硅片清洗技术进展作者：江海兵来源：《硅谷》2008年第19期 [摘要]在分析抛光硅片表面沾污类型的基础上，对目前硅片主要清洗方法的工作原理、清洗效果、适用范围等特点进行研究，重点研究硅片激光干法清洗原理和特点。 [关键词]硅片 沾污类型 清洗 激光干法清洗
中图分类号：T604 文献标识码：A 文章编号：1671－7597（2008）1010199－02
一、序言
半导体硅作为现代电子工业的基础材料己有半个世纪的历史，随着亚微米及深亚微米超大规模集成电路(ULSI)遵循着“摩尔定律”迅速发展，设计线宽急剧减小，基体表面的亚微米
污物足以导致大量缺陷产生并对生产领域造成一系列影响，给硅片表面质量提出了越来越苛刻的要求。硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等严重影响器件性能，清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。因此，硅片清洗技术成为硅晶片加工和超大规模集成电路工艺研究的一大热点。本文在分析硅片表面污染物基础上，对硅片目前流行的清洗工艺原理作概述，并介绍其最新进展[1]。
二、硅片加工表面污染类型
在硅片加工及器件制造过程中，所有与硅片接触的外部媒介都是硅片沾污的可能来源。这主要包括以下几方面：硅片加工成型过程中的污染、环境污染、水造成的污染、试剂带来的污染、工业气体带来的污染、工艺本身带来的污染、人体造成的污染等。其污染主要有以下几种类型[1]：（1）颗粒沾污；（2）有机物沾污；（3）金属离子沾污；（4）自然氧化层沾污。
三、硅片清洗的主要方法
到目前为止，清洗方法可分为许多种，工业生产种使用较多的有：RCA清洗法、超声波清洗法、兆声波清洗法、机械刷片法等。下面对以上几种方法作简要说明：
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议