一、三氯化铁蚀刻液
在印制电路、电子和金属精饰等工业中广泛采用三氯化铁蚀刻铜、铜合金及铁、锌、铝等。这是由于它的工艺稳定，操作方便，价格便宜。但是，近些年来，由于它再生困难，污染严重，废液处理困难等而正在被淘汰。因此，这里只简单地介绍。
三氯化铁蚀刻液适用于网印抗蚀印料、液体感光胶、干膜、金等抗蚀层的印制板的蚀刻。但不适用于镍、锡、锡—铅合金等抗蚀层。
三氯化铁蚀刻液对铜箔的蚀刻是一个氧化－还原过程。在铜表面Fe3+使铜氧化成氯化亚铜。同时Fe3+被还原成Fe2+。
FeCl3＋Cu →FeCl2＋CuCl
CuCl具有还原性，可以和FeCl3进一步发生反应生成氯化铜。
FeCl3＋CuCl →FeCl2＋CuCl2
Cu2+具有氧化性，与铜发生氧化反应：
CuCl2＋Cu →2CuCl
所以，FeCl3蚀刻液对Cu的蚀刻时靠Fe3+和Cu2+共同完成的。其中Fe3+的蚀刻速率快，蚀刻质量好；而Cu2+的蚀刻速率慢，蚀刻质量差。新配制的蚀刻液中只有Fe3+，所以蚀刻速率较快。但是随着蚀刻反应的进行，Fe3+不断消耗，而Cu2+不断增加。当Fe3+消耗掉35％时，Cu2+已增加到相当大的浓度，这时Fe3+和Cu2+对Cu的蚀刻量几乎相等；当Fe3+消耗掉50％时，Cu2+的蚀刻作用由次要地位而跃居主要地位，此时蚀刻速率慢，即应考虑蚀刻液的更新。 在实际生产中，表示蚀刻液的活度不是用Fe3+的消耗量来度量，而是用蚀刻液中的含铜量(g/l)来度量。因为在蚀刻铜的过程中，最初蚀刻时间是相对恒定的。然而，随着Fe3+的消耗，溶液中含铜量不断增长。当溶铜量达到60g/l时，蚀刻时间就会延长，当蚀刻液中的Fe3+消耗40％时，溶铜量达到82.40g/1时，蚀刻时间便急剧上升，表明此时的蚀刻液不能再继续使用，应考虑蚀刻液的再生或更新。 一般工厂很少分析和测定蚀刻液中的含铜量，多以蚀刻时间和蚀刻质量来确定蚀刻液的再生与更新。经验数据为，采用动态蚀刻，温度为50℃左右，铜箔厚度为50μm，蚀刻时间5分钟左右最理想，8分钟左右仍可使用，若超过10分钟，侧蚀严重，蚀刻质量变差，应考虑蚀刻液的再生或更新。
蚀刻铜箔的同时，还伴有一些副反应，就是CuCl2和FeCl3的水解反应：
FeCl3＋3H2O →Fe(OH)3↓＋3HCl
CuCl2＋2H2O →Cu(OH)2↓＋2HCl
生成的氢氧化物很不稳定，受热后易分解：
2Fe(OH)3→Fe2O3↓＋3H2O
Cu(OH)2→CuO↓＋H2O
结果生成了红的氧化铁和黑的氧化铜微粒，悬浮于蚀刻液中，对抗蚀层有一定的破坏作用。
2. 影响蚀刻速率的因素
>Fe3+的浓度和蚀刻液的温度
蚀刻液温度越高，蚀刻速率越快，温度的选择应以不损坏抗蚀层为原则，一般以40～50℃为宜。
Fe3+的浓度对蚀刻速率有很大的影响。蚀刻液中Fe3+浓度逐渐增加，对铜的蚀刻速率相应加快。
当所含Fe3+超过某一浓度时，由于溶液粘度增加，蚀刻速率反而有所降低。一般蚀刻涂覆网印抗蚀
印料、干膜的印制板，浓度可控制在350Be ' 左右；蚀刻涂覆液体光致抗蚀剂（如骨胶、聚乙烯醇等）
的印制板，浓度则要控制在420Be '以上。其重量百分比浓度和比重的关系见表10－5：
表10－5 三氯化铁溶液的组成
浓度（g/l）重量百分比浓度比重波美度低浓度 365 28 1.275 31.5 最佳浓度 452、530 34、38 1.353、1.402 38、42
高浓度 608 42 1.450 45 >盐酸的添加量
在蚀刻液中加入盐酸，可以抑制FeCl3的水解，并可提高蚀刻速率。尤其是当溶铜量达到37.4g/l 后，盐酸的作用更明显。但是盐酸的添加量要适当，酸度太高，会导致液体光致抗蚀剂（如骨胶、
聚乙烯醇等）涂层的印制板只能用低酸度溶液。
>蚀刻液的搅拌
静止蚀刻的效率和质量都是很差的。原因是在蚀刻过程中在板面和溶液里会有沉淀生成，而使
溶液呈暗绿，这些沉淀会影响进一步的蚀刻。
采用空气搅拌，喷淋或泼溅操作都可以加快蚀刻反应。蚀刻速率的提高是由于部分Fe2+和Cu1+重
新氧化成Fe3+和Cu2+。
4Fe2+＋O2＋4H+→4Fe3+＋2H2O
4Cu1+＋O2＋4H+→4Cu2+＋2H2O
二、其他蚀刻液
>硫酸—铬酸蚀刻液
对电镀锡铅合金抗蚀层的印制板有良好的蚀刻效果。但铬酸是属于“三废”中国家排标的第一类有害物质，对人和动植物均有害。因此，现在几乎不用它来蚀刻印制板。
>过硫酸铵蚀刻液
适用于用网印抗蚀印料、干膜、金等作抗蚀层的印制板。但是它的蚀刻速度和溶铜能力都不如氯化物蚀刻液高，易分解，加之成本高，一般用于图形电镀前铜箔表面的微蚀刻处理。
>硫酸—双氧水蚀刻液
可用于图形电镀前的微蚀刻处理。近年来开始用于印制板蚀刻。它的特点是不浸蚀锡铅合金，溶液组分非常简单，蚀刻后的产物只有硫酸铜。蚀刻液可以经过再生与回收，得到纯度高的硫酸铜晶体。因此大大减少废液排放和环境污染，是目前有发展前途的蚀刻液。
硫酸/过氧化氢（双氧水）蚀刻液的例H2SO４（98wt%）：18～20vol%；H2O2（50wt%）：10～12vol%；Cu：22～45g/L
>盐酸—双氧水（过氧化氢）蚀刻液（此法经试用效果很好）
具有操作简便、速度快、成本低等特点，特别适宜制作大面积印刷电路板。
配方：
双氧水（31%浓度）1份；
盐酸（37%浓度）3份；
水4份。
配制方法：
先把4份水倒入盘中，然后倒入3份盐酸，用玻璃棒搅拌再缓缓地加入1份双氧水，继续用玻璃棒搅匀后即可。
常温下腐蚀，一般五分钟左右便可腐蚀完毕，取出铜箔板，用清水冲洗，擦干后就可以使用了。
其原理是利用双氧水在酸性介质中为强氧化剂，可以把Cu氧化为Cu2+离子。而H2O2本身则被还原为H2O。
2H2O2+Cu+4HCl=CuCl2+Cl2↑+4H2O
此腐蚀液反应速度极快，应按比例要求掌握，如比例过于不当会引起沸腾以至液水溢出盘外。另外在反应时还有少量的放出，所以最好在通风处进行操作。
>氯化铵—氯酸钠—盐酸蚀刻液
此蚀刻液组合物，可以在不改变现有生产系统下使用，具有稳定性高，对基板侧蚀少，蚀速快，能够降低生产成本，避免环境污染。
配方（重量百分比）：
氯化铵（NH4Cl）6％～8％
氯酸钠（NaClO3）0.7％～0.9％
盐酸（HCl ）35％～37％
水（H2O）56.2％
上述铜蚀刻液组合物中，盐酸为主要功能成份，在反应中起蚀刻铜作用，氯酸钠在反应中能够使反应速度加快，氯化铵在反应中起络合作用。
配制方法：
常温常压下
1. 在生产槽中按照比例依次加入原材料氯化铵、氯酸钠、盐酸和水；
2. 经搅拌至完全溶解。
>酸性氯化铜蚀刻液配方
酸性氯化铜蚀刻液配方见下表。
表酸性氯化铜蚀刻蚀液配方
成分 配方l配方2配方3
氯化铜／(g／L)130～l90200150～400
氯化钠／(g／L)100～200
氯化铵／(g／L)加至饱和状态
盐酸／(mL／L)150～180100
水 加至lL加至lL加至lL
蚀刻液中影响蚀刻速率的主要因素有溶液中Cl-、Cu+的含量以及蚀刻液的温度和Cu2+的浓度。
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