随着半导体工艺的不断发展，其对设备颗粒度的要求越来越高，文章分析了沾污产生的原因及出处，并对各种沾污进行了分析，并指出了解决方向，在很大程度上指导了半导体生产和研发环境的建立及完善。
标签：沾污；颗粒；化学吸附；静电
自从20世纪50年代固体元器件诞生以后，在半导体微电子器件制作过程中，衬底表面情节的重要性就已经被认知。众所周知，硅器件的性能、稳定性和电路的成品率受硅片或器件表面的化学沾污和微粒沾污的影響极大。目前，由于半导体表面的极度敏感性和器件的亚微米尺寸特征，使得对原始硅片及氧化和图形化后得硅片进行有效清洗，比以往任何时候都更为重要。正因为如此，超清洁硅片的准备，已成为超大规模硅电路制作过程中的关键技术之一。
1 沾污的类型和来源
半导体晶片表面的沾污是以沾污薄层、分散微粒和粒子（粒子团簇）和气体的形式存在，具体见表1的总结。表面沾污薄层和微粒包括分子化合物、离子物质和原子物质。分子化合物
是指凝结的有机蒸汽微粒或膜层，包括来自润滑剂、油脂、光刻胶、残留溶剂、去离子水或塑料存储器等引入的有机化合物、金属氧化物或氢氧化物。离子物质由阴、阳粒子构成，多数来自于通过物理吸附或化学成键（化学吸附）而引入的无机化合物，如钠离子、氟离子和氯离子。原子物质主要由金属构成，如金和铜，它们可来自与含HF的溶液中，通过化学或电化学方式被电镀到半导体表面，或者由来自设备的硅颗粒或金属残留物构成。
由表2列出了各种污染来源，可见沾污来源的多方面。这些微粒可能来自于设备、过程化学品、工厂操作和气体管道等。与硅片和液体直接或间接接触的移动机械设备与容器时特别严重的污染源，而原材料、液体、气体化学药品和环境气氛引起的微粒沾污较少，但所有这些沾污来源都会对沾污膜层的生成起到重要的作用。硅片上通常会积累静电荷的载流子，它们是诱发离子沉积的主要机制，但却常常被忽略。
2 沾污对半导体器件的影响
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