UV2000-25光刻机说明书

U V2000-25光刻机说怎么自制纳米胶带
明书
-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN
URE—2000/25型深度光刻机说明书中国科学院光电技术研究所
目录
一、整机系统描述
二、性能指标和设备参数焊条烘干炉
三、系统工作原理及结构
1.工作原理
秸秆人造板2.机械结构图
3.电控系统框图
4.关键部件结构图
5.气路图
四、电器接线图及接线表
五、环境要求
六、安装要求—场地大小、电源要求等
七、面板及仪表说明
八、操作步骤—工作过程
一、 整机系统描述
URE-2000/25型深度光刻机,是在URE-2000A 和URE-2000B 基础上开发成功的,其主要特点是:
灯源采用200W 交流高压汞灯,曝光波长使用365nm ,曝光面积?100mm (可扩展为150mm?150mm )。曝光系统采用积木错位蝇眼透镜实现均匀照明和平滑衍射效应。
掩模面的最大照度可达10mW/cm 2(用365nm 探头测量,曝光面
积?100mm),照度可通过曝光系统内部的可变光栏进行调节。
对准采用双目双视场对准显微镜(可添加CCD 对准系统),对准显微镜的有三对目镜和三对物镜可以互换,组合后最大倍数为375倍。对准物镜轴距可在20mm-63mm 之间变化。在目镜中可单独观察到一个视场的像,也可同时观测到两个视场的像。
机器由单片机系统通过主机上控制面板进行操作(如带CCD 的对准系统则通过主计算机进行操作)。
工件台可带动掩模样片一起作X 、Y 整体运动(关掉工件台真空),也可X 、Y 整体运动锁紧(关掉工件台真空)。样片相对于掩模可作X 、Y 、Z 、Z Y X θθθ、、六维运动,其中X 、Y 、Z 、Z θ通过手轮调节,Y X θθ、分别
通过球气浮调节。共有2.5英寸、3英寸、4英寸、5英寸四种掩模吸盘。
二、 性能指标和设备参数
曝光面积:75mm ×75mm (可扩展为φ 100mm )
分辨力:1-微米(胶厚2微米的正胶)
最大胶厚300微米 (SU8胶)
套刻精度:±微米
掩膜样片整体运动范围:X :15mm ,Y :15mm
掩膜尺寸:寸,3寸,4寸,(可扩展至5寸)
样片尺寸:直径φ 15mm -φ100mm
厚度 0.1mm – 6mm网络流量监测
照明均匀性:±3%(75mm×75mm范围)
掩膜相对于样片运动行程:X:±3mm;Y:±3mm;θ:±6度)
汞灯功率:200W(直流)
曝光方式定时(可倒计时曝光,定时范围)和定剂量
对准光学系统调焦范围:1.5mm
曝光面功率密度:13mW/cm2
三、系统工作原理及结构
1.工作原理和设计方案
曝光光学系统
曝光光学系统的功能主要有:平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节。
1.1.1衍射效应平滑方案
按照Fraunhofer的衍射理论,宽为2a的单缝用波长为?的光照明,在离f远处产生的衍射光强分布是:
λ
多人交互式VRπ2
),
(
sin蜂盘
)
(2=
=k
f
kxa
c
x
I
由于衍射使主峰旁边还有很多次峰,造成光刻线条质量下降,线条越细、距离越远、曝光波长越长,则这一现象越明显。
图1 不消衍射时在工件上的光强分布图2 采用积木错位蝇眼透镜时在工件上的光强分布在本设备中采用积木错位式蝇眼透镜(结构如图3示)形成多点光

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