一种石墨舟及其石墨舟套管的制作方法

1.本实用新型涉及绝缘设备技术领域，更具体地说，涉及一种石墨舟及其石墨舟套管。

背景技术：

2.隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxide passivated contact，topcon)电池技术基于n型硅衬底，在前表面采用叠层膜钝化工艺，在背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅(poly-si)的隧穿氧化层钝化接触结构，该结构能使多数载流子穿透氧化层，对少数载流子起到阻挡的作用，有效实现载流子的选择通过性，可以极大降低少数载流子的复合速率，不但能实现与异质结结构相当的表面钝化效果，而且可以与高温工艺相兼容，还避免了电极接触处带来的高复合问题，因而，topcon电池具有高的开路电压和填充因子，也是目前高效太阳能电池表面钝化的一个重要发展方向。
3.在topcon电池的制备工序中，掺杂多晶硅层(poly-si)可采用低压化学气相沉积法(lpcvd)和等离子体增强气相沉积法(pecvd)这两种方法，其中，pecvd法具有绕镀少和生产速率高等优点，在利用pecvd法制备掺杂多晶硅层时，石墨舟作为导电载体，将硅片卡在石墨舟上，在工艺运行过程中提供电场，使得等离子体被加速，最终在硅片表面形成掺杂后的多晶硅层。但是，在硅片上形成掺杂后的多晶硅层的同时也会在石墨舟的舟页和连接件陶瓷杆/套管表面形成掺杂后的多晶硅层，这种掺杂后的多晶硅层具有导电性，因此，随着工艺的进行，套管的导电性逐渐增强大，从而就会使相邻舟页间的电场强度减小，导致掺杂多晶硅的生长速率降低，可见是一个亟待解决的问题。

技术实现要素：

4.为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种石墨舟及其石墨舟套管，能够减缓石墨舟套管导电性的增加速率，增大相邻石墨舟页间的电场强度，提高掺杂多晶硅的生长速率。
5.本实用新型提供的一种石墨舟套管包括筒状的套管主体，所述套管主体的外表面分布有多个具有预设高度的环形部，所述环形部的远离套管主体的一端设置有遮挡部，且相邻的环形部上的遮挡部之间具有预设宽度的缝隙。
6.优选的，在上述石墨舟套管中，所述预设高度为1.0mm至4.0mm。
7.优选的，在上述石墨舟套管中，所述环形部的数量为2个至10个。
8.优选的，在上述石墨舟套管中，所述预设宽度为0.1mm至1.0mm。
9.优选的，在上述石墨舟套管中，所述遮挡部与所述套管主体平行。
10.优选的，在上述石墨舟套管中，所述遮挡部的边缘向所述套管主体的方向延伸预设距离形成延伸边。
11.优选的，在上述石墨舟套管中，所述延伸边与所述环形部平行或呈预设夹角。
12.优选的，在上述石墨舟套管中，所述预设距离为1.0mm至3.5mm。
13.优选的，在上述石墨舟套管中，所述环形部均相互平行。
14.本实用新型提供的一种石墨舟包括如上面任一项所述的石墨舟套管。
15.从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的上述石墨舟套管，由于包括筒状的套管主体，所述套管主体的外表面分布有多个具有预设高度的环形部，所述环形部的远离套管主体的一端设置有遮挡部，且相邻的环形部上的遮挡部之间具有预设宽度的缝隙，在这种情况下，遮挡部以下的部位就不容易有导电物质沉积上去，从而可维持套管的绝缘状态，也就是说，能够减缓石墨舟套管导电性的增加速率，增大相邻石墨舟页间的电场强度，提高掺杂多晶硅的生长速率，有效延长石墨舟套管的使用寿命。本实用新型提供的上述石墨舟，由于包括上述石墨舟套管，因此也具有上述优点。
附图说明
16.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
17.图1为本实用新型提供的一种石墨舟套管的实施例的剖面图；
18.图2为石墨舟套管的另一个具体实施例的示意图。
具体实施方式
19.本实用新型的核心是提供一种石墨舟及其石墨舟套管，能够减缓石墨舟套管导电性的增加速率，增大相邻石墨舟页间的电场强度，提高掺杂多晶硅的生长速率。
20.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
21.本实用新型提供的一种石墨舟套管的实施例如图1所示，图1为本实用新型提供的一种石墨舟套管的实施例的剖面图，该石墨舟套管包括筒状的套管主体1，套管主体1的外表面分布有多个具有预设高度的环形部2，环形部2的远离套管主体的一端设置有遮挡部3，且相邻的环形部2上的遮挡部3之间具有预设宽度的缝隙。
22.可见在该实施例中，相邻的遮挡部3之间缝隙很小，仅能让少量的导电物质通过，而即使导电物质通过以后，这些导电物质也很难落在遮挡部的下表面以及环形部2的侧面，从而从套管主体1的整体上来说，这些导电物质无法在套管主体1的表面形成一个导电通路，毕竟其路径的中间有许多部位没有导电物质，因此该石墨舟套管就能够更长时间的保持为绝缘状态，从而不会降低掺杂多晶硅的生长速率。
23.从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的上述石墨舟套管的实施例中，由于包括筒状的套管主体，套管主体的外表面分布有多个具有预设高度的环形部，环形部的远离套管主体的一端设置有遮挡部，且相邻的环形部上的遮挡部之间具有预设宽度的缝隙，因此遮挡部以下的部位就不会有导电物质沉积上去，从而可维持套管的绝缘状态，也就是说，能够减缓石墨舟套管导电性的增加速率，增大相邻石墨舟页间的电场强度，提高掺杂
多晶硅的生长速率，有效延长石墨舟套管的使用寿命。
24.在上述石墨舟套管的一个具体实施例中，预设高度可以为1.0mm至4.0mm，也就是说套管主体1表面的环形部2的高度可以是1.0mm，也可以是4.0mm，还可以是二者之间的任意高度，例如2.0mm、3.0mm等等，这可以根据实际需要来选取，此处并不限制，其中的最优选方案是4.0mm，这种高度可以更好地避免导电物质从缝隙进入以后到达套管主体1的表面，从而套管主体的绝缘性能会持续的时间更长。而且，环形部的数量可以选择为2个至10个，也就是说，每一个套管主体1上可以设置2个环形部，也可以设置10个环形部，还可以设置二者之间任意数量的环形部，例如可以是3个、4个或者5个等等，这都可以根据套管主体的长度以及环形部的尺寸来相应的设定，一般而言是将套管主体的表面遍布环形部以实现全面覆盖。另外，在该具体实施例中，预设宽度可优选为0.1mm至1.0mm，也就是说，相邻的遮挡部之间的缝隙可以是0.1mm，也可以是1.0mm，还可以是二者之间的任意数值，这可以根据实际需要来选择，例如对于绝缘要求高的情况下，就可以让缝隙越小越好，而对绝缘要求不高时，则可让缝隙大一些，此处并不限制，其中最优选值为0.3mm。另外，遮挡部3可以优选为与套管主体1平行，这样的遮挡效果会更好，因为遮挡部积可以实现最大化，当然还可以根据实际需求设置成二者具有一定的角度，此处并不限制。
25.在上述石墨舟套管的另一个具体实施例中，参考图2，图2为石墨舟套管的另一个具体实施例的示意图，遮挡部3的边缘向套管主体1的方向延伸预设距离形成延伸边，可见形成延伸边以后，遮挡部以下的内部空间更大，更不容易被导电物质触及，因此利用这种设计能更进一步提升绝缘特性，该石墨舟套管可使用的寿命就更长，需要说明的是，该延伸边可以优选的与环形部平行或呈预设夹角，当二者平行时，遮挡部积实现最大化，因此遮挡的效果更好，当然也可以根据实际需求调整二者的夹角，此处并不限制，而且，这里延伸的预设距离可以优选为1.0mm至3.5mm，还可以根据实际需要来选取其他数值，此处并不限制，需要说明的是，这种延伸的预设距离要保证延伸边不要触及到套管主体1的表面。
26.在上述石墨舟套管的各个实施例中，环形部均优选为相互平行，这样制作起来更加方便，形状更加规则，当然还可以根据实际需要选择其他排列方式，此处并不限制。
27.本实用新型提供的一种石墨舟的实施例中，由于包括上面任一项的石墨舟套管，因此也能有效提高绝缘性，提高使用寿命。
28.综上所述，本实用新型提供的上述石墨舟和石墨舟套管，可以应用于topcon技术中，利用pecvd法沉积原位掺杂多晶硅，topcon大规模量产后，pecvd法沉积原位掺杂多晶硅因其沉积速率快、绕镀少、无石英耗材等优势，起到绝缘作用的石墨舟套管可以有效延长石墨舟的清洗周期。
29.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：

1.一种石墨舟套管，其特征在于，包括筒状的套管主体，所述套管主体的外表面分布有多个具有预设高度的环形部，所述环形部的远离套管主体的一端设置有遮挡部，且相邻的环形部上的遮挡部之间具有预设宽度的缝隙。2.根据权利要求1所述的石墨舟套管，其特征在于，所述预设高度为1.0mm至4.0mm。3.根据权利要求2所述的石墨舟套管，其特征在于，所述环形部的数量为2个至10个。4.根据权利要求3所述的石墨舟套管，其特征在于，所述预设宽度为0.1mm至1.0mm。5.根据权利要求1所述的石墨舟套管，其特征在于，所述遮挡部与所述套管主体平行。6.根据权利要求1-5任一项所述的石墨舟套管，其特征在于，所述遮挡部的边缘向所述套管主体的方向延伸预设距离形成延伸边。7.根据权利要求6所述的石墨舟套管，其特征在于，所述延伸边与所述环形部平行或呈预设夹角。8.根据权利要求7所述的石墨舟套管，其特征在于，所述预设距离为1.0mm至3.5mm。9.根据权利要求1-5任一项所述的石墨舟套管，其特征在于，所述环形部均相互平行。10.一种石墨舟，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的石墨舟套管。

技术总结

本申请公开了一种石墨舟套管，包括筒状的套管主体，所述套管主体的外表面分布有多个具有预设高度的环形部，所述环形部的远离套管主体的一端设置有遮挡部，且相邻的环形部上的遮挡部之间具有预设宽度的缝隙，在这种情况下，遮挡部以下的部位就不容易有导电物质沉积上去，从而可维持套管的绝缘状态，也就是说，能够减缓石墨舟套管导电性的增加速率，增大相邻石墨舟页间的电场强度，提高掺杂多晶硅的生长速率，有效延长石墨舟套管的使用寿命。本申请公开的一种石墨舟，由于包括上述石墨舟套管，因此也具有上述优点。此也具有上述优点。此也具有上述优点。