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一种蚀刻硅片后清洗液[发明专利]

专利名称：一种蚀刻硅片后清洗液

专利类型：发明专利

发明人：李金航，李鑫，张庭，贺兆波，尹印，冯凯，王书萍，万杨阳，钟昌东，武昊冉

申请号：CN202111534816.9

申请日：20211215

公开号：CN114276814A

公开日：

20220405

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种专用于蚀刻后的微米级孔穴结构的清洗液。该清洗液主要成分为、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的制备的清洗液表面张力极低，对孔穴结构有很强的钻蚀能力，更利于药液进入孔穴进行溶解清洗，并且孔内结构表面清洗后更加均一。其中添加剂在HF药液体系中具有良好的溶解度和分散性，且更容易在氮化硅和多晶硅表面形成空间位阻，腐蚀速率极低。表面活性剂的引入能够降低蚀刻液的表面张力，其表面张力可维持在25mN/m以内。本发明所述的清洗液可满足芯片结构制造中的＜10um孔径的孔内氧化物残留和多晶硅残渣的快速清洗，并保证结构的稳定性。

申请人：湖北兴福电子材料有限公司

地址：443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号

国籍：CN

代理机构：宜昌市三峡专利事务所

代理人：成钢

本文发布于:2024-09-20 12:25:14，感谢您对本站的认可！

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