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存储装置、操作存储装置的方法和提供多个性能表的方法与流程

存储装置、操作存储装置的方法和提供多个性能表的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术基于并且要求于2021年4月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2021-0051401的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
技术领域
3.本发明构思涉及一种存储装置、一种操作存储装置的方法以及一种提供多个性能表的方法。

背景技术：

4.存储器系统可大致分为易失性存储器系统和非易失性存储器系统。非易失性存储器即使在电源中断时也保持数据。然而，当电源中断时易失性存储器中的数据被擦除。非易失性存储器包括只读存储器(rom)、磁盘、光盘、闪速存储器、电阻式ram(rram)、相变ram
5.(pram)和磁性ram(mram)。闪速存储器是指用于根据金属氧化物半导体(mos)晶体管的阈电压的变化存储数据的存储器，并且包括nand闪速存储器和nor闪速存储器。
6.同时，当存储器系统以高性能操作时，存储器系统的内部温度升高。系统内部温度过高可能导致系统内部装置的故障，可损坏系统的内部装置，甚至可能伤害系统操作者。

技术实现要素：

7.本发明构思提供了一种操作性能提高的存储装置和一种操作其的方法。
8.根据本发明构思的一方面，提供了一种存储装置。存储装置包括至少一个非易失性存储器装置、邻近于至少一个非易失性存储器装置布置的第一温度传感器和第二温度传感器和控制器，控制器基于多个性能表、由第一温度传感器检测的第一温度和由第二温度传感器检测的第二温度控制至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平。性能表中的每一个可包括多个条目，多个条目中的每一个包括关于至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平的信息，并且多个性能表中的每一个对应于关于第一温度和第二温度的计算的结果。
9.根据本发明构思的一方面，提供了一种操作存储装置的方法。该方法包括：检测存储装置的邻近于非易失性存储器装置的第一部分的第一温度和存储装置的第二部分的第二温度，第二部分跨过所述非易失性存储器装置与第一部分间隔开；以及选择多个性能表之一。所述多个性能表包括关于所述非易失性存储器装置基于第一温度和第二温度的操作性能水平的信息。
10.根据本发明构思的一方面，提供了一种提供多个性能表的方法。该方法包括：在包括多个非易失性存储器装置的存储装置的外壳内的不同位置处布置第一温度传感器和第二温度传感器；根据用于冷却所述外壳的流体的流动速度和所述外壳周围的环境温度来定义由所述第一温度传感器检测的第一温度、由所述第二温度传感器检测的第二温度和所述外壳的温度之间的关系；以及生成多个性能表。每个性能表包括多个条目，每个条目包括关
于所述非易失性存储器装置的基于所述外壳的所述温度、所述第一温度和所述第二温度之间的所述关系的操作性能水平的信息。
附图说明
11.将从下面结合附图的详细描述中更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：
12.图1是根据示例实施例的数据存储系统的框图；
13.图2是根据本发明构思的实施例的控制器的框图；
14.图3是图1和图2所示的非易失性存储器装置的框图；
15.图4a和图4b是根据示例实施例的存储装置的平面图；
16.图5是根据示例实施例的控制温度的方法的流程图；
17.图6是根据示例实施例的描述效果的曲线图；以及
18.图7是根据示例实施例的提供多个性能表的方法的流程图。
具体实施方式
19.图1是根据示例实施例的系统1的框图。
20.根据示例实施例的系统1可包括存储装置10和主机20。
21.主机20可以与存储装置10通信，以发送与存储器操作有关的命令以及关于该命令的确认。主机20可以通过使用诸如快速外围组件互连(pci-e)、高级技术连接(ata)、串行ata(sata)、并行ata(pata)和串行连接scsi(sas)的接口协议与存储装置10通信。根据示例实施例，用于主机20和存储装置10之间的通信的接口协议可以是通用串行总线(usb)、多媒体卡(mmc)、增强型小磁盘接口(esdi)和集成驱动电子设备(ide)之一。
22.存储装置10可包括控制器100、非易失性存储器装置200以及被配置为测量非易失性存储器装置200周围的温度的第一温度传感器(ts1)310和第二温度传感器(ts2)320。控制器100可以从主机20接收与存储器操作相关的命令，通过使用该命令生成内部命令和内部时钟信号，并将该内部命令和内部时钟信号提供给非易失性存储器装置200。非易失性存储器装置200可响应于内部命令而存储要写入存储器单元阵列中的数据，或响应于内部命令而向控制器100提供读数据。
23.根据示例实施例的存储装置10可以是(但不限于)固态驱动器(ssd)或安全数字(sd)卡。此外，非易失性存储器装置200可以是闪存装置。然而，本发明构思不限于此，并且非易失性存储器装置200可以是相变ram(pram)装置、磁ram(mram)装置、电阻ram(reram)装置或铁电ram(feram)装置。当非易失性存储器装置200是闪存装置时，非易失性存储器装置200可以是浮栅型nand闪存装置或电荷俘获闪存(ctf)型nand闪存装置。非易失性存储器装置200的存储器单元晶体管可以二维地布置或三维地布置。
24.根据示例实施例，控制器100可以控制存储装置10的操作以及主机20与非易失性存储器装置200之间的数据交换。例如，控制器100可以根据主机20的请求控制非易失性存储器装置200写数据或读数据。此外，控制器100可以控制有效管理非易失性存储器装置200所需的一系列操作(例如，性能控制、合并、损耗均衡等)。
25.根据示例实施例，控制器100可以在其中存储多个性能表。这里，性能表可以各自包括多个条目，每个条目包括关于非易失性存储器装置200的操作性能(即，操作性能水平)
的信息。在一些实施例中，关于操作性能的信息可包括时钟的时钟速度，非易失性存储器装置200以该时钟的时钟速度而操作。控制器100可以基于性能表和由第一温度传感器310测量的第一温度t1和由第二温度传感器320测量的第二温度t2来控制非易失性存储器装置200的操作，这将在后面描述。根据示例实施例，性能表可以存储在非易失性存储器装置200中，并且控制器100可以基于存储在非易失性存储器装置200中的性能表来控制非易失性存储器装置200的操作性能。
26.第一温度传感器310和第二温度传感器320可以生成关于存储装置10内的温度的数据(例如，日志)。例如，第一温度传感器310和第二温度传感器320可以周期性地测量存储装置10内的温度，并且将所述测量到的温度存储在存储器中，用作日志。在一些实施例中，第一温度传感器310和第二温度传感器320中的每一个可具有用于记录测量的温度的日志的存储器。在一些实施例中，存储器控制器100可具有用于记录测量的温度的日志的存储器。在一些实施例中，测量的温度可记录在非易失性存储器装置200中。第一温度传感器310可以测量存储装置10内的第一部分的第一温度t1。第二温度传感器320可以测量存储装置10内的第二部分的第二温度t2。第一温度传感器310和第二温度传感器320可以测量存储装置内的不同部分的温度。
27.根据示例实施例，控制器100和非易失性存储器装置200可以各自包括内置于其中的内部温度传感器，并且第一温度传感器310和第二温度传感器320可以是布置在控制器100和非易失性存储器装置200外部的外部温度传感器。
28.非易失性存储器装置200是用于非易失性地存储数据的存储空间，并且可以存储操作系统(os)、各种程序和各种数据。
29.图2是根据本发明构思的实施例的控制器100的框图。
30.参照图1和图2，控制器100可包括主机接口(i/f)110、动态随机存取存储器(dram)120、静态ram(sram)130、存储器接口140、中央处理单元(cpu)150、总线160、节流模块170、定时器180和时钟生成器190。
31.主机接口110可包括上述接口协议，以与主机20通信。dram 120和sram 130可以各自易失性地存储数据和/或程序。存储器接口140可以与非易失性存储器装置200通信。
32.cpu 150可以执行用于将数据写至非易失性存储器装置200或者从非易失性存储器装置200读数据的整体控制操作。
33.节流模块170可以收集关于第一温度t1和第二温度t2的数据并且基于关于第一温度t1和第二温度t2的收集数据(例如，日志)估计存储装置10的周围环境(例如，环境温度、气流等)。节流模块170可以基于估计的周围环境以及第一温度t1和第二温度t2确定存储装置10的目标性能水平，并且调整存储装置10的性能，以在确定的目标性能水平下操作。
34.根据示例实施例，节流模块170可以基于多个性能表调整存储装置10的性能。例如，节流模块170可以基于6个或更多个性能表调整存储装置10的性能。根据示例实施例，节流模块170可以基于关于第一温度t1和第二温度t2的数据选择性能表之一。
35.根据示例实施例，节流模块170可以基于关于第一温度t1和第二温度t2的计算的结果选择性能表之一。例如，节流模块170可以基于第一温度t1和第二温度t2之间的差选择性能表之一。
36.根据示例实施例，节流模块170可以根据第一温度t1和第二温度t2之一和选择的
性能表调整存储装置10的性能。例如，节流模块170可以基于高于第二温度t2的第一温度t1和选择的性能表调整存储装置10的性能。在一些示例实施例中，节流模块170可以基于低于第一温度t1的第二温度t2和选择的性能表调整存储装置10的性能。
37.根据示例实施例，节流模块170可以根据关于第一温度t1和第二温度t2的计算的结果和选择的性能表调整存储装置10的性能。例如，节流模块170可以基于第一温度t1和第二温度t2的均值和选择的性能表调整存储装置10的性能。
38.定时器180可以将时间信息提供至cpu 150和节流模块170。节流模块170和定时器180可以各自实施为硬件、软件或硬件和软件的组合。
39.当节流模块170和定时器180实施为软件时，非易失性存储器装置200可以存储用于节流模块170和定时器180的程序(例如，仿真程序)。当存储装置10通电时，用于节流模块170和定时器180的程序可从非易失性存储器装置200加载至sram 130并且由cpu 150执行。
40.时钟生成器190可以生成和提供cpu 150、dram 120和非易失性存储器装置200的操作所需的时钟信号。提供至cpu 150、dram 120和非易失性存储器装置200的时钟信号的速率(或频率)可彼此不同。时钟生成器190根据由节流模块170确定的目标性能水平调整分别施加至cpu 150、dram 120和非易失性存储器装置200的时钟信号的速率，因此，可根据存储装置10的周围环境调整存储装置10的性能。
41.虽然未示出，但是存储装置10还可包括诸如用于存储在存储装置10通电时执行的代码数据的只读存储器(rom)(未示出)和用于对要存储在非易失性存储器装置200中的数据进行编码并对从非易失性存储器装置200读出的数据进行解码的错误校正码(ecc)引擎(未示出)的组件。
42.图3是图1和图2所示的非易失性存储器装置200的框图。
43.参照图3，非易失性存储器装置200可包括存储器单元阵列201、控制逻辑202、电压生成器203、行解码器204和页缓冲器205。
44.存储器单元阵列201可连接至一条或多条串选择线ssl、多条字线wl和一条或多条地选择线gsl，并且还可以连接至多条位线bl。存储器单元阵列201可包括在字线wl与位线bl交叉的区排列的多个存储器单元。
45.控制逻辑202可以从控制器100(参照图1)接收命令cmd和地址add，并且还可以从控制器100接收用于控制非易失性存储器装置200内的各种功能块的控制信号ctrl。控制逻辑202可以基于命令cmd、地址add和控制信号ctrl输出用于在存储器单元阵列201中写数据或者从存储器单元阵列201中读数据的控制信号。因此，控制逻辑202可以控制在非易失性存储器装置200中的整体操作。
46.可将从控制逻辑202输出的各种控制信号提供至电压生成器203、行解码器204和页缓冲器205。例如，控制逻辑202可以将电压控制信号ctrl_vol提供至电压生成器203，将行地址x-add提供至行解码器204，以及将列地址y-add提供至页缓冲器205。
47.电压生成器203可以基于电压控制信号ctrl_vol生成用于对存储器单元阵列201执行编程操作、读操作和擦除操作的各种类型的电压。例如，电压生成器203可以生成用于驱动多条字线wl的第一驱动电压vwl、用于驱动多条串选择线ssl的第二驱动电压vssl和用于驱动多条地选择线gsl的第三驱动电压vgsl。第一驱动电压vwl可为编程电压(或者写电压)、读电压、擦除电压、通过电压或者编程验证电压。第二驱动电压vssl可为串选择电压，
即，导通(on)电压或截止(off)电压。第三驱动电压vgsl可为地选择电压，即，on电压或off电压。
48.行解码器204可经字线wl连接至存储器单元阵列201，并且响应于从控制逻辑202接收的行地址x-add激活一些字线wl。例如，在读操作中，行解码器204可以将读电压施加至选择的字线，并且将通过电压施加至未选择的字线。
49.在编程操作中，行解码器204可以将编程电压施加至选择的字线，并且将通过电压施加至未选择的字线。在当前实施例中，在编程循环中的至少一个中，行解码器204可以将编程电压施加至选择的字线和额外选择的字线。
50.页缓冲器205可经多条位线bl连接至存储器单元阵列201。例如，在读操作中，页缓冲器205可以作为读出放大器操作，并且输出存储在存储器单元阵列201中的数据。在编程操作中，页缓冲器205可以作为写驱动器操作，并且输入将被存储在存储器单元阵列201中的数据。
51.图4a和图4b是根据示例实施例的存储装置10的平面图。
52.根据示例实施例，存储装置10可为双列直插式内存模块(dimm)。图4a示出了存储装置10的封装衬底11的第一表面11a，图4b示出了封装衬底11的第二表面11b。
53.存储装置10可包括用于覆盖和保护其中包括的电子元件的外壳，并且，在图4a和图4b中，箭头表示用于对存储装置10的外壳和在其中安装有存储装置10的系统中的位于该外壳内的电子元件进行冷却的流体的流动方向fd。
54.参照图4a和图4b，存储装置10可包括封装衬底11。封装衬底11可包括其中安装有多个非易失性存储器装置200的非易失性存储器区nvmr、其中设置了第一温度传感器310的第一感测区sr1、和其中设置了第二温度传感器320的第二感测区sr2。
55.根据示例实施例，非易失性存储器区nvmr可基本位于封装衬底11的中心部分。根据示例实施例，第一感测区sr1和第二感测区sr2可跨过非易失性存储器区nvmr彼此间隔开。根据示例实施例，第一感测区sr1、非易失性存储器区nvmr和第二感测区sr2可在冷却流体的流动方向fd上顺序地排列。
56.根据示例实施例，第一温度传感器310和第二温度传感器320可在非易失性存储器装置200介于它们之间的情况下彼此间隔开。根据示例实施例，第一温度传感器310、非易失性存储器装置200和第二温度传感器320可在冷却流体的流动方向fd上排列。在一些实施例中，由第一温度传感器310测量的第一温度t1(参照图1)可高于由第二温度传感器320测量的第二温度t2(参照图1)。在一些实施例中，由第一温度传感器310测量的第一温度t1(参照图1)可低于由第二温度传感器320测量的第二温度t2(参照图1)。
57.根据示例实施例，第一温度传感器310和第二温度传感器320可排列在封装衬底11的第一表面11a上，如图4a所示。根据一些示例实施例，第一温度传感器310和第二温度传感器320可排列在封装衬底11的第二表面11b上，如图4b所示。
58.根据示例实施例，第一温度传感器310和第二温度传感器320中的一个可以设置在封装衬底11的第一表面11a上，并且第一温度传感器310和第二温度传感器320中的另一个可以设置在封装衬底11的第二表面11b上。例如，第一温度传感器310可以设置在封装衬底11的第一表面11a上，而第二温度传感器320可以设置在封装衬底11的第二表面11b上。在一些实施例中，第一温度传感器310可以设置在封装衬底11的第二表面11b上，而第二温度传
感器320可以设置在封装衬底11的第一表面11a上。
59.根据示例实施例，除第一温度传感器310之外，还可在第一感测区sr1中布置控制器100、dram 120、sram 130和电源管理集成电路(pmic)330。除第二温度传感器320之外，还可在第二感测区sr2中设置诸如多层陶瓷电容器(mlcc)的无源装置340。
60.图5是根据示例实施例的控制温度的方法的流程图。
61.参照图1和图5，在p110中，可分别通过利用第一温度传感器310和第二温度传感器320测量第一温度t1和第二温度t2。
62.接着，在p121至p126中，可将第一温度t1和第二温度t2之间的差δt与设定范围进行比较。根据示例实施例，控制器100可以基于差δt选择多个性能表(例如，第一性能表至第六性能表)之一。
63.例如，当在p121中差δt满足第一范围(例如，等于或者高于1℃且低于2℃)(是)时，在p131中可应用第一性能表。否则，当在p121中差δt不满足第一范围(否)时，在p122中，可将差δt与第二范围进行比较。
64.当在p122中差δt满足第二范围(例如，等于或者高于2℃且低于3℃)(是)时，在p132中可应用第二性能表。否则，当在p122中差δt不满足第二范围(否)时，在p123中，可将差δt与第三范围进行比较。
65.当在p123中差δt满足第三范围(例如，等于或者高于3℃且低于4℃)(是)时，在p133中可应用第三性能表。否则，当在p123中差δt不满足第三范围(否)时，在p124中，可将差δt与第四范围进行比较。
66.当在p124中差δt满足第四范围(例如，等于或者高于4℃且低于5℃)(是)时，在p134中可应用第四性能表。否则，当在p134中差δt不满足第四范围(否)时，在p125中，可将差δt与第五范围进行比较。
67.当在p125中差δt满足第五范围(例如，等于或者高于5℃且低于6℃)(是)时，在p135中可应用第五性能表。否则，当在p125中差δt不满足第五范围(否)时，在p126中，可将差δt与第六范围进行比较。
68.当在p126中差δt满足第六范围(例如，6℃或更高)(是)时，在p136中可应用第六性能表，并且控制器100可以在p137中生成警告信号。根据示例实施例，当差δt等于或者高于设定值(例如，6℃)时，控制器100可以确定其中安装了存储装置10的系统1内的冷却系统中存在问题，并且将警告信号发送至主机20。主机20可以例如通过显示装置和警报指示维护冷却系统的信号。
69.差δt的上限和下限的温度范围越低，性能表的性能控制进入温度就会越高。例如，第一性能表至第六性能表可具有顺序地减小的性能控制进入温度。例如，第二性能表的性能控制进入温度可低于第一性能表的性能控制进入温度，第三性能表的性能控制进入温度可低于第二性能表的性能控制进入温度，并且第四性能表的性能控制进入温度可低于第三性能表的性能控制进入温度。在相同的温度下的操作性能可以从第一性能表至第六性能表顺序地减小。在一些实施例中，多个性能表中的每一个可具有预定最大性能水平，并且在每个性能表中，性能控制进入温度表示第一温度t1的温度，在该温度下或高于该温度时，至少一个非易失性存储器装置200的性能水平从预定的最大性能水平降低。即，在每个性能表中，当第一温度t1等于或高于该性能表的性能控制进入温度时，至少一个非易失性存储器
装置200的性能水平从预定的最大性能水平降低。
70.与对应于相对大的差δt的性能表相比，对应于相对小的差δt的性能表可具有针对更高温度范围的操作性能。例如，与第二性能表相比，第一性能表可包括关于对应于更高温度范围的操作性能的信息，与第三性能表相比，第二性能表可包括关于对应于更高温度范围的操作性能的信息，并且与第四性能表相比，第三性能表可包括关于对应于更高温度范围的操作性能的信息。
71.接着，可在p141至p146中测量第一温度t1，并且可在p151至p156中将第一温度t1与选择的性能表的性能控制进入温度进行比较。例如，在p151中，当第一温度t1等于或者高于第一性能表的性能控制进入温度(即，76℃)时，在p161中，存储装置10的性能可以开始受限制。例如，存储装置10的性能可被控制为低于选择的性能表1中允许的存储装置10的最大操作性能水平。当第一温度t1低于76℃时，可以在保持存储装置10的最大操作性能(即，最大操作性能水平)的同时监视第一温度t1。
72.在p152中，当第一温度t1等于或者高于第二性能表的性能控制进入温度(即，75℃)时，在p162中，存储装置10的性能可以开始受限制。例如，存储装置10的性能可被控制为低于选择的性能表2中允许的存储装置10的最大操作性能。当第一温度t1低于75℃时，可以在保持存储装置10的最大操作性能的同时监视第一温度t1。
73.在p153中，当第一温度t1等于或者高于第三性能表的性能控制进入温度(即，74℃)时，在p163中，存储装置10的性能可以开始受限制。例如，存储装置10的性能可被控制为低于选择的性能表3中允许的存储装置10的最大操作性能。当第一温度t1低于74℃时，可以在保持存储装置10的最大操作性能的同时监视第一温度t1。
74.例如，在p154中，当第一温度t1等于或者高于第四性能表的性能控制进入温度(即，73℃)时，在p164中，存储装置10的性能可以开始受限制。例如，存储装置10的性能可被控制为低于选择的性能表4中允许的存储装置10的最大操作性能。当第一温度t1低于73℃时，可以在保持存储装置10的最大操作性能的同时监视第一温度t1。
75.在p155中，当第一温度t1等于或者高于第五性能表的性能控制进入温度(即，72℃)时，在p165中，存储装置10的性能可以开始受限制。例如，存储装置10的性能可被控制为低于选择的性能表5中允许的存储装置10的最大操作性能。当第一温度t1低于72℃时，可以在保持存储装置10的最大操作性能的同时监视第一温度t1。
76.在p156中，当第一温度t1等于或者高于第六性能表的性能控制进入温度(即，71℃)时，在p166中，存储装置10的性能可以开始受限制。例如，存储装置10的性能可被控制为低于选择的性能表6中允许的存储装置10的最大操作性能。当第一温度t1低于71℃时，可以在保持存储装置10的最大操作性能的同时监视第一温度t1。
77.虽然上面已经描述了基于从多个性能表中选择的一个和由第一温度传感器310检测的第一温度t1调整存储装置10的性能，但这仅是示例，并且本发明构思不限于此。例如，可基于从多个性能表中选择的一个性能表和由第二温度传感器320检测的第二温度t2调整存储装置10的性能。与第一温度t1的情况相比，在基于第二温度t2调整存储装置10的性能的情况下，对应的性能表的性能控制进入温度可更低。
78.根据示例实施例，如稍后参照图6的描述，因为性能表的选择取决于第一温度t1和第二温度t2之间的差δt，所以当差δt相对小时，性能控制可以在相对高的温度开始。因
此，存储装置10以最大性能操作的时间段可最大化。
79.虽然上面基于为了方便解释而使用6个性能表的情况参照图5描述了本发明构思，但是这仅是示例，并且本发明构思在任何方面都不限于此。在一些实施例中，基于本文提供的描述，可使用2个至5个性能表，或者可使用7个或更多个性能表。
80.图6是用于描述根据示例实施例的效果的曲线图。
81.在图6中，水平轴表示用于冷却存储装置10的外壳的流体的流速，并且竖直轴表示当环境温度为25℃、30℃、40℃和50℃时第一温度t1和第二温度t2之间的对应的差δt。
82.参照图6，第一温度t1和第二温度t2之间的差δt与环境温度无关并且取决于用于冷却外壳的流体的流速。例如，通过确定第一温度t1和第二温度t2之间的差δt，可以确定用于冷却外壳的流体的流速。
83.根据示例实施例，通过基于第一温度t1和第二温度t2之间的差δt选择多个性能表之一，可实施考虑周围环境对存储装置10的性能控制。因此，可以防止存储装置10比必要的更快地进入性能控制，从而在满足系统的性能政策的同时，存储装置10的最大性能操作时间可最大化。
84.图7是根据示例实施例的提供多个性能表的方法的流程图。
85.参照图1和图7，在p210中，第一温度传感器310和第二温度传感器320可布置在存储装置10的外壳内部的不同位置。根据示例实施例，第一温度传感器310和第二温度传感器320可在第一感测区sr1和第二感测区sr2中按次序排列，如图4a和图4b所示。根据示例实施例，第一温度传感器310可布置在对应于存储装置10的外壳内的最高温度的位置，第二温度传感器320可布置在对应于存储装置10的外壳内的最低温度的位置。然而，本发明构思不限于此。
86.接着，在p220中，可以根据存储装置10的外壳的周围环境(例如，环境温度和冷却流体的流速)限定第一温度t1、第二温度t2和存储装置10的外壳的温度tc之间的关系。例如，可基于第一温度t1和第二温度t2之间的差δt确定周围环境，并且可基于确定的周围环境确定第一温度t1和第二温度t2中的至少一个与存储装置10的外壳的温度tc之间的差。
87.接着，在p230中，可基于第一温度t1和第二温度t2与存储装置10的外壳的温度tc之间的关系(例如，温度差)生成多个性能表。
88.下面的表1至表6是彼此不同的多个性能表的示例，表1至表6顺序地对应于更高的差δt。
89.【表1】
90.[0091][0092]
表1对应于图6中的流速在从约3.5m/s至约4.5m/s的范围内的情况。诸如“约”或“大约”的术语可以反映仅以较小的相对方式变化和/或以不会显著改变某些元件的操作、功能或结构的方式变化的数量、大小、方向或布局。例如，从“约0.1到约1”的范围可以包括诸如0.1左右的0％-5％偏差和1左右的0％-5％偏差的范围，特别是如果这种偏差保持与所列范围相同的效果。
[0093]
【表2】
[0094][0095]
表2对应于图6中的流速在从约2.5m/s至约3.0m/s的范围内的情况。
[0096]
【表3】
[0097][0098]
表3对应于图6中的流速为约2.0m/s的情况。
[0099]
【表4】
[0100][0101]
表4对应于图6中的流速为约1.5m/s的情况。
[0102]
【表5】
[0103][0104]
表5对应于图6中的流速为约1.0m/s的情况。
[0105]
【表6】
[0106][0107]
表6对应于图6中的流速为约0.5m/s的情况。
[0108]
在性能控制水平0，因为外壳的温度在安全水平，所以不执行性能控制。例如，在性
能控制水平0，存储装置10可以在存储装置10的最大操作性能下操作，而不会因外壳温度而影响性能。在性能控制水平1至3，可以将存储装置10的性能分别限制或降低至85％、45％和22％。性能控制水平4是保护水平。在性能控制水平4，存储装置10的操作可在外壳的温度tc变得足够低之前停止。
[0109]
在表1至表6中，性能表的差δt越大，性能控制水平的条目温度越低。例如，表2的第一水平条目温度可低于表1的第一水平条目温度。性能表的差δt越小，存储装置10在相同温度下的性能可越强。例如，当第一温度t1为72℃时，表1的操作性能可为100％，而表2的操作性能可为85％。
[0110]
虽然已经参考本发明构思的实施例详细地展示和描述了本发明构思，但是可以理解，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种更改。

技术特征：

1.一种存储装置，包括：至少一个非易失性存储器装置；第一温度传感器和第二温度传感器，其布置为邻近所述至少一个非易失性存储器装置；以及控制器，其被配置为基于多个性能表、由所述第一温度传感器检测到的第一温度和由所述第二温度传感器检测到的第二温度来控制所述至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平，其中，所述多个性能表中的每一个包括多个条目，所述多个条目中的每一个包括关于所述至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平的信息，并且其中，所述多个性能表中的每一个对应于关于所述第一温度和所述第二温度的计算的结果。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一温度传感器和所述第二温度传感器布置在所述至少一个非易失性存储器装置和所述控制器外部。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一温度传感器和所述第二温度传感器跨过所述至少一个非易失性存储器装置彼此间隔开。4.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：外壳，其覆盖所述至少一个非易失性存储器装置、所述控制器以及所述第一温度传感器和所述第二温度传感器，其中，所述第一温度传感器、所述至少一个非易失性存储器装置和所述第二温度传感器设置在所述外壳中，并且在用于冷却所述外壳的冷却流体的流动方向上顺序地排列。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制器被配置为基于关于所述第一温度和所述第二温度的所述计算的结果选择所述多个性能表之一，并且其中，所述计算的结果是所述第一温度和所述第二温度之间的差。6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个性能表包括：第一性能表，其对应于所述第一温度和所述第二温度之间的第一差；以及第二性能表，其对应于所述第一温度和所述第二温度之间的第二差，所述第二差大于所述第一差。7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，所述第一性能表中的关于所述至少一个非易失性存储器装置的性能控制进入温度高于所述第二性能表中的关于所述至少一个非易失性存储器装置的性能控制进入温度，并且其中，在具有预定的最大性能水平的所述多个性能表中的每一个中，性能控制进入温度表示所述第一温度的温度，在该温度下或高于该温度时，至少一个非易失性存储器装置的性能水平从预定的最大性能水平下降。8.根据权利要求1所述的存储装置，
其中，所述控制器被配置为基于所述第一温度和从所述多个性能表中选择的性能表来控制所述至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平。9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，所述第一温度高于所述第二温度。10.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制器被配置为响应于所述第一温度和所述第二温度之间的差等于或大于预定的温度差而生成警告信号。11.一种操作存储装置的方法，所述方法包括步骤：检测所述存储装置的邻近于非易失性存储器装置的第一部分的第一温度和所述存储装置的第二部分的第二温度，所述第二部分跨过所述非易失性存储器装置与所述第一部分间隔开；以及选择多个性能表之一，其中，所述多个性能表包括关于所述非易失性存储器装置基于所述第一温度和所述第二温度的操作性能水平的信息。12.根据权利要求11所述的方法，其中，基于所述第一温度和所述第二温度之间的差执行所述选择所述多个性能表之一的步骤。13.根据权利要求11所述的方法，还包括步骤：基于从所述多个性能表中选择的性能表内的所述第一温度，控制所述非易失性存储器装置的操作性能水平，其中，所述第一温度高于所述第二温度。14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个性能表包括：第一性能表，其对应于所述第一温度和所述第二温度之间的第一差；以及第二性能表，其对应于所述第一温度和所述第二温度之间的第二差。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二差大于所述第一差，并且其中，所述第一性能表包括关于与所述第二性能表相比对应于更高温度范围的操作性能水平的信息。16.根据权利要求11所述的方法，还包括步骤：响应于所述第一温度和所述第二温度之间的差等于或大于预定的温度差，生成警告信号。17.一种提供多个性能表的方法，所述方法包括：在包括多个非易失性存储器装置的存储装置的外壳内的不同位置处布置第一温度传感器和第二温度传感器；根据用于冷却所述外壳的流体的流动速度和所述外壳周围的环境温度来限定由所述第一温度传感器检测的第一温度、由所述第二温度传感器检测的第二温度和所述外壳的温度之间的关系；以及生成多个性能表，其中，所述多个性能表中的每一个包括多个条目，每个条目包括关于所述非易失性存
储器装置的基于所述外壳的所述温度、所述第一温度和所述第二温度之间的所述关系的操作性能水平的信息。18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一温度传感器和所述第二温度传感器在所述流体的流动方向上跨过所述非易失性存储器装置彼此间隔开。19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述多个性能表包括：第一性能表，其对应于所述第一温度和所述第二温度之间的第一差；以及第二性能表，其对应于所述第一温度和所述第二温度之间的第二差，其中，所述第二差大于所述第一差，并且其中，所述第一性能表包括关于与所述第二性能表相比对应于更高温度范围的操作性能水平的信息。20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述性能表包括对应于所述流体的第一流动速度的第一性能表和对应于所述流体的第二流动速度的第二性能表，其中，所述第一流动速度大于所述第二流动速度，并且其中，所述第一性能表包括在相同温度下对应于与所述第二性能表相比更高的操作性能水平的条目。

技术总结

提供了一种存储装置、操作存储装置的方法和提供多个性能表的方法。该存储装置包括：至少一个非易失性存储器装置；第一温度传感器和第二温度传感器，其布置为邻近至少一个非易失性存储器装置；以及控制器，其被配置为基于多个性能表、由第一温度传感器检测到的第一温度和由第二温度传感器检测到的第二温度来控制至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平。多个性能表中的每一个包括多个条目，多个条目中的每一个包括关于至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平的信息。多个性能表中的每一个对应于关于第一温度和第二温度的计算的结果。结果。结果。