半导体光刻工艺之去胶

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半导体光刻⼯艺之去胶中频淬火变压器

经过刻蚀或者离⼦注⼊之后，已经不再需要光刻胶作为保护层，因此可以将光刻胶从硅⽚的表⾯除去，这⼀步骤简称为去胶。在集成电路⼯艺中，去胶的⽅法包括湿法去胶和⼲法去胶，在湿法去胶中⼜分为有机溶剂去胶和⽆机溶剂去胶。甲基铝氧烷

使⽤有机溶剂去胶，主要是使光刻胶溶于有机溶剂中，从⽽达到去胶的⽬的。有机溶剂去胶中使⽤的溶剂主要有丙酮和芳⾹族的有机溶剂。⽆机熔液去胶的原理是利⽤光刻胶本⾝也是有机物的特点（主要由碳和氢等元素构成的化合物），通过使⽤⼀些⽆机溶剂（如硫酸和双氧⽔等），将光刻胶中的碳元素氧化称为⼆氧化碳，这样就可以把光刻胶从硅⽚的表⾯除去。不过，由于⽆机熔液会腐蚀AL，因此去除AL上的光刻胶必须使⽤有机溶剂。

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⼲法去胶则是利⽤等离⼦体将光刻胶去除。以使⽤氧等离⼦为例，硅⽚上的光刻胶通过在氧等离⼦体中发⽣化学反应，⽣成的⽓态的CO，ＣＯ2和Ｈ2O可以由真空系统抽⾛，相对于湿法去胶，⼲法去胶的效果更好，但是由于⼲法去胶存在反应残留物的玷污问题，因此⼲法去胶与湿法去胶经常搭配使⽤。水上步行器

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