边界相关联的第二编程后时间(tap)在预定阈值时间点内的tap的所述多个块的子集；确定与块的所述子集相关联的阈值电压偏移；及使所述阈值电压偏移与所述后续电压块组相关联。
附图说明
6.根据下文给出的详细描述和本公开的一些实施例的附图，将更充分地理解本公开。
7.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
8.图2示意性地说明根据本公开的实施例的由存储器子系统控制器维持的用于使块与电压块组相关联的实例元数据。
9.图3说明根据本公开的一或多个方面的基于接近电压块组之间的转变边界的块的阈值电压偏移而校准存储器装置的电压块组的实例方法。
10.图4说明根据本公开的一或多个方面的通过将电压块组的阈值电压偏移调整为在阈值电压偏移的范围内来校准存储器装置的电压块组的实例方法。
11.图5为根据本公开的一些实施例的用于校准存储器装置的电压块组的阈值电压确定的实例方法的流程图。
12.图6为根据本公开的一或多个方面的通过基于电压阈值调整电压块组的阈值电压偏移来校准存储器装置的电压块组的实例方法的流程图。
13.图7说明计算机系统的实例机器，在所述实例机器内可执行用于使得所述机器执行本文中所论述的方法中的任何一或多种的指令集。
具体实施方式
14.本公开的实施例涉及用于校准存储器装置的电压块组的阈值电压确定。存储器子系统可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(如存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供待存储在存储器子系统处的数据且可请求待从存储器子系统检索的数据。
15.存储器子系统可以利用一或多个存储器装置(包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合)来存储由主机系统提供的数据。在一些实施例中，非易失性存储器装置可由与非(nand)类型快闪存储器装置提供。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置为一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。平面可分组为逻辑单元(lun)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，nand装置)，每一平面由一组物理块组成。“块”在本文中将指代连续或不连续的存储器页的集合。“块”的实例为“可擦除块”，其为存储器的最小可擦除单元，而“页”为存储器的最小可写入单元。每一页包含存储器单元集合。存储器单元为存储信息的电子电路。
16.数据操作可由存储器子系统执行。数据操作可为主机起始的操作。举例来说，主机系统可在存储器子系统上起始数据操作(例如，写入、读取、擦除等)。主机系统可将存取请求(例如，写入命令、读取命令)发送到存储器子系统，以便将数据存储在存储器子系统处的存储器装置上，且从存储器子系统上的存储器装置读取数据。如由主机请求指定，待读取或写入的数据在下文中被称为“主机数据”。主机请求可包含主机数据的逻辑地址信息(例如，逻辑块地址(lba)、命名空间)，其为主机系统与主机数据相关联的位置。逻辑地址信息(例如，lba、命名空间)可以是主机数据的元数据的部分。元数据还可包含错误处置数据(例如，错误校正码(ecc)奇偶检验码)、数据版本(例如，用于区分所写入数据的新旧)、有效位图(其lba或逻辑传送单元含有有效数据)等。
17.存储器装置包含多个存储器单元，其中的每一个可取决于存储器单元类型存储一或多个信息位。可通过将特定电压施加到存储器单元来编程存储器单元(向其写入)，这使得存储器单元保持电荷，从而允许调制由存储器单元产生的电压分布。此外，精确地控制存储器单元所存储的电荷的量允许建立对应于不同逻辑电平的多个阈值电压电平，从而有效地允许单个存储器单元存储多个信息位：以2n个不同阈值电压电平操作的存储器单元能够存储n个信息位。因此，可通过将存储器单元所展现的测得电压与一或多个参考读取电压电平进行比较以便区分用于单层级单元的两个逻辑电平以及用于多层级单元的多个逻辑电
平来执行读取操作。
18.由于被称为缓慢电荷损失的现象，存储器单元的阈值电压随着单元的电荷降级而及时改变，这称为“时间电压移位”(因为降级电荷导致电压分布沿着电压轴朝向较低电压电平移位)。阈值电压首先快速改变(紧接在存储器单元被编程之后)，且接着相对于从单元编程事件以来经过的时间以大致对数线性方式减慢。因此，未能减轻缓慢电荷损失所导致的时间电压移位可能导致读取操作中的位错误率增加。
19.然而，各种常见的实施方案无法充分解决时间电压移位，或采用导致高位错误率和/或展现其它缺点的低效策略。本公开的实施例通过实施采用读取阈值电压块组的集合(在下文中为电压块组)的存储器子系统且基于每一块的编程后时间和/或导致所述块的有效读取操作的阈值电压偏移而将存储在存储器子系统的存储器装置处的每一块的电压指派到电压块组中的一个来解决上文指出的和其它缺陷。有效读取操作是指具有低错误恢复，从而导致低延迟的读取操作。作为实例，当给定读取操作由于高错误率而失败时，后续读取操作可能经历错误处置/错误恢复步骤以校正错误。此错误恢复过程花费时间且因此增加将数据返回到主机的延迟。因此，有效读取操作对应于可通过考虑scl使用适当读取阈值电压来实现的低位错误率。电压块组表示可用于在给定块处执行读取操作的读取电平阈值电压的集合，使得每一读取电平阈值电压对应于谷值，其中每一谷值为待读取的块的两个邻近数据状态之间的距离。举例来说，对于存储3位的tlc块，可存在8个数据状态(例如，电平，其在本文中可称为读取电平)和7个谷值。因此，用于tlc块的每一电压块组具有7个偏移，每一谷值具有一个偏移。在一些实施方案中，读取可与页相关联，且每一页类型对应于某些谷值。对于页读取，从指派到含有页的块的块组读取适当偏移。每一页类型的一或多个谷值由用于将数据状态(电平)映射到位的代码(如格雷码(gray code))确定。格雷码是指二进制数字系统，其中两个连续谷值仅一个位(例如，二进制数字)不同。在tlc块上，块的一些部分可为每存储器单元存储2个位(产生4个数据状态)的多层级单元(mlc)，或每存储器单元存储1个位的单层级单元(slc)。对于mlc及slc部分，可分别存在3个和1个偏移。块与裸片和电压块组的关联可存储在由存储器子系统控制器维持的相应元数据表中。
20.如上文所解释，将存储器装置的块指派到电压块组可减少由缓慢电荷损失引起的时间电压移位对存储器装置的块的读取操作的效率的影响。然而，随时间推移，缓慢电荷损失还可影响单个电压块组内的块的读取操作的效率。因此，为了维持有效读取操作且最小化位错误率，可执行电压块组校准过程以调整与每一电压块组相关联的阈值电压偏移。对于每一电压偏移块组，校准可涉及例如以特定时间间隔扫描与电压块组相关联的块，基于读取操作确定经更新阈值电压偏移，及基于读取操作的结果更新块组的阈值电压偏移。然而，扫描存储器装置的每一块可将显著性能损失引入到存储器装置且可消耗存储器装置的相当大的带宽。因此，本公开的实施例通过提供有效且主动地执行接近给定电压块组与先前电压块组之间的边界的块的校准的技术来解决此局限性，从而使扫描存储器装置的每一块的性能和带宽问题最小化。
21.根据本公开的实施例，对于给定电压块组，可识别接近给定电压块组与后续电压块组之间的转变边界(例如，在距转变边界预定距离内)的块的子集。在一个实施例中，存储器装置的电压块组中的每一个可具有编程后时间(tap)的对应范围，使得可将具有在电压块组的tap的范围内的tap值的经编程块指派到电压块组。电压块组与后续电压块组之间的
转变边界对应于电压块组的tap的范围的一端处的特定tap值。当指派到电压块组的块达到大于对应于此电压块组与后续电压块组之间的转变边界的特定tap值的tap值时，所述块被重新指派到后续电压块组。在某些实施例中，scl还可取决于温度。在此情况下，tap可为根据块经历的温度来调整的编程后时间。作为实例，30℃下的scl小于90℃下的scl。因此，90℃下30分钟的tap将导致比30℃下30分钟后的另一scl更高的scl。在此情况下，可通过考虑温度(即，相对于如30℃的参考温度的归一化时间)来计算调整的tap。举例来说，90℃下30分钟可对应于例如大致2小时的归一化时间。
22.因此，当识别接近转变边界的块的子集时，可确定对于块的子集的读取操作有效的阈值电压偏移且接着将其用作后续电压块组的初始阈值电压偏移。在一个实施例中，可通过执行存储在块的子集处的数据的读取操作且确定产生读取操作的最小位错误率的阈值电压偏移来确定块的子集的有效阈值电压偏移。由于接近转变边界的块的子集将比指派到相同电压块组的其它块更早地指派到后续电压块组，因此所确定的阈值电压偏移被指派为后续电压块组的阈值电压偏移的初始值。
23.在实施例中，可确定接近与电压块组相关联的读取电平的集合中的每一读取电平的转变边界的块的子集，且可将块的子集的阈值电压偏移指派为电压块组的对应读取电平的初始阈值电压偏移。可针对后续电压块组的读取电平的集合中的每一读取电平重复指派初始阈值电压偏移的过程。
24.在某些实施例中，可在将存储主机数据的块指派到后续块组之前将阈值电压偏移指派到后续电压块组。在此情况下，当确定阈值电压偏移且将其指派到后续电压块组时，可将存储主机数据的块指派到后续电压块组。在实施例中，可基于将块的阈值电压偏移(例如，导致块的数据的有效读取操作的阈值电压偏移)与后续电压块组的阈值电压偏移匹配而将块指派到后续电压块组。在一个实施例中，可使用后续电压块组的阈值电压偏移来执行指派到后续电压块组的块的读取操作。
25.在一些实施例中，当块随时间推移被指派到给定电压块组时，电压块组的阈值电压偏移的值可继续调整以实现所指派的块的数据的有效读取操作。阈值电压偏移的调整可导致将经调整阈值电压偏移朝向给定电压块组与后续电压块组之间的转变边界移位，因此使阈值电压偏移偏离其对应于电压块组与先前电压块组之间的边界的初始值。阈值电压偏移的此移位可导致新指派到电压块组的块的低效读取操作，因为阈值电压偏移可能已显著地移位，因此可能不再匹配新指派的块的有效阈值电压偏移。为了减轻电压块组的阈值电压偏移的显著移位，可限制在电压块组校准期间阈值电压偏移的调整，使得经调整阈值电压偏移可不超过预定电压阈值。在此情况下，如果经调整阈值电压偏移超过电压块组的预定电压阈值，那么电压块组的经调整阈值电压偏移的值可复位到电压块组的预定电压阈值。
26.因此，根据本公开的一些实施例实施的系统和方法的优点包含但不限于优化电压块组校准过程的性能，使得可基于扫描有限的块的集合而调整电压块组的阈值电压偏移，同时最小化存储器子系统上的性能和带宽开销。因为存储器子系统可基于扫描接近于转变到电压块组的块的集合而确定电压块组的初始阈值电压偏移，所以可认为初始阈值电压偏移对于执行指派到电压块组的块的读取操作有效。另外，因为仅扫描接近转变边界的块的集合，所以在电压块组校准期间扫描过程的性能损失显著减小。此外，通过将给定电压块组
的阈值电压偏移随时间的移位限制为特定最大阈值，使给定电压块组的阈值电压偏移显著移位的可能性最小化，从而导致新指派到块组的块的低效读取操作。
27.图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或此类的组合。
28.存储器子系统110可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(ssd)、快闪驱动器、通用串行总线(usb)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(emmc)驱动器、通用快闪存储(ufs)驱动器、安全数字(sd)卡和硬盘驱动器(hdd)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)，和各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(nvdimm)。
29.计算系统100可为计算装置，如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、运载工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具备物联网(iot)功能的装置、嵌入式计算机(例如，包含在运载工具、工业设备或联网商业装置中的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置(例如，处理器)的此类计算装置。
30.计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文中所使用，“耦合到”或“与
……
耦合”通常是指组件之间的连接，所述连接可为间接通信连接或直接通信连接(例如，没有中间组件)，无论是有线还是无线的，包含如电连接、光学连接、磁连接等的连接。
31.主机系统120可包含处理器芯片组和由处理器芯片组执行的软件堆栈。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存、存储器控制器(例如，nvdimm控制器)和存储协议控制器(例如，pcie控制器、sata控制器)。主机系统120使用存储器子系统110来例如将数据写入到存储器子系统110和从存储器子系统110读取数据。
32.主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(sata)接口、外围组件互连高速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、光纤通道、串行附接scsi(sas)、双数据速率(ddr)存储器总线、小型计算机系统接口(scsi)、双列直插式存储器模块(dimm)接口(例如，支持双数据速率(ddr)的dimm套接接口)、开放nand快闪接口(onfi)、双数据速率(ddr)、低功率双数据速率(lpddr)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。当存储器子系统110通过pcie接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用nvm高速(nvme)接口来存取组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传送控制、地址、数据和其它信号的接口。图1说明存储器子系统110作为实例。一般来说，主机系统120可经由同一通信连接、多个单独通信连接和/或通信连接的组合存取多个存储器子系统。
33.存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可为但不限于随机存取存储器(ram)，如动态随机存取存储器(dram)和同步动态随机存取存储器(sdram)。
34.非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(nand)类型快闪存储器和就地写入存储器，如三维交叉点(“3d交叉点”)存储器装置，其为非易失性存储
器单元的交叉点阵列。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列基于体电阻的改变来执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器相比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。nand类型快闪存储器包含例如二维nand(2dnand)和三维nand(3d nand)。
35.存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列。一种类型的存储器单元，例如，单层级单元(slc)可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元，如多层级单元(mlc)、三层级单元(tlc)和四层级单元(qlc)可每单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列，如slc、mlc、tlc、qlc或此类的任何组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的slc部分以及mlc部分、tlc部分或qlc部分。存储器装置130的存储器单元可分组为可指代用于存储数据的存储器装置的逻辑单元的页。对于一些类型的存储器(例如，nand)，页可被分组以形成块。
36.尽管描述了如非易失性存储器单元的3d交叉点阵列的非易失性存储器装置和nand类型存储器(例如，2d nand、3d nand)，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器，如只读存储器(rom)、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(fetram)、铁电随机存取存储器(feram)、磁随机存取存储器(mram)、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻性随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、或非(nor)快闪存储器和电可擦除可编程只读存储器(eeprom)。
37.存储器子系统控制器115(或为简单起见，控制器115)可与存储器装置130进行通信以执行如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据之类的操作和其它此类操作。存储器子系统控制器115可包含硬件，如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(即，硬编码)逻辑的数字电路系统以执行本文中所描述的操作。存储器子系统控制器115可为微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)等)或其它合适的处理器。
38.存储器子系统控制器115可包含配置成执行存储在本地存储器119中的指令的处理器117(例如，处理装置)。在所说明的实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含配置成存储指令的嵌入式存储器，所述指令用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处理存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流程和例程。
39.在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、所提取的数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(rom)。虽然图1中的实例存储器子系统110已说明为包含控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含控制器115，且可替代地依赖于外部控制(例如，由外部主机或由与存储器子系统分隔开的处理器或控制器提供)。
40.一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作，且可将所述命令或操作转换成指令或适当命令以实现对存储器装置130的所需存取。存储器子系统控制器115可负责其它操作，如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ecc)操作、加密操作、高速缓存操作和与存储器装置130相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba)、命名空间)与物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。存储器子系统控制器
115可进一步包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可将从主机系统接收的命令转换成命令指令以存取存储器装置130，以及将与存储器装置130相关联的响应转换成主机系统120的信息。
41.在一些实施方案中，存储器子系统110可使用分条方案，根据此方案，每个数据有效负载(例如，用户数据)利用存储器装置130(例如，nand类型快闪存储器装置)的多个裸片，使得有效负载分布在整个裸片子集上，而其余的一或多个裸片用于存储错误校正信息(例如，奇偶校验位)。相应地，本文将使用分条方案跨存储器装置的裸片的集合分布的块的集合称为“超级块”。
42.存储器子系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓存或缓冲器(例如，dram)和地址电路系统(例如，行解码器和列解码器)，所述地址电路系统可从控制器115接收地址并解码所述地址以存取存储器装置130。
43.在一些实施例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，其结合存储器子系统控制器115进行操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130是受管理存储器装置，其是与本地控制器(例如，本地控制器135)组合以在同一存储器装置封装内进行媒体管理的原始存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理nand(mnand)装置。
44.根据本公开的实施例，存储器子系统110包含电压块组校准组件113，其可用于实施用于通过调整电压块组的阈值电压偏移来校准存储器装置130到140的电压块组的技术。在一个实施方案中，校准电压块组可指代基于与指派到电压块组的块相关联的参数(包含块的编程后时间(tap)、存储块的存储器装置130到140的温度)和/或其它参数更新指派到电压块组的一或多个阈值电压偏移的过程。作为实例，可初始地校准电压块组以具有特定读取电平的特定阈值电压偏移，所述阈值电压偏移可用于执行对应于所述特定读取电平的块的读取操作。在一段时间之后，且例如由于缓慢电荷损失，指派到电压块组的块可需要不同阈值电压偏移以用于有效读取操作，且因此可通过调整电压块组的一或多个阈值电压偏移来校准电压块组，以提供电压块组的块的有效读取操作。另外，可执行电压块组校准以基于存储器装置130到140的裸片到裸片变化而调整电压块组的阈值电压偏移。作为实例，由于裸片的位置、裸片的物理特性等，给定裸片的块的有效读取电平电压阈值可不同于同一存储器装置的另一裸片的有效实际电平电压偏移。因此，电压块组校准可调整对应于特定裸片的读取电平的初始阈值电压偏移以达到特定裸片的有效阈值电压偏移。
45.可在存储器装置130到140的预表征过程期间(例如，在将存储主机数据的块指派到电压块组之前)和/或在存储器装置130到140的常规使用期间(例如，在存储主机数据时的使用领域中)执行电压块组校准。当在存储器装置的预表征过程期间使用时，电压块组校准可指将初始阈值电压偏移指派到存储器装置的电压块组的过程。在实施方案中，电压块组校准组件113可识别指派到存储器装置130到140的电压块组中的给定电压块组的块的集合，且可根据所识别的块确定接近电压块组与后续电压块组之间的转变边界的块的子集。作为实例，电压块组校准组件113可识别在距转变边界处的tap预定距离内具有tap的块的子集。在一个实施方案中，存储器装置130到140的电压块组中的每一个具有编程后时间
(tap)的对应范围，且电压块组与后续电压块组之间的转变边界对应于特定tap值。在此情况下，当指派到给定电压块组的块达到大于对应于给定电压块组与后续电压块组之间的转变边界的特定tap值的tap值时，所述块被指派到后续电压块组。
46.当确定接近转变边界的块的子集时，电压块组校准组件113可确定，由于接近转变边界的块的子集将比指派到电压块组的其它块更早指派到后续电压块组，因此对块的子集的读取操作有效的阈值电压偏移可用作后续电压块组的初始阈值电压偏移。在一个实施方案中，可通过执行存储在块的子集处的数据的读取操作且确定产生读取操作的最小位错误率的阈值电压偏移来确定块的子集的有效阈值电压偏移。电压块组校准组件113可接着将有效阈值电压偏移指派为后续电压块组的阈值电压偏移的初始值。在实施方案中，电压块组校准组件113可确定接近与电压块组相关联的读取电平的集合中的每一读取电平的转变边界的块的子集，且可将块的子集的阈值电压偏移指派为电压块组的对应读取电平的初始阈值电压偏移。电压块组校准组件113可接着重复为后续电压块组的读取电平的集合中的每一读取电平指派初始阈值电压偏移的过程。
47.在某些实施方案中，当阈值电压偏移已指派到后续电压块组时，电压块组校准组件113可将存储主机数据的块指派到后续电压块组。在实施方案中，电压块组校准组件113可基于匹配块的阈值电压偏移而将块指派到后续电压块组。作为实例，可确定导致块的数据的有效读取操作的阈值电压偏移，且接着可在块的所确定阈值电压偏移匹配后续电压块组的阈值电压偏移的情况下将所述块指派到后续电压块组。在一个实施方案中，电压块组校准组件113还可使用电压块组的阈值电压偏移执行指派到后续电压块组的块的读取操作。作为实例，为了从特定读取电平(例如，l7)执行块的读取操作，电压块组校准组件113可使用来自后续电压块组的读取电平的集合中的对应读取电平(例如，l7)的阈值电压偏移。
48.在一些实施方案中，随时间推移将块指派到给定电压块组，可继续调整电压块组的给定阈值电压偏移的值以实现对所指派块的数据的有效读取操作。给定阈值电压偏移的调整可导致经调整阈值电压偏移朝向电压块组与后续电压块组之间的转变边界的移位，因此使阈值电压偏移偏离其对应于电压块组与先前电压块组之间的边界的初始值。阈值电压偏移的此移位可导致新指派到电压块组的块的低效读取操作，这是因为经移位阈值电压偏移可能已显著地移位，因此可能不再匹配新指派的块的有效阈值电压偏移。为了减轻电压块组的阈值电压偏移的显著移位，电压块组校准组件113可在电压块组校准期间限制阈值电压偏移的调整，使得经调整阈值电压偏移可不超过预定电压阈值。在此情况下，如果基于电压块组校准的经调整阈值电压偏移超过电压块组的预定电压阈值，那么电压块组校准组件113可将电压块组的经调整阈值电压偏移的值设定为电压块组的预定电压阈值。
49.图2示意性地说明根据本公开的实施例的由存储器子系统控制器维持的用于使块和/或分区与电压块组相关联的实例元数据。如图2示意性地说明，存储器子系统控制器可维持超级块表210、块表220和偏移表230。超级块表210的每一记录指定与所指定超级块和分区组合相关联的块。在一些实施方案中，超级块表记录可进一步包含与指定超级块和分区组合相关联的时间和温度值。
50.块表220以块编号作索引，使得块表220的每一记录为所述记录的索引所参考的块指定与块的相应裸片相关联的电压块组的集合。换句话说，块表220的每一记录包含向量，其每一要素指定与向量要素的索引所参考的裸片相关联的电压块组。
51.最后，偏移表230以块组编号作索引。偏移表230的每一记录指定与电压块组相关联的阈值电压偏移的集合(例如，针对tlc、mlc和/或slc)。元数据表210到230可存储在图1的一或多个存储器装置130上。在一些实施方案中，元数据表的至少一部分可高速缓存在图1的存储器子系统控制器115的本地存储器119中。
52.在操作中，在接收到读取命令后，存储器子系统控制器确定对应于读取命令所指定的逻辑块地址(lba)的物理地址。利用如物理块编号和裸片识别符等物理地址分量来执行元数据表遍历：首先，使用超级块表210来识别对应于物理块编号的块族识别符；接着，将块识别符用作块表220的索引以便确定与块和裸片相关联的电压块组；最终，将所识别的电压块组用作到偏移表230的索引以便确定对应于块组的阈值电压偏移。存储器子系统控制器可接着将所识别的阈值电压偏移叠加地施加到基础电压读取电平，以便执行所请求的读取操作。
53.在图2的说明性实例中，超级块表210将超级块0的分区0映射到块4，所述块用作块表220的索引以便确定裸片0被映射到电压块组3。将后一值用作偏移表的索引，以便确定电压块组3的阈值电压偏移值。
54.图3说明根据本公开的一或多个方面的基于接近电压块组之间的转变边界的块的阈值电压偏移而校准存储器装置的电压块组的实例方法。方法300可由处理逻辑执行，所述处理逻辑包含硬件(例如，电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码等)、软件(例如，在处理器上运行以执行硬件模拟的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法300由图1的电压块组校准组件113执行。在一个实施方案中，曲线图310示意性地说明根据本公开的实施例的用于所选择的读取电平的一组电压块组(块组0到块组3)。阈值电压偏移曲线315说明所选择的读取电平的y轴上的阈值电压偏移与x轴上的编程后时间(其可相对于特定温度进行时间归一化)，自已对块进行编程以来经过的时间段的相依性。在一个实施方案中，将已经在指定时间窗口内编程的存储器装置的块指派到对应于块的编程后时间的电压块组。如本文中在上文已提及，鉴于损耗均衡使所有块上的编程/擦除循环保持相似，编程后经过的时间和温度是影响时间电压移位的主要因素。使用归一化时间考虑温度分布且因此温度信息并入到tap中。因此，假定在特定时间窗口(即，归一化时间窗口)内编程的所有块展现存储器单元中阈值电压的类似分布，且因此可将其指派到相同电压块组且可将相同电压偏移用于读取操作。
55.在一个实施方案中，新编程的块可与块组0相关联。接着，存储器子系统控制器可周期性地执行前台或后台校准过程，以便使每一块的每一裸片与预定义阈值电压块组(在图3的说明性实例中为块组0到3)中的一个相关联，所述预定义阈值电压块组又与待应用于读取操作的电压偏移相关联。块与电压块组和裸片的关联可存储在由存储器子系统控制器维持的相应元数据表中，如本文中关于图2更详细地解释。图3的阈值电压偏移与单个谷值相关联。阈值电压偏移值沿着y轴向下变得更负，这对应于更高的scl。对于每一电压块组，可将单独阈值电压偏移指派到每一谷值。
56.如由图3示意性地说明，曲线图310可被细分成多个电压块组320，使得每一电压块组对应于基于电压块组的tap的对应范围的阈值电压偏移的预定范围。虽然图3的说明性实例定义了四个电压块组，但在其它实施方案中，可使用各种其它数目的电压块组(例如，10个块组)。基于周期性地执行的校准过程，存储器子系统控制器将每一块的每一裸片与电压
块组相关联，所述电压块组定义待施加到基础电压读取电平的阈值电压偏移的集合以便执行块的数据的读取操作，如下文中更详细地描述。
57.图3的曲线图325说明通过基于接近电压块组之间的转变边界的块的阈值电压偏移将阈值电压偏移指派到电压块组而校准电压块组的过程。在实施方案中，执行方法300的处理逻辑可确定对应于块组1与块组2之间的转变边界的编程后时间(tap)330。在实施方案中，tap 330可为自对块进行编程以来经过的时间的特定值。在其它实施方案中，tap 330可为值范围，使得具有在tap 330范围内的tap值的块可从电压块组1转变到电压块组2。
58.在某些实施方案中，处理逻辑可确定指派到电压块组1的接近电压块组1与电压块组2之间的边界tap 330的块的集合。作为实例，处理逻辑可确定具有在距tap 330预定距离内的tap值的块的集合。当确定接近对应于tap 330的转变边界的块的集合时，处理逻辑可确定对于所确定的块的集合的读取操作有效的阈值电压偏移，以用作用于电压块组2的所选择的读取电平的初始阈值电压偏移。在实施方案中，可通过对存储在块的集合处的数据执行读取操作且确定导致读取操作的最小位错误率的阈值电压偏移的集合来确定块的集合的有效阈值电压偏移的集合(每一谷值一个)。当确定块的集合的阈值电压偏移的集合时，处理逻辑可将所确定的阈值电压偏移集合指派为电压块组2的所选择的读取电平的阈值电压偏移的初始值。在实施方案中，处理逻辑可接着将块指派到电压块组2，且可利用阈值电压偏移的初始值来执行与所选择的读取电平相关联的新指派的块的读取操作。对于每一电压块组，读取偏移的集合包含每一谷值一个偏移，例如如tlc字线的7个偏移。页读取对应于不同谷值且因此可使用对应读取偏移。用于确定读取偏移的集合的读取操作可使用不同页类型来覆盖所有谷值。
59.类似地，处理逻辑可确定对应于电压块组2与电压块组3之间的转变边界的tap340。在实施方案中，tap 340可为自对块进行编程以来经过的时间的特定值。在其它实施方案中，tap 340可为值范围，使得具有在tap 340范围内的tap值的块可从电压块组2转变到电压块组3。在某些实施方案中，处理逻辑可确定指派到电压块组2的接近电压块组2与电压块组3之间的边界tap 340的块的集合。作为实例，处理逻辑可确定具有在距tap 340预定距离内的tap值的块的集合。当确定接近对应于tap 340的转变边界的块的集合时，处理逻辑可确定对于所确定的块的集合的读取操作有效的阈值电压偏移的集合，以用作用于电压块组3的所选择的读取电平的阈值电压偏移的初始集合。当确定块的集合的阈值电压偏移的集合时，处理逻辑可将所确定的阈值电压偏移集合指派为电压块组3的所选择的读取电平的阈值电压偏移的初始值。在实施方案中，处理逻辑可接着将块指派到电压块组3，且可利用阈值电压偏移的初始值来执行与所选择的读取电平相关联的新指派的块的读取操作。
60.图4说明根据本公开的一或多个方面的通过将电压块组的阈值电压偏移调整为在阈值电压偏移的范围内来校准存储器装置的电压块组的实例方法400。方法400可由处理逻辑执行，所述处理逻辑包含硬件(例如，电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码等)、软件(例如，在处理器上运行以执行硬件模拟的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法400由图1的电压块组校准组件113执行。在一个实施方案中，曲线图410示意性地说明根据本公开的实施例的用于所选择的读取电平的一组电压块组(块组0到块组3)。在一个实施方案中，将已经在指定时间窗口内编程的存储器装置的块指派到对应于块的编程后时间的电压块组0到
3。
61.如由图4示意性地说明，曲线图410可被细分成多个电压块组bin 0到3，使得每一电压块组对应于基于用于每一谷值的电压块组的tap的对应范围的阈值电压偏移的预定范围。虽然图4的说明性实例定义了四个电压块组，但在其它实施方案中，可使用各种其它数目的电压块组(例如，10个块组)。在某些实施方案中，可将初始阈值电压偏移值指派到每一电压块组0到3的所选择的读取电平，且可基于块的有效阈值电压偏移和/或块的tap将存储器装置的块指派到电压块组bin 0到3中的一个。
62.在某些实施方案中，处理逻辑可执行电压块组校准以调整电压块组的阈值电压偏移，例如以适应存储器装置的裸片到裸片变化。另一方面，由于阈值电压偏移相对于tap的非线性，如在对应于单个谷值的曲线图410上所见，有效阈值电压偏移也不是电压块组内tap的线性函数。因此，当基于当前指派到电压块组的块执行块组电压校准时，存在从电压块组内的较大tap选择用于校准过程的更多统计块样本的趋势，从而导致经校准的阈值电压偏移朝向电压块组内的较高tap移位。移位阈值电压偏移可导致新指派到电压块组的块的读取操作效率较低。为了减轻由于校准引起的电压块组0到3的阈值电压偏移的显著偏移，处理逻辑可在校准期间限制阈值电压偏移的调整，使得经调整阈值电压偏移可不超过预定电压阈值415。在此情况下，如果块组2的经校准阈值电压偏移超过阈值电压415，那么处理逻辑可将块组1的经校准阈值电压偏移的值设定为预定电压阈值415。在实施方案中，电压阈值415可大致在块组1的阈值电压偏移的范围内的一半，从而为块组1的新指派的块以及较旧的块提供改进的读取效率。
63.图5为根据本公开的一些实施例的用于校准存储器装置的电压块组的阈值电压确定的实例方法的流程图。方法500可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法500由图1的电压块组校准组件113执行。尽管以特定序列或次序展示，但除非另外规定，否则可修改操作的次序。因此，应理解，所说明实施例仅作为实例，且所说明操作可以不同次序执行，而一些操作可并行地执行。另外，在一些实施例中，可省略一或多个操作。因此，并非在每一实施例中都需要所有所说明操作，且其它过程流程是可能的。
64.在操作510处，处理逻辑识别指派到存储器装置的电压块组的集合的电压块组的块的集合。在一个实施方案中，存储器装置的块基于所述块已编程之后的每一块的编程后时间(tap)而指派到存储器装置的电压块组，使得所述块的tap匹配电压块组的tap，如本文中在上文更详细地解释。
65.在操作520处，处理逻辑识别指派到电压块组的块的子集，所述块的子集具有在距离存储器装置的电压块组和电压块组的后续电压块组之间的转变边界处的tap阈值的预定阈值时间点内的tap。在一个实施方案中，可扫描接近电压块组与后续电压块组之间的转变边界的块以确定对应的有效阈值电压偏移，所述偏移接着可用作后续电压块组的初始阈值电压偏移，如本文中更详细地解释。
66.在操作530处，处理逻辑例如通过对块的子集执行读取操作且确定导致对存储在块的子集处的数据的有效读取的阈值电压偏移来确定与接近转变边界的块的子集相关联的阈值电压偏移。随后，在操作540处，处理逻辑将所确定的阈值电压偏移与后续电压块组
相关联。在实施方案中，处理逻辑接着可开始将块指派到后续电压块组，且可使用所指派的阈值电压偏移来执行存储在指派到后续电压块组的块处的数据的读取操作，如本文中在上文更详细地解释。在某些实施方案中，操作530和540可以按偏移组来完成。作为实例，如果特定页类型对应于谷值i&j，那么操作530和540确定谷值i&j的有效阈值电压偏移。针对其它页类型重复所述操作以确定后续电压块组的所有谷值的有效阈值电压偏移。
67.图6为根据本公开的一或多个方面的通过基于电压阈值调整电压块组的阈值电压偏移来校准存储器装置的电压块组的实例方法的流程图。方法600可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法600由图1的电压块组校准组件113执行。尽管以特定序列或次序展示，但除非另外规定，否则可修改操作的次序。因此，应理解，所说明实施例仅作为实例，且所说明操作可以不同次序执行，而一些操作可并行地执行。另外，在一些实施例中，可省略一或多个操作。因此，并非在每一实施例中都需要所有所说明操作，且其它过程流程是可能的。如相对于图5所解释，由图6定义的操作可针对不同页类型来完成，以确定与电压块组相关联的谷值的有效阈值电压偏移。
68.在操作610处，处理逻辑识别指派到存储器装置的电压块组中的电压块组的块的集合。在一个实施方案中，基于每一块的阈值电压偏移将存储器装置的块指派到存储器装置的电压块组，使得所述块的阈值电压偏移匹配电压块组的阈值电压偏移，如本文中在上文更详细地解释。
69.在操作620处，处理逻辑确定与同电压块组相关联的块的集合相关联的阈值电压偏移。在一个实施方案中，处理逻辑可确定作为电压块组的块的集合的阈值电压偏移的平均值的阈值电压偏移。
70.在操作630处，处理逻辑识别电压块组的阈值电压偏移且基于与块的集合相关联的阈值电压偏移而更新电压块组的阈值电压偏移。在一个实施方案中，电压块组的阈值电压偏移对应于电压块组的读取电平(例如，读取电平7)，且更新电压块组的阈值电压偏移所使用的块的集合也与相同的读取电平相关联，如本文中更详细地解释。
71.在操作640处，处理逻辑确定电压块组的经更新阈值电压偏移是否超过预定电压阈值。在一个实施方案中，电压阈值可大致在电压块组的阈值电压偏移的范围内的一半，使得电压块组的经校准的阈值电压偏移不超过电压块组的阈值电压偏移的范围的一半阈值，如本文中更详细地解释。
72.在操作650处，响应于确定经更新阈值电压偏移超过预定电压阈值，处理逻辑通过将预定电压阈值的值指派到电压块组的阈值电压偏移来进一步更新电压块组的阈值电压偏移。
73.图7说明计算机系统700的实例机器，在所述实例机器内可执行用于使得机器执行本文中所论述的方法中的任何一或多种的指令集。在一些实施例中，计算机系统700可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用于执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的电压块组校准组件113的操作)。在替代实施例中，机器可连接(例如，联网)到lan、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器或作
为云端计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而在客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量中进行操作。
74.所述机器可为个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、蜂窝式电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够(依序或以其它方式)执行指定待由所述机器采取的动作的指令集的任何机器。此外，虽然说明单个机器，但应认为术语“机器”也包含机器的任何集合，所述机器单独地或共同地执行指令集(或多个指令集)以执行本文中所论述的方法中的任何一或多种。
75.实例计算机系统700包含处理装置702、主存储器704(例如，只读存储器(rom)、快闪存储器、动态随机存取存储器(dram)，如同步dram(sdram)或rambus dram(rdram)等)、静态存储器706(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(sram)等)和数据存储系统718，它们经由总线730彼此通信。
76.处理装置702表示一或多个通用处理装置，如微处理器、中央处理单元等。更具体地说，处理装置可为复杂指令集计算(cisc)微处理器、精简指令集计算(risc)微处理器、超长指令字(vliw)微处理器，或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置702也可为一或多个专用处理装置，如专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、网络处理器等。处理装置702配置成执行用于执行本文中所论述的操作和步骤的指令726。计算机系统700可进一步包含网络接口装置708以在网络720上通信。
77.数据存储系统718可包含机器可读存储媒体724(也称为计算机可读媒体)，所述机器可读存储媒体上存储有一或多个指令集726或体现本文所描述的方法或功能中的任何一或多个的软件。指令726还可在其由计算机系统700执行期间完全或至少部分地驻存在主存储器704内和/或处理装置702内，主存储器704和处理装置702也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体724、数据存储系统718和/或主存储器704可对应于图1的存储器子系统110。
78.在一个实施例中，指令726包含用以实施对应于图1的电压块组校准组件113的功能性的指令。虽然在实例实施例中将机器可读存储媒体724展示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被认为包含存储一或多个指令集的单个媒体或多个媒体。还应认为术语“机器可读存储媒体”包含能够存储或编码供机器执行的指令集且使得机器执行本公开的方法中的任何一或多种的任何媒体。因此应认为术语“机器可读存储媒体”包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。
79.已依据对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示呈现了先前详细描述的一些部分。这些算法描述及表示是数据处理领域的技术人员用于将其工作的主旨最有效地传达给本领域其它技术人员的方式。算法在这里且通常认为是引起所需结果的操作的自洽序列。所述操作为需要对物理量进行物理操控的操作。这些量通常但未必呈能够被存储、组合、比较和以其它方式操控的电或磁信号的形式。有时，主要出于通用的原因，已证明将这些信号称为位、值、元件、符号、字符、术语、数字等是方便的。
80.然而，应牢记，所有这些和类似术语应与适当物理量相关联，且仅仅是应用于这些量的方便标签。本公开可指将计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)数量的数据操控和变换为计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示
为物理数量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。
81.本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。此设备可出于预期目的而专门构造，或其可包含通过存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此类计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，如但不限于任何类型的盘，包含软盘、光盘、cd-rom和磁性光盘、只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、eprom、eeprom、磁卡或光卡，或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，它们各自耦合到计算机系统总线。
82.本文中所呈现的算法和显示本质上不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可与根据本文中的教示的程序一起使用，或其可证明构造用以执行所述方法更加专用的设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现多种这些系统的结构。另外，不参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施本文中所描述的本公开的教示。
83.本公开可提供为计算机程序产品或软件，其可包含在其上存储有可用于编程计算机系统(或其它电子装置)以执行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，如只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。
84.在前述说明书中，本公开的实施例已经参考其具体实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广泛精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，说明书和图式应被视为说明性的而非限制性的。

技术特征：

1.一种系统，其包括：存储器装置；及处理装置，其以操作方式耦合到所述存储器装置，以执行包括以下的操作：识别指派到存储器装置的多个电压块组中的第一电压块组的多个块；识别具有距与所述多个电压块组中的所述第一电压块组与后续电压块组之间的转变边界相关联的第二编程后时间tap在预定阈值时间段内的tap的所述多个块的子集；确定与块的所述子集相关联的阈值电压偏移；及使所述阈值电压偏移与所述后续电压块组相关联。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个块的所述子集与所述第一电压块组的第一多个读取电平的第一读取电平相关联，且其中所述阈值电压偏移与所述后续电压块组的第二多个读取电平的第二读取电平相关联。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个块的所述子集将在第一时间点转变到所述后续电压块组，其中不同于所述多个块的所述子集的块在第二时间点转变到所述后续电压块组，且其中所述第一时间点在所述第二时间点之前。4.根据权利要求1所述的系统，其中确定所述阈值电压偏移包括：对存储在块的所述子集处的数据执行读取操作；及基于所述读取操作的结果确定所述阈值电压偏移，其中所述读取操作对应于多个页类型，且其中所述阈值读取偏移为对应于所述页类型的谷值的多个阈值电压偏移中的一个。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置将进一步执行包括以下的操作：响应于使所述阈值电压偏移与所述后续电压块组相关联，基于所述阈值电压偏移将存储主机数据的块指派到所述后续电压块组。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置将进一步执行包括以下的操作：使用所述阈值电压偏移对指派到所述后续电压块组的块执行读取操作；基于所述读取操作的结果更新所述后续电压块组的所述阈值电压偏移；及响应于确定经更新阈值电压偏移超过预定电压阈值，将所述预定电压阈值的值指派到与所述后续电压块组相关联的所述阈值电压偏移。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个块的所述tap对应于相对于参考温度的归一化时间。8.一种方法，其包括：识别指派到存储器装置的多个电压块组中的电压块组的多个块；对存储在所述多个块处的数据执行一组读取操作；基于所述组读取操作的结果更新与所述电压块组相关联的阈值电压偏移；确定所述经更新阈值电压偏移是否超过预定电压阈值；及响应于确定所述经更新阈值电压偏移超过所述预定电压阈值，将所述预定电压阈值的值指派到与所述电压块组相关联的所述阈值电压偏移。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述阈值电压偏移与具有所述电压块组的多个读取电平的相同读取电平的所述多个块的子集相关联，且其中所述第二阈值电压偏移与所述电压块组的所述多个读取电平的对应读取电平相关联。10.根据权利要求8所述的方法，其中确定与所述多个块相关联的所述阈值电压偏移包
括：对存储在块的所述子集处的数据执行读取操作；及基于所述读取操作的结果确定所述阈值电压偏移。11.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：响应于更新所述阈值电压偏移，使用所述经更新阈值电压偏移对指派到所述电压块组的块执行读取操作。12.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：响应于更新所述阈值电压偏移，基于所述经更新阈值电压偏移将所述存储器装置的块指派到所述电压块组。13.根据权利要求8所述的方法，其中基于与块的集合相关联的对应阈值电压偏移而确定所述电压块组的所述第二阈值电压偏移，所述块的集合具有距与所述存储器装置的所述多个电压块组中的所述电压块组与先前电压块组之间的转变边界相关联的第二编程后时间tap在预定阈值时间点内的tap。14.一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括指令，所述指令在由处理装置执行时使得所述处理装置执行包括以下的操作：识别指派到存储器装置的多个电压块组中的第一电压块组的多个块；确定具有距与所述多个电压块组的所述第一电压块组与后续电压块组之间的转变边界相关联的第二编程后时间tap在预定阈值时间点内的tap的所述多个块的子集；确定与块的所述子集相关联的阈值电压偏移；及使所述阈值电压偏移与所述后续电压块组相关联。15.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述多个块的所述子集与所述第一电压块组的第一多个读取电平的第一读取电平相关联，且其中所述阈值电压偏移与所述后续电压块组的第二多个读取电平的第二读取电平相关联。16.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述多个块的所述子集将在第一时间点转变到所述后续电压块组，其中不同于所述多个块的所述子集的块在第二时间点转变到所述后续电压块组，且其中所述第一时间点在所述第二时间点之前。17.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中确定所述阈值电压偏移包括：对存储在块的所述子集处的数据执行读取操作；及基于所述读取操作的结果确定所述阈值电压偏移。18.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中在将所述存储器装置的块指派到所述后续电压块组之前将所述阈值电压偏移指派到所述后续电压块组。19.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置将进一步执行包括以下的操作：响应于使所述阈值电压偏移与所述后续电压块组相关联，基于所述阈值电压偏移将存储主机数据的块指派到所述后续电压块组。20.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置将进一步执行包括以下的操作：使用所述阈值电压偏移对指派到所述后续电压块组的块执行读取操作；
基于所述读取操作的结果更新所述后续电压块组的所述阈值电压偏移；及响应于确定所述经更新阈值电压偏移超过预定电压阈值，将所述预定电压阈值的值指派到与所述后续电压块组相关联的所述阈值电压偏移。

技术总结

本申请涉及用于校准存储器装置的电压块组的阈值电压确定。存储器子系统的处理装置配置成：识别指派到存储器装置的多个电压块组中的第一电压块组的多个块；识别具有距与所述多个电压块组中的所述第一电压块组与后续电压块组之间的转变边界相关联的第二编程后时间TAP在预定阈值时间段内的TAP的所述多个块的子集；确定与块的所述子集相关联的阈值电压偏移；及使所述阈值电压偏移与所述后续电压块组相关联。相关联。相关联。