1 绪论
在微电子制造技术中，最为关键的是用于电路图形生产和复制的光刻技术，光刻技术的研究与开发，在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角。目前国际微电子领域最引人关注的热点，就是即将到来的光刻技术变革，这一变革将对整个微电子制造技术的发展产生深远的影响。 从目前的发展趋势判断，0.13μm光刻仍将采用光学光源，其中问题只在于是将248nm技术继续推进到0.13μm，还是采用193nm技术。随着加工尺寸向0.1μm逼近，能否突破0.1μm成为一只占据主流地位的光学光刻技术所面临的最为严峻的挑战。更短波长光源、新的透镜材料和更高数字孔径光学系统的加工技术，成为首先需要解决的问题；同时，由于光刻尺寸要小于光源波长，使得移相和光学邻近效应矫正等波前工程技术成为光学光刻的另一项关键技术。
由于分辨率增强技术的发展，光学光刻的极限分辨率可以达到光源波长的1/2。因此，193nm波长的光源分辨率可以达到0.1μm，157nm波长的光源分辨率可以达到0.07μm。而由于深紫外光被各种材料强烈吸收，继续缩短波长将难以到制作光学系统的材料，这使
得光学光刻最终将在0.07μm达到其技术上的“终点”。sysloader
在光学光刻技术努力突破分辨率“极限”的同时，替代光学光刻的所谓后光学光刻或称下一代光刻技术（Next Generation Lithography，NGL）的研究，在近几年内迅速升温，这些技术包括X射线、极紫外（EUVL）即软X射线投影光刻、电子束投影光刻、离子束投影光刻等等。这些技术研究的目标非常明确，就是在0.1μm及更小尺寸的生产中替代光学光刻技术。
本文主要介绍了光刻技术的基本原理和工艺流程，以及光学光刻技术和下一代光刻技术的研究现状与应用前景。
2 光刻的基本概念及工艺流程
插卡音箱方案光刻技术是利用光学复制的方法把超小图样刻印到半导体薄片上来制作复杂电路的技术。光刻技术是微制造领域最为成功的技术。自从它在1959年被发明以来，就成为半导体工业最有用的工具。迄今为止，基本上所有的集成电路都是通过它制造的。
光刻的原理与印相片相同，涂在硅片上的光刻胶相当于相纸，掩模相当于底片。用特定波 长的光照射光刻胶，光刻胶有感光性和抗蚀性即正负性两种类型。正胶曝光部分在显影液中被溶解，没有曝光的胶层留下；负胶的曝光部分在显影液中不溶解，而没有曝光的胶层却被溶解掉。经过显影，则显出光刻图形。光学光刻是由投影光学系统和掩模版相结合来产生光刻图形的。曝光方式普遍采用分布重复投影式曝光，即将一组图形重复上百次制作在一大片硅片上。
评价光刻质量的指标主要有分辨率（单位长度上可分辨的高反差线对数）、光刻精度（线宽尺寸控制及套刻精度）、产率和成品率等。影响光刻质量的主要因素有曝光系统、曝光方式、光掩模、光刻胶和刻蚀方法等。
2.1 光刻的基本概念
光刻处于硅片加工过程的中心，这可以通过在各制造工艺中如何从光刻工艺流进流出中证明（见图2.1）。光刻常被认为是IC制造中最关键的步骤，需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。据估计，光刻成本在整个硅片加工成本中几乎占不到三分之一。
图2.1 硅片制造工艺流程
转移到硅片表面的光刻图形的形状完全取决于硅片层面的构成。图形可能是硅片上的半导体器件、隔离槽、接触孔、金属互连线以及互联金属层的通孔。这些图形被转移到光敏光刻胶材料上，为进行刻蚀或离子注入的衬底做好准备。形成的光刻胶图形是三维的，因为光刻胶中的图形具有长、宽、高（见图2.2）。在一个硅片上可能有成百个完全相同的芯片，每一个都需要将合适的图形转移到管芯上。
图2.2 光刻胶的三维图形
机顶盒支架
光刻技术要应用光敏光刻胶或光刻胶，它们作为一种聚合可溶解物被涂在衬底表面，然后光刻胶被烘焙除去溶剂，下一步再将其用受控的光线曝光。光透过确定了所需图形的投影掩膜版。光刻胶是涂在硅片表面上的临时材料，仅是为了必要图形的转移，一旦图形形成刻蚀或离子注入，就要被去掉。
投影掩膜版（reticle）是一个石英版，它包含了要在硅片上重复生成的图形。就像投影用的电影胶片的底片一样。这种图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个。光掩膜版（photomask）常被成为掩膜版（mask），并与投影掩膜版一词交换使用，它是一块石英版，包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。由于在图形转移到光刻胶中光是最关键的，并且通过光学控制，所以光刻有时被称为光学光刻。
2.2光刻工艺的8个基本步骤
光刻工艺是一个复杂过程，它有很多影响其工艺宽容度的工艺变量。例如
减小的特征尺寸、对准偏差、掩膜层数目以及硅片表面的清洁度。为方便起见，我们可以将光刻的图形形成过程分为8个步骤（见图2.3）。
图2.3 光刻的8个步骤
2.2.1 步骤1：气相成底膜处理
光刻的第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。这些步骤的目的是增强硅片和光刻胶之间的粘附性。
硅片清洗包括湿法清洗和去离子水冲洗以去除沾污物，大多数的硅片清洗工作在进入光刻工作间之前进行。脱水致干烘焙在一个封闭腔内完成，以除去吸附在硅片表面的大部分水汽。硅片表面必须是清洁干燥的。脱水烘焙后硅片立即要用六甲基二硅胺烷（HMDS）进行成膜处理，它起到了粘附促进剂的作用。
2.2.2步骤2：旋转涂胶
成底膜处理后，硅片要立即采用旋转涂胶的方法涂上液相光刻胶材料。硅片被固定在一个真空载片台上，它是一个表面上有很多真空孔以便固定硅片的平的金属或聚四氯乙烯盘。一定数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后对喷旋转得到一层均匀的光刻胶涂层 见图（2.4）。
不同的光刻胶要求不同的旋转涂胶条件，例如最初慢速旋转（例如500rpm），接下来跃变到最大转速3000rpm或者更高。一些光刻胶应用的重要质量指标是时间、速度、厚度、均匀性、颗粒沾污以及光刻胶缺陷，如针孔。
图2.4 旋转涂胶
电阻丝2.2.3步骤3：烘焙
光刻胶被涂到硅片表面后必须要经过软烘，软烘的目的是去除光刻胶中的溶剂。软烘提高
了粘附性，提升了硅片上光刻胶的均匀性，在刻蚀中得到了更好的线宽控制。典型的软烘条件是在热板上90℃到100℃烘30秒，接下来是在冷板上的降温步骤，以得到光刻胶一致特性的硅片温度控制。
2.2.4步骤4：对准和曝光
下一步被称做对准和曝光。掩膜版与涂了胶的硅片上的正确位置对准。硅片表面可以是裸露的硅，但通常在其表面有一层事先确定了的图形。一旦对准，将掩膜版和硅片曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上（见图2.5）。光能激活了光刻胶中的光敏成分。对准和曝光的重要质量指标是线宽分辨率、套刻精度、颗粒和缺陷。
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