硅⽚的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加⼤及器件失效等。因此硅⽚的清洗很重要，下⾯主要介绍清洗的作⽤和清洗的原理。
清洗的作⽤
1.在太阳能材料制备过程中，在硅表⾯涂有⼀层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离⼦进⼊⼆氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。 2.在等离⼦边缘腐蚀中，如果有油污、⽔⽓、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量⼤⼤提⾼。
3.硅⽚中杂质离⼦会影响P-N 结的性能，引起P-N 结的击穿电压降低和表⾯漏电，影响P-N 结的性能。
4.在硅⽚外延⼯艺中，杂质的存在会影响硅⽚的电阻率不稳定。
清洗的原理
要了解清洗的原理，⾸先必须了解杂质的类型，杂质分为三类：⼀类是分⼦型杂质，包括加⼯中的⼀些
有机物；⼆类是离⼦型杂质，包括腐蚀过程中的钠离⼦、氯离⼦、氟离⼦等；三是原⼦型杂质，如⾦、铁、铜和铬等⼀些重⾦属杂质。⽬前最常⽤的清洗⽅法有：化学清洗法、超声清洗法和真空⾼温处理法。 1.⽬前的化学清洗步骤有两种：
（1）有机溶剂（甲苯、丙酮、酒精等）→去离⼦⽔→⽆机酸（盐酸、硫酸、硝酸、王⽔）→→去离⼦⽔
（2）碱性过氧化氢溶液→去离⼦⽔→酸性过氧化氢溶液→去离⼦⽔
下⾯讨论各种步骤中试剂的作⽤。
a.有机溶剂在清洗中的作⽤
⽤于硅⽚清洗常⽤的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作⽤是除去硅⽚表⾯的油脂、松⾹、蜡等有机物杂质。所利⽤的原理是“相似相溶”。
b.⽆机酸在清洗中的作⽤
硅⽚中的杂质如镁、铝、铜、银、⾦、氧化铝、氧化镁、⼆氧化硅等杂质，只能⽤⽆机酸除去。
在⽣产中，对于硅⽚表⾯的清洗中常⽤RCA ⽅法及基于RCA 清洗⽅法的改进，RCA 清洗⽅法分为Ⅰ号清洗剂（APM）和Ⅱ号清洗剂（HPM）。Ⅰ号清洗剂（APM）的配置是⽤去离⼦⽔、30%过氧化氢、25%的氨⽔按体积⽐为：5:1：1 ⾄5:2：1；Ⅱ号清洗剂（HPM）的配置是⽤去离⼦⽔、30%过氧化氢、25%的盐酸按体积⽐为：6:1：1 ⾄8:2：1。其清洗原理是：氨分⼦、氯离⼦等与重⾦属离⼦如：铜离⼦、铁离⼦等形成稳定的络合物如：［AuCl4］-、
［Cu（NH3）4］2+、［SiF6］2-。
清洗时，⼀般应在75～85℃条件下清洗、清洗15 分钟左右，然后⽤去离⼦⽔冲洗⼲净。Ⅰ号清洗剂（APM）和Ⅱ号清洗剂（HPM）有如下优点：
（1）这两种清洗剂能很好地清洗硅⽚上残存的蜡、松⾹等有机物及⼀些重⾦属如⾦、铜等杂质；
（2）相⽐其它清洗剂，可以减少钠离⼦的污染；
（3）相⽐浓硝酸、浓硫酸、王⽔及铬酸洗液，这两种清洗液对环境的污染很⼩，操作相对⽅便。
2.超声波在清洗中的作⽤
⽬前在半导体⽣产清洗过程中已经⼴泛采⽤超声波清洗技术。超声波清洗有以下优点：
（1）清洗效果好，清洗⼿续简单，减少了由于复杂的化学清洗过程中⽽带来的杂质的可能性；
（2）对⼀些形状复杂的容器或器件也能清洗。
超声波清洗的缺点是当超声波的作⽤较⼤时，由于震动磨擦，可能使硅⽚表⾯产⽣划道等损伤。
超声波产⽣的原理：⾼频震荡器产⽣超声频电流，传给换能器，当换能器产⽣超声震动时，超声震动就通过与换能器连接的液体容器底部⽽传播到液体内，在液体中产⽣超声波。
3.真空⾼温处理的清洗作⽤
硅⽚经过化学清洗和超声波清洗后，还需要将硅⽚真空⾼温处理，再进⾏外延⽣长。真空⾼温处理的优点：
（1）由于硅⽚处于真空状态，因⽽减少了空⽓中灰尘的玷污；
（2）硅⽚表⾯可能吸附的⼀些⽓体和溶剂分⼦的挥发性增加，因⽽真空⾼温易除去；
（3）硅⽚可能玷污的⼀些固体杂质在真空⾼温条件下，易发⽣分解⽽除去。
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