功率肖特基二极管的制造技术

目录
一、概述
二、芯片结构与工艺
三、前道技术
四、后道技术
五、ESD防护
六、新的发展
1.什么是肖特基二极管
z肖特基二极管:英文缩写SBD(Schottky Barrier Diode ),是以发明人肖特基博士
(W.Schottky)命名。
z肖特基二极管:是以金属为正极,以N型半导体为负极,利用接触面上形成的肖特基势
垒具有整流特性而制成的金属-半导体两端器
件。
4.肖特基二极管的特点
z正向压降低:起始电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
z开关速度快:多子导电器件,反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,故开
关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适
合高频应用。
z击穿电压低:肖特基反向势垒较薄,并且在表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较
低。

本文发布于:2024-09-21 00:43:44,感谢您对本站的认可!

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