一．实验目的
了解光刻在样品制备工艺中的作用，熟悉光刻工艺的步骤和操作。 二．实验原理
光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照像复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的SiO2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗证剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照射的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂（如显影液）溶解。然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对SiO2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，从而在SiO2层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。
（一）光刻原理图
晶片表面必须有如照相底片般的物质存在，属于可感光的胶质化合物（光刻胶），经与光线作用和化学作用方式处理后，即可将掩膜版上的图形一五一十地转移到晶片上。因此在光刻成像工艺上，掩膜版、光刻胶、光刻胶涂布显影设备及对准曝光光学系统等，皆为必备的条件。
三、实验药品及设备
化学药品：光刻胶（正胶）、正胶显影液、丙酮、酒精、去离子水等
故障诊断方法
实验仪器：匀胶台、烘胶台、光刻机等
四．实验步骤
1. 准备样品，甩胶
注意事项：
①保证样品表面的干净
②在使用之前确保匀胶机正常工作
③在事先要把烘胶台的温度设定到实验需要的温度
2. 光刻
注意事项：
①首先检查变压器是否工作，指针需要指在110V
②曝光结束后要按下“fan as”键，是光刻机自行冷却下来
③长时间不用光刻机时不要忘了关干泵防止其过热烧坏
皮画
3. 显影
注意事项：
①显影过程应在曝光过后立即操作
②显影液不宜放置时间过长，以免其变质后影响实验结果
4. 整理光刻间，保持实验场所的干净整洁
五. 实验结果
工艺参数：
样品名称：5mm×5mm Si片
光刻胶：AZ1500
匀胶台：600r~10s，3000r~60s
高压烘胶台：90℃~2min
显影液：正胶显影液
在操作之前，首先对硅片进行了洁净处理。具体步骤如下：
1. 在丙酮中用超声清洗10分钟手机天线弹片
2. 在酒精中用超声清洗10分钟
3. 放在去离子水里清洗
4. 放在酒精中清洗
5. 用氮气吹干逐步追踪
金属表面耐磨涂层清洗完硅片过后，进行甩胶、前烘、光刻、显影、后烘。实验的整个流程基本完成。
下面是利用实验结果拍成的图片：
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